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公开(公告)号：CN120021351A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411021144.5
申请日：2024-07-29
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种印刷电路板以及制造该印刷电路板的方法。所述印刷电路板包括：绝缘层；通孔，包括第一区域和第二区域，所述第一区域从所述绝缘层的上表面穿透所述绝缘层的一部分，所述第二区域从所述绝缘层的下表面穿透所述绝缘层的另一部分；以及金属过孔，包括第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层设置在所述第一区域的一部分中，所述第二金属层设置在所述第一金属层的上方并且设置在所述第一区域的另一部分中，所述第三金属层设置在所述第一金属层的下方并且设置在所述第二区域中。所述第一金属层的上表面位于所述绝缘层的所述上表面的下方。
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公开(公告)号：CN103532349B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210365744.4
申请日：2012-09-27
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M7/48 , H01L23/488
CPC classification number: H03K17/6871 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K2217/0081 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供了用于电感负载的栅极驱动器电路和逆变器模块，以及逆变器设备。该栅极驱动器电路包括：高侧驱动器，具有第一输出侧以及第一控制侧，并且产生高侧栅极信号；以及低侧驱动器，产生低侧栅极信号，其中，该高侧驱动器包括：形成在第一输出侧上的第一VS焊盘；形成在第一输出侧上的第一输出焊盘；形成在第一控制侧上的第一VB焊盘；以及第二VS焊盘，形成在第一控制侧上相邻于第一VB焊盘并且电连接至第一VS焊盘；以及第一电路单元，连接至多个焊盘，并且通过第一输出焊盘提供高侧栅极信号。
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公开(公告)号：CN103872116A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310148587.6
申请日：2013-04-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/1095 , H01L29/41741
Abstract: 本发明在此公开一种功率半导体设备，该功率半导体设备包括：漂移层，该漂移层形成在半导体衬底的第一表面上；第一导电类型的井层，该第一导电类型的井层形成在漂移层上；沟槽，该沟槽被形成以在厚度方向上通过井层到达漂移层；第一电极，该第一电极形成在沟槽内；第二导电类型的第二电极区，该第二导电类型的第二电极区形成在井层上，包括在垂直方向上与沟槽接触的第一区和在平行方向上与沟槽分隔开且与第一区垂直的第二区；第一导电类型的第二电极区，该第一导电类型的第二电极区被形成以与第二导电类型的第二电极区的侧表面接触；以及第二电极，该第二电极形成在井层上并且电连接至第二导电类型的第二电极区和第一导电类型的第二电极区。
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公开(公告)号：CN103839986A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310042628.3
申请日：2013-02-01
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/1095
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一半导体区域一个表面上的第二导电类型的第二半导体区域；在长度方向上连续形成在所述第二半导体区域的一个表面上的所述第一导电类型的第三半导体区域；形成在所述第三半导体区域之间、延伸到所述第二半导体区域内部、以及在长度方向上连续的多个沟槽；形成在所述第三半导体区域的一个表面上的所述第二导电类型的第四半导体区域，形成在所述沟槽内的绝缘层；埋入所述绝缘层内的栅电极；以及形成在所述第二半导体区域内与所述第三半导体区域对应的位置的至少一个位置的阻挡层。
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公开(公告)号：CN103872117A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310538284.5
申请日：2013-11-04
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0653 , H01L29/42368 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/7396
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，形成在所述半导体基板下的集电极层，形成在所述半导体基板上的基层，形成在所述基层上的发射极层，垂直地贯穿所述基层和所述发射极层的一个或多个沟槽型势垒，形成在所述沟槽型势垒和所述发射极层上的第一栅极绝缘层，使得所述发射极层的上部部分暴露，形成在所述第一栅极绝缘层上的栅极，形成的用来覆盖所述栅极的第二栅极绝缘层，以及形成在通过所述第一栅极绝缘层暴露出的所述发射极层的上部上的发射极金属层。
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公开(公告)号：CN103794654A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310058798.0
申请日：2013-02-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板；形成在所述基板上的第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层；形成在所述第二氮化物半导体层的一边上的阴极电极；具有一端和另一端的阳极电极，所述一端嵌在所述第二氮化物半导体层的另一边上达到预定深度，以及所述另一端与所述阴极电极间隔开并且形成延伸到所述阴极电极的上部；以及在所述阳极电极和所述阴极电极之间的所述第二氮化物半导体层上形成以覆盖所述阴极电极的绝缘膜。本发明提供的半导体装置能够通过额外形成电流传输路径增加电流传输量。
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公开(公告)号：CN103794648A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310063205.X
申请日：2013-02-28
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0634 , H01L29/2003 , H01L29/66446 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：在N-型AlGaN层的一边上形成的源电极；在P-型AlGaN层的另一边上形成并且以垂直于源电极的方向形成的N-型和P-型AlGaN层；在N-型和P-型AlGaN层的一边上形成的门电极；以及在N-型和P-型AlGaN层的另一边上形成的漏电极。本发明提供的半导体装置能够增加操作的可靠性。
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公开(公告)号：CN103001483A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110452346.1
申请日：2011-12-29
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M2001/0058 , H02P27/06 , Y02B70/126 , Y02B70/1491
Abstract: 本发明提供了一种功率因数校正电路及具有其的电源装置和电机驱动装置，能够在执行用于功率因数校正的切换之前将额外功率传输到地，从而减小在功率因数校正的切换过程中所产生的切换损失。该功率因数校正电路包括：主开关，切换输入功率以调整输入功率的电流与电压之间的相位差；以及辅助开关，在主开关接通之前被接通，以形成用于主开关的额外功率的传输路径。
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公开(公告)号：CN111225495B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201911004088.3
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种印刷电路板以及印刷电路板的制造方法，所述印刷电路板包括：第一绝缘层；以及热辐射电路图案，设置在所述第一绝缘层的第一表面上并且具有焊盘和过孔。所述热辐射电路图案包括：第一金属层，设置在所述第一绝缘层上；石墨层，设置在所述第一金属层上；以及第二金属层，设置在所述石墨层上。
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