公开(公告)号：CN103560205B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201310539734.2

申请日：2013-11-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李俊焘 ,  刘波 ,  宋志棠 ,  冯高明 ,  朱南飞 ,  任佳栋 ,  徐佳

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在图形表面形成一层电介质并采用光刻与刻蚀技术定义出电介质图形，使电介质在上电极表面悬出；在上述结构表面包覆一层电介质，同时形成中空结构；再次沉积一层电介质封盖上述的中空结构从而形成空气间隔；本发明的空气间隔，一方面增大相变单元间的热阻，减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。

公开(公告)号：CN102148329A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110026033.X

申请日：2011-01-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张挺 ,  朱南飞 ,  宋志棠 ,  刘波 ,  吴关平 ,  张超 ,  谢志峰 ,  封松林

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。

公开(公告)号：CN103560205A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310539734.2

申请日：2013-11-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李俊焘 ,  刘波 ,  宋志棠 ,  冯高明 ,  朱南飞 ,  任佳栋 ,  徐佳

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在图形表面形成一层电介质并采用光刻与刻蚀技术定义出电介质图形，使电介质在上电极表面悬出；在上述结构表面包覆一层电介质，同时形成中空结构；再次沉积一层电介质封盖上述的中空结构从而形成空气间隔；本发明的空气间隔，一方面增大相变单元间的热阻，减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。

公开(公告)号：CN102148329B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110026033.X

申请日：2011-01-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张挺 ,  朱南飞 ,  宋志棠 ,  刘波 ,  吴关平 ,  张超 ,  谢志峰 ,  封松林

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。