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公开(公告)号：CN111323941A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811542683.8
申请日：2018-12-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种硅基电光调制器及其制作方法，该硅基电光调制器包括电光调制器结构及与电光调制器结构相连的光循环结构，光循环结构包括n个模式转换反向器，模式转换反向器包括TEi-TEj非对称定向耦合器、反向器及TEj-TEi+1非对称定向耦合器，用于实现TEi-TEi+1模式光之间的转换及光的反向，通过引入n个模式转换反向器，可以实现光的n+1次循环利用。在光经过n+1次循环后，通过TEn-TEk非对称定向耦合器输出。本发明通过基于非对称定向耦合器的光循环结构实现光的循环利用，可以有效减小调制器长度，提高调制器效率，降低调制器能耗，并且本发明的硅基电光调制器光学带宽大，对波导尺寸、温度不敏感，工艺容差大，稳定性高。
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公开(公告)号：CN110957360A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811133445.1
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管及其制造方法，该硅基锗锡高电子迁移率晶体管包括：硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III-V族半导体材料，其中，所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，所述势垒层与栅电极连接，所述盖层与源电极和漏电极连接。根据本实施例,能够提高晶体管的高速性能，并且，GeSn容易与Si基集成电路制造技术集成。
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公开(公告)号：CN110896115A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811062635.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法。该光电晶体管包括栅极堆栈；设置于栅极堆栈一侧的有源层；设置于有源层远离栅极堆栈一侧的抗反层；其中，有源层包括沟道区，以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；其中，有源层的材料为锗锡合金。本发明提供的技术方案通过形成上述光电晶体管结构，并设置有源层的材料为锗锡合金，可使光电晶体管具有较高的灵敏度，且光电晶体管结构简单。
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公开(公告)号：CN119108451A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310682739.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0288
Abstract: 本发明提供一种基于两次外延的雪崩光电二极管及其制备方法，通过两次外延工艺实现所有P型离子及N型离子的注入均通过表面离子注入的形式实现，不需要较深离子注入需求，避免高能离子注入机的使用，降低制备难度、减小制造成本；另外，采用该制备方法制备的雪崩光电二极管，通过在第一P型外延层表面形成P+掺杂层，且其掺杂浓度相对于第一P型外延层的掺杂浓度来说较大，可以调节雪崩光电二极管内部的电场分布，辅助第二阳极欧姆接触电极实现对第一P型外延层及第二P型外延层的全耗尽，即通过P+掺杂层可调节第一、第二P型外延层的全耗尽状态，使其可在较低电压下耗尽，即降低耗尽电压，从而减少扩散电流，提高器件截止频率。
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公开(公告)号：CN119108442A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310684520.8
申请日：2023-06-09
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/08 , G01S7/481
Abstract: 本发明提供一种雪崩光电二极管及其制备方法、雪崩光电二极管阵列及其测距仪，该雪崩光电二极管包括：第一阳极欧姆接触电极、P+掺杂层、P型衬底、P型外延层、P阱、N阱、N型保护环、P阱型欧姆接触环及第二阳极欧姆接触电极和阴极欧姆接触电极，所述P+掺杂层的掺杂浓度大于P型外延层的掺杂浓度。通过在作为光吸收层的P型外延层表面形成P+掺杂层，且其掺杂浓度相对于P型外延层的掺杂浓度来说较大，雪崩光电二极管辅助第二阳极欧姆接触电极实现对P型外延层的全耗尽，即通过P+掺杂层可调节P型外延层的全耗尽状态，使其可在较低电压下耗尽，即降低耗尽电压，从而减少扩散电流，提高器件的截止频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118671890A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310258944.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种非对称定向耦合器及制备方法，通过两个对称耦合直波导、两个具有不同宽度的相位控制直波导、四个锥形波导和四个弯曲波导构建非对称定向耦合器的主体结构，来自输出端的TE模式光源或TM模式光源进入波导后，在对称耦合直波导传播时，光将从一个波导耦合到另一个波导，在经过非对称的相位控制波导部分时，限制在每个波导中的光在没有耦合的情况下传播产生光波相移，之后再耦合，并最终从两个输出端输出，通过使用不对称波导可在两个对称的耦合直波导之间引入小的相移，以补偿对称耦合器的波长相关耦合比，本发明在解决偏振依赖性的基础上，可进一步构成宽带低损耗的非对称定向耦合器，且整体器件尺寸较小。
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公开(公告)号：CN118033818A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211425455.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化硅波导及其制备方法和半导体器件，氮化硅波导的制备方法包括：提供晶圆，晶圆包括相对的第一面及第二面，于晶圆的第一面形成隔离介质层；于隔离介质层及晶圆的第二面分别形成第一氮化硅层及第二氮化硅层；刻蚀第一氮化硅层，形成氮化硅波导，并进行退火处理；刻蚀第二氮化硅层，形成应力氮化硅波导，应力氮化硅波导与氮化硅波导位置相对，且形状大小尺寸完全相同，应力氮化硅波导用于使氮化硅波导达到应力平衡；于应力氮化硅波导间隙形成氧化硅层。本发明的制备方法通过在晶圆的第二面形成与晶圆第一面的氮化硅波导完全相同的应力氮化硅波导，来平衡氮化硅波导退火后的应力。
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公开(公告)号：CN116169023A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111404497.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种台阶金属结构及硅光子器件的制备方法，包括：1)在基底上形成台阶结构；2)于台阶结构上沉积隔离介质层；3)沉积金属层，顶面金属的厚度大于侧壁金属的厚度；4)于金属层上形成图形阻挡层；5)干法刻蚀显露的顶面金属的第二部分，使顶面金属的第二部分与侧壁金属的第二部分的厚度概呈相等；6)采用各项同性刻蚀工艺去除显露的顶面金属的第二部分和侧壁金属的第二部分。本发明采用金属干法刻蚀和各向同性刻蚀工艺技术组合，通过进一步调整金属干法刻蚀和各向同性刻蚀的刻蚀厚度比例，可以使台阶结构顶面的断面位置的金属层横向腐蚀更小，金属层的横向腐蚀尺寸更可控。
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公开(公告)号：CN111290077B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201811484632.4
申请日：2018-12-06
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种双层隔离层的SOI衬底，所述SOI衬底包括：衬底硅层；第一隔离层，位于所述衬底硅层之上，所述第一隔离层具有第一折射率；第二隔离层，位于所述第一隔离层之上，所述第二隔离层具有第二折射率；以及顶层硅层，位于所述第二隔离层之上；其中，所述第一折射率小于所述第二折射率。本发明的SOI衬底可用于制作硅光子器件，如在所有硅光子器件中都需要使用波导与光纤相互耦合的模斑转换器，可以使得模斑转换器具有低耦合损耗、大波长带宽、偏振不敏感、耦合容差大、便于与光纤封装等优点，在光通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN112103275B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910461928.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0203 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种硅光模块的封装方法及硅光模块，其优点在于，该封装方法是晶圆级扇出形封装的方法，其能够提高带宽、提高集成度、改善散热、降低功耗、降低封装成本；同时该封装方法还形成了用于光纤插入的凹口，其使得光纤能够与硅光模块进行光纤耦合。本发明封装方法在提供了良好的封装工艺的同时还保证光纤能够与硅光模块耦合。
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