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公开(公告)号：CN107275254B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201710142910.7
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种基板处理装置、基板处理装置的控制方法和基板处理系统。能够不依赖于要去除的周缘部的膜的种类而迅速地判断是否适当地去除了周缘部的膜。具备：获取工序(S502)，获取与所述基板(W)的膜的种类有关的信息；选择工序(S503)，从预先存储于存储部的测定用设定的表中选择与所获取到的所述膜的种类对应的测定用设定；控制工序(S504)，进行控制使得所述拍摄部(270)使用在所述选择工序中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部。
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公开(公告)号：CN107275254A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710142910.7
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02087 , G05B19/402 , G05B2219/45031 , H01L21/67023 , H01L21/6708 , H01L21/67253 , H01L21/67259 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 提供一种基板处理装置、基板处理装置的控制方法和基板处理系统。能够不依赖于要去除的周缘部的膜的种类而迅速地判断是否适当地去除了周缘部的膜。具备：获取工序(S502)，获取与所述基板(W)的膜的种类有关的信息；选择工序(S503)，从预先存储于存储部的测定用设定的表中选择与所获取到的所述膜的种类对应的测定用设定；控制工序(S504)，进行控制使得所述拍摄部(270)使用在所述选择工序中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部。
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公开(公告)号：CN107275200B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201710141991.9
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
Abstract: 提供一种基板处理装置的管理方法和基板处理系统。通过对与基板的周缘部的膜去除有关的信息进行管理，能够长期地稳定地运用基板处理装置。具备：测定处理工序，基于通过由所述拍摄部对基于基板处理制程被处理后的基板的周缘部进行拍摄所得到的拍摄图像，测定所述膜的去除宽度；制作工序，制作将所述膜的去除宽度的设定值、通过所述测定处理工序测定出的膜的去除宽度的测定值以及得到所述测定结果的时刻信息相关联的管理列表；分析工序，基于制作出的所述管理列表来分析基板处理的状态；以及通知工序，根据所述分析工序的分析结果，对使用者进行规定的通知。
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公开(公告)号：CN107275201A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710142173.0
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02087 , B08B3/08 , G03B13/32 , G03B17/08 , H01L21/6704 , H01L21/6708 , H01L21/67253 , H01L21/67259 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L21/304
Abstract: 提供基板处理装置和基板处理装置的处理方法。使得即使在与基板的周缘部相向的位置配置拍摄装置也能够进行良好的拍摄。进行去除基板(W)的周缘部的膜的处理的基板处理装置(16)具备：旋转保持部(210)，其保持所述基板并使所述基板旋转；第一处理液供给部(250A)，其在通过所述旋转保持部而基板正在向第一旋转方向(R1)旋转时，向所述基板的周缘部供给用于去除所述膜的第一处理液；拍摄部(270)，其设置于比所述基板中的第一处理液的到达区域(902)靠所述第一旋转方向上的上游侧的位置来拍摄所述基板的周缘部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114188243A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111334272.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 提供一种基板处理系统和基板处理装置的管理方法。通过对与基板的周缘部的膜去除有关的信息进行管理，能够长期地稳定地运用基板处理装置。具备：测定处理工序，基于通过由所述拍摄部对基于基板处理制程被处理后的基板的周缘部进行拍摄所得到的拍摄图像，测定所述膜的去除宽度；制作工序，制作将所述膜的去除宽度的设定值、通过所述测定处理工序测定出的膜的去除宽度的测定值以及得到所述测定结果的时刻信息相关联的管理列表；分析工序，基于制作出的所述管理列表来分析基板处理的状态；以及通知工序，根据所述分析工序的分析结果，对使用者进行规定的通知。
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公开(公告)号：CN107275201B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201710142173.0
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 提供基板处理装置和基板处理装置的处理方法。使得即使在与基板的周缘部相向的位置配置拍摄装置也能够进行良好的拍摄。进行去除基板(W)的周缘部的膜的处理的基板处理装置(16)具备：旋转保持部(210)，其保持所述基板并使所述基板旋转；第一处理液供给部(250A)，其在通过所述旋转保持部而基板正在向第一旋转方向(R1)旋转时，向所述基板的周缘部供给用于去除所述膜的第一处理液；拍摄部(270)，其设置于比所述基板中的第一处理液的到达区域(902)靠所述第一旋转方向上的上游侧的位置来拍摄所述基板的周缘部。
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公开(公告)号：CN114188243B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202111334272.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 提供一种基板处理系统和基板处理装置的管理方法。通过对与基板的周缘部的膜去除有关的信息进行管理，能够长期地稳定地运用基板处理装置。具备：测定处理工序，基于通过由所述拍摄部对基于基板处理制程被处理后的基板的周缘部进行拍摄所得到的拍摄图像，测定所述膜的去除宽度；制作工序，制作将所述膜的去除宽度的设定值、通过所述测定处理工序测定出的膜的去除宽度的测定值以及得到所述测定结果的时刻信息相关联的管理列表；分析工序，基于制作出的所述管理列表来分析基板处理的状态；以及通知工序，根据所述分析工序的分析结果，对使用者进行规定的通知。
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公开(公告)号：CN114664694A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111534067.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，是供抑制蚀刻量的变动的技术。基板处理装置具备混合部、喷嘴、第一成分供给部、第二成分供给部以及控制部。所述混合部将作为第一成分的硫酸与第二成分进行混合来制备蚀刻液。所述喷嘴向基板喷出所述蚀刻液。所述第一成分供给部包括第一流路、第一瞬时流量计以及第一流量控制器。所述第二成分供给部包括第二流路、第二瞬时流量计以及第二流量控制器。所述控制部控制所述第一成分供给部和所述第二成分供给部。在向所述基板喷出所述蚀刻液的期间，所述控制部使用所述第一成分的平均流量和所述第二成分的平均流量来控制所述第一流量控制器和所述第二流量控制器。
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公开(公告)号：CN107275200A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710141991.9
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/67028 , H01L21/67132 , H01L21/67259 , H01L21/67288 , H01L21/681 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L21/304
Abstract: 提供一种基板处理装置的管理方法和基板处理系统。通过对与基板的周缘部的膜去除有关的信息进行管理，能够长期地稳定地运用基板处理装置。具备：测定处理工序，基于通过由所述拍摄部对基于基板处理制程被处理后的基板的周缘部进行拍摄所得到的拍摄图像，测定所述膜的去除宽度；制作工序，制作将所述膜的去除宽度的设定值、通过所述测定处理工序测定出的膜的去除宽度的测定值以及得到所述测定结果的时刻信息相关联的管理列表；分析工序，基于制作出的所述管理列表来分析基板处理的状态；以及通知工序，根据所述分析工序的分析结果，对使用者进行规定的通知。
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