公开(公告)号：CN102473616A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031692.6

申请日：2010-07-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  原正道

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/04 ,  C23C16/042 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了对在表面暴露有使用铜的配线和绝缘膜的基板形成含锰膜的成膜方法。该成膜方法具备在使用铜的配线上，利用使用了锰化合物的CVD法形成含锰膜的工序(步骤2)。

公开(公告)号：CN101205605B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200610168334.5

申请日：2006-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。

公开(公告)号：CN102112653A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130137.6

申请日：2009-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  安室千晃

IPC: C23C16/44 ,  B01D53/14 ,  B01D53/18 ,  B01D53/72 ,  B01D53/77 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4412 ,  B01D53/002 ,  B01D53/62 ,  B01D53/75 ,  B01D2257/706 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/416 ,  C23C16/16 ,  Y02C20/30

Abstract: 本发明提供一种原料回收方法，该原料回收方法从由处理容器排出的排出气体中回收原料，在处理容器中，使用使相对于特定的制冷剂不分解而具有稳定的特性的有机金属化合物的原料气化而得到的原料气体，在被处理体的表面上形成金属膜的薄膜，其特征在于，该原料回收方法具有：凝固工序，通过使上述排出气体与上述制冷剂接触而进行冷却，使未反应的原料气体凝固，并再次析出上述原料；回收工序，其从上述制冷剂中分离并回收在上述凝固工序中再次析出的上述原料。

公开(公告)号：CN101065516B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200580040914.X

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  以马利·P·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/16

Abstract: 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40、140)相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)，其用于通过增大固态前驱体(350)的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)包括基座盘(330)以及一个或多个上部盘(340)。每个盘(330、340)被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘(330、340)被配置为在加热膜前驱体(350)的同时提供膜前驱体(350)上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体(350)上方向内流动，并且垂直地向上经过可堆叠盘(340)内部的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)中的出口(322)。

公开(公告)号：CN101688296A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023081.X

申请日：2008-09-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫下哲也 ,  平田俊治 ,  原正道

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67184 ,  C23C14/566 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67196

Abstract: 本发明提供真空处理系统及基板搬送方法。真空处理系统(1)具备：第一处理部(2)，其在搬送晶片(W)的第一搬送室(11)上连接PVD处理室(12～15)而成；第二处理部(3)，其在搬送晶片的第二搬送室(21)上连接CVD处理室(22、23)而成；缓冲室(5a)，其隔着门阀(G)设于第一搬送室(11)及第二搬送室(12)之间，可以收容晶片(W)，并且可以进行压力调整；控制部(110)，其如下进行控制，即，将缓冲室(5a)与第一搬送室(11)及第二搬送室(12)的任意一方选择性地连通，按照使其内部的压力适合于所连通的搬送室内的压力的方式，控制门阀(G)的开闭及缓冲室(5a)的压力。

公开(公告)号：CN101646803A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880009952.2

申请日：2008-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  横山敦 ,  田中利昌 ,  前川伸次 ,  多贺敏

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给方法的特征在于，包括：工序(a)，使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；工序(b)，对上述原料容器内的固体原料进行加热，产生原料气体；工序(c)，将与上述工序(a)相同流量的载气供给至上述原料容器内，使上述原料气体与该载气一起在上述处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；和工序(d)，根据在上述工序(a)中取得的压力测定值、在上述工序(c)中取得的压力测定值和载气流量，计算上述原料气体的流量。

公开(公告)号：CN101542016A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000148.8

申请日：2008-02-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  横山敦 ,  多贺敏

IPC: C23C16/16

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。

公开(公告)号：CN101082125A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200610140313.2

申请日：2006-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/45517 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。

公开(公告)号：CN116583933A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180081991.9

申请日：2021-12-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古屋雄一 ,  原正道

IPC: H01L21/285

Abstract: 根据本公开的一个方面的基板处理装置是在布置在处理容器内的基板上进行成膜的装置，该基板处理装置具有：处理气体供给部，向所述处理容器内供给处理气体，该处理气体包含原料气体和输送该原料气体的载体气体；真空泵，对所述处理容器内进行排气；以及吹扫气体供给部，向所述真空泵内供给吹扫气体，其中，所述吹扫气体包含第一气体，该第一气体是与所述载体气体相同的气体。

公开(公告)号：CN101978477B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980110270.5

申请日：2009-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  水泽宁 ,  多贺敏 ,  五味淳 ,  波多野达夫

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16

CPC classification number: C23C16/45559 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28562

Abstract: 一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。