一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法

    公开(公告)号:CN114414972A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202111530295.X

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法,其特征在于,包括第一步,选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器,分为两组,计算A组、B组暗电流初值的平均值;第二步,对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验;第三步,取A组中一只器件对其进行结构分析;第四步,采用粒子输运软件Geant4计算电离能损;第五步,对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验;第六步,计算空间质子位移损伤△μi,△μi=μAi‑μBi;第七步,拟合△μi‑Fi的变化曲线;第八步,得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤,结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求,对航天器在轨安全运行具有重要意义。

    一种光电探测器光、热、电综合应力下寿命考核试验装置

    公开(公告)号:CN118393245A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410348251.2

    申请日:2024-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种光电探测器光、热、电综合应力下寿命考核试验装置,包括:光源、拆换法兰盘、导光筒、高温试验箱、隔热玻璃、滑轨、遮光板、测试子板、子母板连接线、测试母板、操作台、电控柜、环境控制装置、氮气瓶,高温试验箱内部底座上安装滑轨,测试子板与滑轨相连接,遮光板能实现测试过程中高温试验箱光场的均匀、可控,隔热玻璃密封安装在高温试验箱左侧,导光筒通过拆换法兰盘安装光源。本发明解决了高温试验条件下,温度导致的光源性能漂移,以及传统测试装置难以实现对光电探测器件试验过程中实际受到的光源辐照量进行标定和控制的问题,创新性设计了能为光电探测器实现光、热、电综合应力试验环境的装置。

    一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法

    公开(公告)号:CN114414972B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202111530295.X

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法,其特征在于,包括第一步,选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器,分为两组,计算A组、B组暗电流初值的平均值;第二步,对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验;第三步,取A组中一只器件对其进行结构分析;第四步,采用粒子输运软件Geant4计算电离能损;第五步,对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验;第六步,计算空间质子位移损伤△μi,△μi=μAi‑μBi;第七步,拟合△μi‑Fi的变化曲线;第八步,得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤,结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求,对航天器在轨安全运行具有重要意义。

    一种IGBT寿命预测方法
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118052129A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202311775620.8

    申请日:2023-12-22

    Abstract: 本发明公开了一种IGBT寿命预测方法,基于二次分解的数据降噪方案,利用完全集合经验模态分解(CEEMDAN)以及变分模态分解(VMD)进行数据降噪处理,具体包括如下步骤:S1、获取IGBT器件的历史退化失效特征数据,提取特征参数,划分训练集和测试集。S2、使用CEEMDAN算法将历史退化数据的训练集分解为具有不同中心频率的几个模态分量(IMF)。S3、计算各IMF的排列熵(PE)值,筛选出PE值较大的IMF。S4、对PE值较大的IMF进行VMD二次分解,分解时优化参数K和α。S5、将IMF输入GRU神经网络模型,优化模型参数,进行预测。

    一种Pt传感器实时监测加电状态下功率二极管结温的方法

    公开(公告)号:CN115598483A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211113580.6

    申请日:2022-09-14

    Abstract: 本发明提供了一种Pt传感器实时监测加电状态下功率二极管结温的方法,其特征在于,包括:S1:在PCB覆铜板上制备Pt薄膜电阻温度传感器;S2:确定该Pt薄膜电阻温度传感器电阻和温度的换算M系数;S3:制备芯片底部有Pt薄膜电阻温度传感器的功率二极管;S6:将功率二极管接入老化电路,实时监测Pt薄膜电阻温度传感器电阻,通过Pt薄膜电阻温度传感器监测加电状态下的二极管结温。本发明相比于只能测试器件表面温度的热电偶法,测温的可重复性和均一性更好;相比于红外法,不需要考虑表面封装材料发射率的影响,测试的芯片结温更准确;相比于热阻测试法,在二极管加电测试过程中无需进行热阻测试,就可解决传统测试无法实时监测二极管结温的不足。

    一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法

    公开(公告)号:CN115219870A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210746556.X

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 本发明实施例提供了一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法,包括步骤:通过热电偶测试的LED荧光胶温度校准红外法测试的LED荧光胶温度,确定校准P系数;确定LED芯片的温度敏感参数K系数;采用热电偶P系数校准后的红外法重新测定荧光胶温度,采用瞬态热阻法测试芯片结温;单独改变恒温炉温度,确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响;单独改变加热电流,确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响;将LED接入老化电路,采用校准红外法测试荧光胶温度,结合荧光胶温度‑芯片结温曲线,计算LED芯片结温。本发明无需测试荧光胶发射率,解决了传统方法不能快速精确测定高温老化LED芯片结温的不足。

    用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法

    公开(公告)号:CN111474465B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202010341888.0

    申请日:2020-04-27

    Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法,夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套;底座设置在PCB基板上;底座上设有两列所述簧片阵列;杆套设置在PCB基板上,压杆与杆套连接;待分析扁平封装半导体器件置于底座上,器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接,压杆一端部紧压在器件的边框上,使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接;PCB基板上排布有微带引线,簧片阵列通过底座插针与微带引线连接,微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法,既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接,又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。

    一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法

    公开(公告)号:CN111273164B

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202010165155.6

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法,包括:EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V‑I源。PCB基板置于EMMI平台上,PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二,PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口,4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V‑I源相连,夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V‑I源在内的动态EMMI分析系统,能够使电压调整器内部器件进入工作状态,从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电,并且通过开关进行统一切换,能够快速实现动态EMMI图像的对比。

    微波器件电热应力施加自动化测试评价系统

    公开(公告)号:CN113820152A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202110972644.7

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明的微波器件电热应力自动化测试评价系统包括应力施加、检测控制、电源和数据处理等子系统;应力施加子系统搁置在鱼骨式支撑架上的隔热板上,由隔热板与风扇板构成可变风道;检测控制子系统和电源子系统位于隔热板下方,且与隔热板有间隔;电源与应力施加子系统用电源线互连,电源线上串有电流传感器;检测控制子系统中夹具与热台上设有温度传感器;检测控制子系统采集温度和电流的数据和并发送给数据处理子系统;数据处理子系统分析测量数据并发送反馈指令,由检测控制子系统控制电源、风扇和热台。本发明解决现有微波器件电热应力测试效率低、准确度低和可靠性低等问题。

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