公开(公告)号：CN119108451A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202310682739.4

申请日：2023-06-09

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 胡立磊 ,  张力 ,  黄斌冰 ,  汪巍 ,  李宏 ,  李嘉彦

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0288

Abstract: 本发明提供一种基于两次外延的雪崩光电二极管及其制备方法，通过两次外延工艺实现所有P型离子及N型离子的注入均通过表面离子注入的形式实现，不需要较深离子注入需求，避免高能离子注入机的使用，降低制备难度、减小制造成本；另外，采用该制备方法制备的雪崩光电二极管，通过在第一P型外延层表面形成P+掺杂层，且其掺杂浓度相对于第一P型外延层的掺杂浓度来说较大，可以调节雪崩光电二极管内部的电场分布，辅助第二阳极欧姆接触电极实现对第一P型外延层及第二P型外延层的全耗尽，即通过P+掺杂层可调节第一、第二P型外延层的全耗尽状态，使其可在较低电压下耗尽，即降低耗尽电压，从而减少扩散电流，提高器件截止频率。

公开(公告)号：CN119108442A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202310684520.8

申请日：2023-06-09

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 胡立磊 ,  黄斌冰 ,  张力 ,  李宏 ,  汪巍 ,  李嘉彦

IPC: H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144 ,  G01S17/08 ,  G01S7/481

Abstract: 本发明提供一种雪崩光电二极管及其制备方法、雪崩光电二极管阵列及其测距仪，该雪崩光电二极管包括：第一阳极欧姆接触电极、P+掺杂层、P型衬底、P型外延层、P阱、N阱、N型保护环、P阱型欧姆接触环及第二阳极欧姆接触电极和阴极欧姆接触电极，所述P+掺杂层的掺杂浓度大于P型外延层的掺杂浓度。通过在作为光吸收层的P型外延层表面形成P+掺杂层，且其掺杂浓度相对于P型外延层的掺杂浓度来说较大，雪崩光电二极管辅助第二阳极欧姆接触电极实现对P型外延层的全耗尽，即通过P+掺杂层可调节P型外延层的全耗尽状态，使其可在较低电压下耗尽，即降低耗尽电压，从而减少扩散电流，提高器件的截止频率。

公开(公告)号：CN116960137A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202210412750.4

申请日：2022-04-19

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 ,  上海精测半导体技术有限公司

Inventor： 胡立磊 ,  张力 ,  罗浒 ,  任嘉莹 ,  张旭 ,  陈昌 ,  黄斌冰

IPC: H01L27/146 ,  G01N23/2251 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明提供一种垂直型原位放大电子探测器及电子探测装置，电子探测器包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；底部掺杂区，形成于第一半导体层的第二面的表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面上；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第二面的表层；第二掺杂区，设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。