公开(公告)号：CN101681113A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015585.7

申请日：2008-05-16

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 泽野敦 ,  越山淳 ,  广崎贵子

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0276 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/091

Abstract: 本发明提供在光刻胶膜上形成防反射膜时所用的防反射膜形成用组合物，该组合物操作简单，且与使用PFOS的防反射膜同样可形成具有优异光学特性的防反射膜。用于形成设置于光刻胶膜上的防反射膜的防反射膜形成用组合物，该防反射膜形成用组合物包含特定的氟化合物。该防反射膜形成用组合物，由于上述特定的氟化合物有助于提高防反射膜的光学特性，因而可以形成具有优异光学特性的防反射膜。

公开(公告)号：CN101313385A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680043555.8

申请日：2006-11-22

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 越山淳 ,  泽田佳宏 ,  横谷次朗 ,  平野智之

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  C11D1/66 ,  H01L21/304 ,  C11D3/43

CPC classification number: C11D3/43 ,  C11D1/66 ,  C11D1/667 ,  C11D1/72 ,  C11D3/18 ,  C11D3/181 ,  C11D3/182 ,  C11D3/184 ,  C11D3/188 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70983

Abstract: 本发明提供一种在浸液曝光过程中能够高效地洗涤除去因为从光致抗蚀剂溶出的成分而导致的曝光装置部位(特别是光学透镜部)的污染物、且废液处理简便、与浸液介质的置换效率高、不阻碍半导体制造生产率的光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法。本发明涉及光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法，其中，所述光刻法用洗涤液在用浸液介质充满于曝光装置的光学透镜部和置于晶片载物台上的曝光对象物之间进行曝光的浸液曝光过程中，用于上述曝光装置的洗涤，所述光刻法用洗涤液含有(a)表面活性剂、(b)烃溶剂及(c)水。

公开(公告)号：CN1947066A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580012689.9

申请日：2005-04-20

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 越山淳 ,  胁屋和正 ,  金子文武 ,  宫本敦史 ,  田岛秀和 ,  泽田佳宏

IPC: G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/32 ,  C11D3/245 ,  C11D3/349 ,  C11D11/0041 ,  G03F7/322

Abstract: 本发明是提供一种可将接触角40度以下的容易润湿的抗蚀图案表面改质成接触角70度以上，可有效防止图案崩溃，制造高品质制品的新颖冲洗液。该冲洗液包含下述溶液，所述溶液含有选自通式(I)(式中的R1及R2是各自氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳原子数为1～5的烷基或取代烷基，R1与R2可以相互连接并与和两者结合的SO2及N一同形成五员环或六员环)、通式(II)(式中的Rf是氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳数1～5的烷基或取代烷基，m及n是整数2或3)、或通式Rf’－COOH(式中的Rf’是碳数8～20且至少一部分被氟化的烷基)表示的水或醇溶剂可溶性氟化合物中的至少一种。