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公开(公告)号：CN111944320A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411761.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H-NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN105492540A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480048288.8
申请日：2014-05-28
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C08G77/08 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/20 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/06 , H01L51/5256
Abstract: 本发明涉及一种用于密封有机发光二极管的组合物，包含：(A)含有不饱和基团的有机聚硅氧烷；(B)含有化学式1的不饱和基团和环氧基的有机聚硅氧烷；(C)含有Si-H基团的有机硅酮化合物；和(D)化学式15的铂催化剂，并且涉及使用其制造的有机发光二极管显示装置。
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公开(公告)号：CN104626685A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410642232.7
申请日：2014-11-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C08J7/047 , B05D3/0254 , B05D3/107 , B05D7/02 , C08J7/042 , C08J7/14 , C08J2369/00 , C08J2433/00 , C08J2463/00 , C08J2475/04 , C08J2477/00 , C08J2483/04 , Y10T428/265 , Y10T428/266 , Y10T428/31507
Abstract: 本发明涉及聚碳酸酯玻璃(glazing)及其制备方法，该聚碳酸酯玻璃包括聚碳酸酯基板和在基板的一个表面上形成的硅酮硬涂层，其中，聚碳酸酯玻璃具有使用Taber磨损仪在CS-10F磨损轮和500g负载的条件下，在500次循环测试之后根据ASTM D1003测量的，在磨损前后之间的4.5或更小的浊度差(ΔHaze)，并且具有40°至60°的水接触角。根据本发明的聚碳酸酯玻璃可以表现出优异的耐磨损性和透明度。
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公开(公告)号：CN115703943B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115703943A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
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公开(公告)号：CN112409824B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010771243.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L21/316
Abstract: 提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子器件，组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器，在40℃下使其静置28天，且获得由组成物产生的1毫升的气体时，1毫升的气体包含氢气、硅烷气体SiH4以及氨气，且氢气、硅烷气体SiH4以及氨气满足等式1：[等式1](氢气量(ppm))/(硅烷气体SiH4的量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5本申请能使二氧化硅层内部的空隙的数目最小。
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公开(公告)号：CN113528014A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110406105.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物，一种使用所述组成物的二氧化硅层以及包括所述二氧化硅层的电子装置。所述组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物具有约8,000克/摩尔到约15,000克/摩尔的重量平均分子量(Mw)，且由凯氏(kjeldahl)滴定法测量的含硅聚合物的氮含量按含硅聚合物的总重量计是约25重量％到约30重量％。
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公开(公告)号：CN115572540B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210699991.1
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62 , C04B41/65
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。
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公开(公告)号：CN115572540A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210699991.1
申请日：2022-06-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62 , C04B41/65
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物，组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中由关系式1计算的折射率(RI)减少率小于或等于3％；由组合物制造的二氧化硅层；以及包含二氧化硅层的电子装置。在关系式1中，RI100：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在100℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率，且RI250：通过将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在8英寸裸晶片上至7200埃厚度，且在250℃温度下烘烤3分钟，在633纳米波长处测量的折射率。折射率(RI)减少率(％)＝{(RI100‑RI250)/RI100}*100。
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