公开(公告)号：CN103794648A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310063205.X

申请日：2013-02-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  宋寅赫 ,  徐东秀 ,  金洸洙 ,  严基宙

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：在N-型AlGaN层的一边上形成的源电极；在P-型AlGaN层的另一边上形成并且以垂直于源电极的方向形成的N-型和P-型AlGaN层；在N-型和P-型AlGaN层的一边上形成的门电极；以及在N-型和P-型AlGaN层的另一边上形成的漏电极。本发明提供的半导体装置能够增加操作的可靠性。

公开(公告)号：CN103794604A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310533320.9

申请日：2013-10-31

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金洸洙 ,  梁时重 ,  徐范锡 ,  郭煐熏 ,  J·河

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L23/043 ,  H01L23/049 ,  H01L23/14 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种一体式功率半导体模块，包括多个形成于基片上的第一半导体元件；壳体，所述壳体塑造形成并包括跨过所述多个第一半导体元件的上部的桥；以及多个引导件，所述多个引导件整体地形成于所述壳体上并电连接所述多个第一半导体元件以及所述基片。根据本发明，可通过增加半导体元件的连接区域和连接力来改善可靠性，此外，还可以通过根据半导体元件的安装与高度调节台阶差以提高工艺性并且降低不合格率。此外，省略连接线工序以减少加工时间。

公开(公告)号：CN103165549A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210070873.0

申请日：2012-03-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 郭煐熏 ,  金洸洙 ,  李荣基

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00

Abstract: 此处公开了一种半导体封装。该半导体封装包括半导体模块、第一散热单元、第二散热单元和壳体。所述半导体模块包括半导体装置。所述第一散热单元设置在所述半导体模块的下面。所述第一散热单元包括至少一个第一管道，第一冷却水流经该第一管道。第一旋转体可旋转地设置在所述第一管道中。所述第二散热单元设置在所述半导体模块的上面。所述第二散热单元包括至少一个第二管道，第二冷却水流经该第二管道。第二旋转体可旋转地设置在所述第二管道中。所述壳体设置在所述半导体模块、所述第一散热单元和所述第二散热单元的相对侧，并且所述壳体支撑所述半导体模块、所述第一散热单元和所述第二散热单元。

公开(公告)号：CN103035584A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210376905.X

申请日：2012-09-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金洸洙 ,  李荣基 ,  朴成根 ,  崔硕文

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/142 ,  H01L21/565 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了一种功率模块封装及制造该功率模块封装的方法，该功率模块封装包括：基板，其具有台阶部和非台阶部；功率电路单元，电连接至设置在台阶部中的电路布线；控制电路单元，电连接至设置在非台阶部中的电路布线；以及模制单元，在露出非台阶部的电路布线的同时模制在基板上以密封功率电路单元。根据本发明，可提高功率模块封装的热特性、实现功率电路单元和控制电路单元之间的高可靠性、提高功率模块封装的设计自由性、以及实现产品的小型化。

公开(公告)号：CN102438396A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110021104.7

申请日：2011-01-13

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 姜贞恩 ,  金洸洙 ,  崔硕文 ,  朴成根 ,  林昶贤

IPC: H05K1/11 ,  H05K3/42

CPC classification number: H05K1/053 ,  H05K3/445 ,  Y10T29/49147

Abstract: 在此公开了一种阳极氧化散热基板。由于阳极氧化层在金属层的整个表面上形成，因此所述阳极氧化散热基板的优点在于具有良好的散热特性。并且，由于通过利用所述连接部件形成了多层结构，因此所述阳极氧化散热基板的优点在于具有高密度或高堆积的特征。

公开(公告)号：CN104009081B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201310224034.4

申请日：2013-06-06

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴在勋 ,  宋寅赫 ,  徐东秀 ,  金洸洙 ,  严基宙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L27/0817 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66954 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/768 ,  H01L29/78 ,  H01L31/111 ,  H01L31/1113 ,  H01L51/0512

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电型漂移层；形成在漂移层上的第二导电型主体层；形成在漂移层下方的第二导电型集电极层；通过穿透主体层及一部分漂移层而形成的第一栅；形成在主体层中并形成为与第一栅间隔开的第一导电型发射极层；遮盖主体层及发射极层的上部并在第一栅上形成为扁平型栅的第二栅；以及形成在具有主体层、发射极层及漂移层的第一和第二栅的接触表面之间的偏析阻止层。本发明还提供了制造该功率半导体器件的方法。本发明提供的功率半导体器件防止了栅传导电压Vth的不稳定性，因此防止了集电极电流的波纹现象，由此提高功率半导体器件的稳定性。

公开(公告)号：CN104066290B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310247131.5

申请日：2013-06-20

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 洪昌燮 ,  郭煐熏 ,  金洸洙 ,  徐范锡

IPC: H05K5/02 ,  H05K7/20 ,  H05K7/14

CPC classification number: H05K7/209 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/4338 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种外壳及具有该外壳的电源模块，该外壳能够均匀地分布在外壳装配时产生的压力。根据本发明的实施例的用于电源模块的外壳包括：主体部分，在主体部分中形成有空间，所述空间容纳模块基板，在模块基板上安装了电子器件；多个紧固部分，从主体部分的侧部突出；紧固构件，具有片簧的形式，紧固构件的两端分别结合到所述多个紧固部分中的两个紧固部分，其中，紧固构件包括：结合部分，结合到固定构件；弹性部分，从结合部分的两个边缘延伸以结合到紧固部分，当结合部分紧固到热辐射基板时，弹性部分弹性地变形以给紧固部分提供弹性力。

公开(公告)号：CN103795235B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310031120.3

申请日：2013-01-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 郑仁和 ,  徐范锡 ,  金洸洙 ,  严基宙

IPC: H02M1/42 ,  H02M3/155

CPC classification number: G05F1/70

Abstract: 本发明提供了一种功率因数校正电路及包括该电路的电源装置，该功率因数校正电路包括：主开关单元，包括第一主开关和第二主开关；辅助开关单元包括第一辅助开关和第二辅助开关；电感单元，位于施加输入功率的输入功率端和主开关单元之间，并根据主开关单元的开关操作储电或放电；以及辅助电感，调整在辅助开关单元执行开关操作时辅助开关单元中流动的电流量。

公开(公告)号：CN105448874A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510550173.5

申请日：2015-09-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李荣基 ,  金洸洙

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/73253

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装件及利用该封装件的半导体封装件模块。根据本发明的一个实施例的半导体封装件包括：第一元件，下部形成有栅电极和发射电极，上部形成有集电极；第二元件，下部形成有正极，上部形成有负极；第一焊盘，形成于第一元件的下部，上表面电连接于栅电极；第二焊盘，形成于第一元件和第二元件的下部，上表面同时电连接于发射电极和正极；第三焊盘，形成于第一元件和第二元件的上部，下表面同时电连接于集电极和负极。

公开(公告)号：CN104810333A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410276530.9

申请日：2014-06-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金洸洙 ,  蔡埈锡 ,  洪昌燮 ,  郭煐熏 ,  李荣基

IPC: H01L23/34

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 在此公开一种功率半导体模块。功率半导体模块包括：印制电路板；第一散热器和第二散热器，该第一散热器和第二散热器安装在所述印制电路板上，并且每个散热器的一个表面上设置有端子槽；功率器件，该功率器件安装在第一散热器上且彼此并联连接，并且电连接于至第二散热器；以及第一端子和第二端子，第一端子和第二端子设置有插入到端子槽中的突出部，并设置有用于连接外部端子的连接端子。因此，能够改善功率半导体模块的散热特性，改善与端子连接相关的可靠性问题，例如锡裂或脱层。