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公开(公告)号：CN101477987A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910045084.X
申请日：2009-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示一种三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法。电阻转换存储器包括基底、若干第一布线、若干第二布线、若干存储单元阵列。多个平行设置的第一布线设置于基底上；多个相互平行的第二布线设置于基底上、与第一布线绝缘分离、并与第一布线交叉配置；呈矩阵排列的存储单元阵列层叠设置于基底上，上下相邻的两个存储单元阵列之间、存储单元阵列与基底之间至少设置第一布线、第二布线中的一个；存储单元阵列包括电阻转换存储单元、多晶半导体肖特基二极管。本方法可形成高质量的金属－半导体接触，成本较低，有望在三维高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
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公开(公告)号：CN101388401A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810201901.1
申请日：2008-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法，包括基底、设置在基底上的第一导电类型半导体、设置在半导体上的具有电阻转换能力的存储单元以及设置在电阻转换存储单元上的电极；所述第一导电类型半导体与存储单元相邻的表面具有第二导电类型掺杂，所述第二导电类型掺杂与未被掺杂的第一导电类型半导体构成驱动二极管结构，进而对上方的存储单元进行选通和驱动。本发明通过扩散工艺使存储器材料扩散到半导体中形成二极管结构，从而大幅度提高存储器的存储密度，而且本发明的工艺简便，成本低，能够增强二极管驱动电阻转换存储器单元的市场竞争能力。
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公开(公告)号：CN1314974C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410053566.7
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50-200nm，间距2-5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩膜板，沉积上电极。于是薄膜就被掩膜板分成很多小单元，而每个单元大小差不多，引线，简单封装，每个单元内的小器件处于并联状态，然后测试每个单元的性能。此外，可以通过改变掩模板的大小，把上电极做成各种尺寸，画出一次函数关系，通过外延法得出截距，从而得到纳米器件的本征性能。本发明解决了纳米器件测量引线难的问题。由于这些小器件是并联的，不会增加工作电压，准确的反映出器件本身的性能。
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公开(公告)号：CN1845339A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610024614.9
申请日：2006-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明是一种相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法。其特征在于用相变材料替代场效应晶体管中的半导体材料硅，利用相变材料的电致相变特性和半导体特性，同时在一个器件中实现场效应晶体管特性和存储功能。同时，本发明还包括该种新型器件的制作方法：直接利用氧化硅片作为衬底(栅极)/绝缘层的结构，再在该衬底上方制备源、漏电极，通过剥离沉积的相变材料薄膜形成简单的相变薄膜场效应晶体管单元器件。该方法制备工艺极其简单，成本低廉，有利于提高生产效率，降低成本，从而推动相变薄膜场效应晶体管的实际应用。
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公开(公告)号：CN1588106A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053566.7
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50－200nm，间距2－5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩膜板，沉积上电极。于是薄膜就被掩膜板分成很多小单元，而每个单元大小差不多，引线，简单封装，每个单元内的小器件处于并联状态，然后测试每个单元的性能。此外，可以通过改变掩模板的大小，把上电极做成各种尺寸，画出一次函数关系，通过外延法得出截距，从而得到纳米器件的本征性能。本发明解决了纳米器件测量引线难的问题。由于这些小器件是并联的，不会增加工作电压，准确的反映出器件本身的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1554987A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310122870.8
申请日：2003-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备最小尺寸可达纳米量级的图形的印刻法制备工艺，属于微电子领域。其特征在于先制备出“印”，“印”上刻有所需的凸起或凹进的图形。接着利用得到的印压在较为柔软的材料上，印上突起的部分就在该材料上印刻出了所需的图形。如印凹进则相反。目前微电子工业中制备纳米图形主要采用Spacer技术。Spacer技术的工艺比较复杂，需要经过很多流程而且不易控制；而电子束曝光成本较高，不适合于大批量生产。而本发明提出的印刻方法成本低廉，只要制备出一个印，就能印刻出相同条件的很多样品，有很高的可重复性。
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公开(公告)号：CN102593350B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110020727.2
申请日：2011-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元除半导体衬底、第一电极层、相变材料层、第二电极层和引出电极之外，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述相变材料层的阻值的十倍及以上，可以避免相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的现象，提高相变存储单元的存储性能和成品率。
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公开(公告)号：CN102148329B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110026033.X
申请日：2011-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN102122636B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010579606.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体晶圆与包含电阻转换材料和选通管层材料的第二半导体晶圆进行键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，同时实现低温电阻转换材料转移，即将具有电阻转换材料和选通管层材料的薄膜转移到第一半导体晶圆上，随后在第一半导体晶圆结构上通过半导体工艺，制备存储和选通单元。
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公开(公告)号：CN101984512B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010275460.7
申请日：2010-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种复合相变存储材料及其制备方法，所述复合相变存储材料由氮化物和相变材料复合而成，该复合相变存储材料能够在外部的能量作用下实现可逆的相变和可逆的电阻值转换；在所述复合相变存储材料内，氮化物和相变材料互相分散，使材料内存在两个以上的相。本发明提出的氮化物复合相变存储材料是由氮化物与相变材料复合而成，通过互不相溶的分散作用，氮化物的引入能够限制相变材料晶粒的生长，提高了材料的结晶温度，提升了数据保持能力。由于氮化物较高的电阻率和较好的绝热性，材料的加热效率显著提升，而热扩散比例显著减少，提高了器件工作的效率，从而降低了功耗。
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