公开(公告)号：CN103560205A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310539734.2

申请日：2013-11-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李俊焘 ,  刘波 ,  宋志棠 ,  冯高明 ,  朱南飞 ,  任佳栋 ,  徐佳

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在图形表面形成一层电介质并采用光刻与刻蚀技术定义出电介质图形，使电介质在上电极表面悬出；在上述结构表面包覆一层电介质，同时形成中空结构；再次沉积一层电介质封盖上述的中空结构从而形成空气间隔；本发明的空气间隔，一方面增大相变单元间的热阻，减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。

公开(公告)号：CN103560205B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201310539734.2

申请日：2013-11-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李俊焘 ,  刘波 ,  宋志棠 ,  冯高明 ,  朱南飞 ,  任佳栋 ,  徐佳

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在图形表面形成一层电介质并采用光刻与刻蚀技术定义出电介质图形，使电介质在上电极表面悬出；在上述结构表面包覆一层电介质，同时形成中空结构；再次沉积一层电介质封盖上述的中空结构从而形成空气间隔；本发明的空气间隔，一方面增大相变单元间的热阻，减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。

公开(公告)号：CN103158057B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201310072068.6

申请日：2013-03-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 何敖东 ,  宋志棠 ,  刘波 ,  刘卫丽 ,  吴关平 ,  王良咏 ,  李俊焘 ,  俞磊 ,  闫未霞

IPC: B24B37/013

Abstract: 本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，提高器件的良率。

公开(公告)号：CN103094476B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310018505.6

申请日：2013-01-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 李俊焘 ,  刘波 ,  宋志棠 ,  冯高明 ,  吴关平

IPC: H01L45/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/12

Abstract: 本发明提供一种相变合金材料的无损刻蚀方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在该半导体衬底上形成相变合金材料层；在所述相变合金材料层的上表面形成刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层，以使预设部分的相变合金材料层的表面暴露出来；使暴露出来的相变合金材料层的表面浸没于含有溴化氢与氦气的刻蚀气体中；将所述刻蚀气体激发成等离子体以刻蚀暴露出来的相变合金材料层至所述半导体衬底上。本发明的优点在于，采用了溴化氢的刻蚀气体，可以减少刻蚀过程中的侧向腐蚀，氦气作为惰性气体，可以避免引入氧气或氮气而导致的材料表面性能改变，从而获得清洁、平整、陡直且无侧壁损伤的相变合金材料图形。

公开(公告)号：CN103158057A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310072068.6

申请日：2013-03-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 何敖东 ,  宋志棠 ,  刘波 ,  刘卫丽 ,  吴关平 ,  王良咏 ,  李俊焘 ,  俞磊 ,  闫未霞

IPC: B24B37/013

Abstract: 本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，提高器件的良率。

公开(公告)号：CN103094476A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310018505.6

申请日：2013-01-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 李俊焘 ,  刘波 ,  宋志棠 ,  冯高明 ,  吴关平

IPC: H01L45/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/12

Abstract: 本发明提供一种相变合金材料的无损刻蚀方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在该半导体衬底上形成相变合金材料层；在所述相变合金材料层的上表面形成刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层，以使预设部分的相变合金材料层的表面暴露出来；使暴露出来的相变合金材料层的表面浸没于含有溴化氢与氦气的刻蚀气体中；将所述刻蚀气体激发成等离子体以刻蚀暴露出来的相变合金材料层至所述半导体衬底上。本发明的优点在于，采用了溴化氢的刻蚀气体，可以减少刻蚀过程中的侧向腐蚀，氦气作为惰性气体，可以避免引入氧气或氮气而导致的材料表面性能改变，从而获得清洁、平整、陡直且无侧壁损伤的相变合金材料图形。