公开(公告)号：CN104517913A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410409776.9

申请日：2014-08-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉松直树 ,  新饲雅芳 ,  鹿野武敏 ,  村田大辅 ,  木本信义 ,  井本裕儿 ,  石原三纪夫

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K1/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13055 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/06 ,  H05K3/20 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/2072 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/1184 ,  H05K2203/1316 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：陶瓷衬底(1)；多个电路图案(1a)，其配置在陶瓷衬底(1)表面；半导体元件(2)，其配置在至少1个电路图案(1a)的表面；以及封装树脂(4)，其封装陶瓷衬底(1)、多个电路图案(1a)以及半导体元件(2)，在相邻的电路图案(1a)的相对的侧面形成欠切部(1aa)，在欠切部(1aa)中，电路图案(1a)的表面的端部(11)与电路图案(1a)的和陶瓷衬底(1)接触的面的端部(12)相比，向该电路图案(1a)的外侧突出，在欠切部(1aa)中也填充封装树脂(4)。

公开(公告)号：CN110880488B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201910815062.0

申请日：2019-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥秀俊 ,  吉田博 ,  村田大辅 ,  北林拓也

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明涉及半导体装置及电力转换装置，目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。该半导体装置具备：多个半导体芯片；中继基板，其设置于多个半导体芯片之上；第1外部电极；以及第2外部电极，中继基板具备：绝缘板，其形成有贯穿孔；下部导体，其设置于绝缘板的下表面，具有与多个半导体芯片的任意者连接的第1下部导体及第2下部导体；上部导体，其设置于绝缘板的上表面；连接部，其设置于贯穿孔，连接第2下部导体和上部导体；以及凸出部，其为第1下部导体及上部导体中的一者的一部分，从绝缘板向外侧凸出，凸出部与第1外部电极连接，第1下部导体及上部导体中的另一者与第2外部电极连接，俯视观察时容纳于绝缘板的内侧。

公开(公告)号：CN114762093A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080083528.3

申请日：2020-12-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川添智香 ,  藤野纯司 ,  北川达哉 ,  村田大辅 ,  梶勇辅

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 在陶瓷基板(5)搭载半导体元件(19)。将搭载了半导体元件(19)的陶瓷基板(5)收容在壳体(13)内。使硅烷偶联剂的溶液流入壳体(13)内。除去壳体(13)内的溶液。对在使溶液流入壳体(13)内的工序中附着于半导体元件(19)等的溶液施加处理，从而在半导体元件(19)等的表面形成底涂剂层(35)。通过在壳体(13)内填充密封材料(37)，对形成有底涂剂层(35)的半导体元件(19)等进行密封。

公开(公告)号：CN111446230A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010027903.4

申请日：2020-01-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北林拓也 ,  吉田博 ,  石桥秀俊 ,  村田大辅

IPC: H01L23/62

Abstract: 提供用于在半导体装置中以较短时间发挥熔断器功能的技术。半导体装置具有：绝缘基板(2)的上表面处的第2接合材料(6c)；半导体元件(1)的上表面处的第3接合材料(6b)；通孔(100)，其从第1电路图案(3b)起经由芯材(3c)而到达至第2电路图案(3a)；通孔的内壁处的导电性膜(4)；以及隔热材料(5)，其在通孔的内部，在俯视观察时被导电性膜包围，导电性膜使第1电路图案与第2电路图案导通。

公开(公告)号：CN108538825A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810175418.4

申请日：2018-03-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村田大辅 ,  吉田博 ,  石桥秀俊

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

Abstract: 一种功率模块。防止流过铜块的电流的大小产生波动。具备：中继基板，其在表面和背面分别具有第1导体层和第2导体层；铜块，其插入至在中继基板的厚度方向贯穿的孔，将第1导体层和第2导体层导通；半导体元件，其在与铜块的端面相对的位置具有主电极，一个主电极仅与一个铜块电连接；绝缘基板，其经由接合材料接合于半导体元件的背面；以及封装材料，其对中继基板、铜块、及半导体元件进行封装。

公开(公告)号：CN108496249A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201680079904.5

申请日：2016-01-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田博 ,  井本裕儿 ,  石桥秀俊 ,  村田大辅 ,  中原贤太 ,  冈诚次 ,  藤野纯司 ,  浅地伸洋

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 具有：基板；多个半导体芯片，它们固定于该基板；绝缘板，其形成有贯穿孔；第1下部导体，其具有下部主体和下部凸出部，该下部主体形成于该绝缘板的下表面，与该多个半导体芯片中的任意者焊接，该下部凸出部与该下部主体相连，在俯视观察时该下部凸出部延伸至该绝缘板之外；第2下部导体，其形成于该绝缘板的下表面，与该多个半导体芯片中的任意者焊接；上部导体，其具有上部主体和上部凸出部，该上部主体形成于该绝缘板的上表面，该上部凸出部与该上部主体相连，在俯视观察时该上部凸出部延伸至该绝缘板之外；连接部，其设置于该贯穿孔，将该上部主体和该第2下部导体连接；第1外部电极，其与该下部凸出部连接；以及第2外部电极，其与该上部凸出部连接。

公开(公告)号：CN108369933A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680071859.9

申请日：2016-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  铃木裕一郎 ,  小川翔平 ,  井本裕儿 ,  村田大辅

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225

Abstract: 一种半导体装置(100)，具备板状电极(61)及半导体元件(21、22)，并具有将半导体元件中的表面电极与板状电极利用接合材料(32)进行接合的接合部(32A)，其中，板状电极在与半导体元件相对的相对面(614)上，具有将接合部包围且对上述接合材料具有耐热性的框状构件(52)。