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公开(公告)号：CN117594600A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310550260.5
申请日：2023-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括NMOSFET区和PMOSFET区；分别位于NMOSFET区和PMOSFET区上的第一沟道图案和第二沟道图案，其各自包括彼此间隔开并且竖直地堆叠的相应的半导体图案；位于NMOSFET区和PMOSFET区上并且分别连接到第一沟道图案和第二沟道图案的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案；以及栅电极，其位于第一沟道图案和第二沟道图案上。栅电极包括在第一沟道图案的相邻半导体图案之间的第一内电极和在第二沟道图案的相邻半导体图案之间的第二内电极。第一内电极的顶表面比第二内电极的顶表面更凸出。
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公开(公告)号：CN104681408B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201410685562.4
申请日：2014-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/0206 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/32053 , H01L21/76224 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/34 , H01L29/45 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在基板中形成多个第一凹进区，该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区，该突出的有源区具有上表面和侧壁；在多个第一凹进区中形成器件隔离膜，该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面；以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理，其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。
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公开(公告)号：CN104681408A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410685562.4
申请日：2014-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/0206 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/32053 , H01L21/76224 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/34 , H01L29/45 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在基板中形成多个第一凹进区，该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区，该突出的有源区具有上表面和侧壁；在多个第一凹进区中形成器件隔离膜，该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面；以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理，其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。
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公开(公告)号：CN119967859A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410844298.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；有源图案，在基底上在第一水平方向上延伸；多个纳米片，在有源图案上堆叠为在竖直方向上彼此间隔开；栅电极，在有源图案上在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，栅电极围绕所述多个纳米片；源极/漏极区域，在栅电极的至少一侧上设置在有源图案上；第一内间隔件，在所述多个纳米片之间设置在源极/漏极区域与栅电极之间，第一内间隔件与源极/漏极区域接触；以及第二内间隔件，在所述多个纳米片之间设置第一内间隔件与栅电极之间，第二内间隔件包括与第一内间隔件的材料不同的材料，第二内间隔件的上表面和下表面中的每个与第一内间隔件接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119684351A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411326830.3
申请日：2024-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用所述抗蚀剂组合物的图案形成方法，所述有机金属化合物由式1‑1至1‑4之一表示，式1‑1至1‑4中的M11、Q11至Q14、b11至b14、R11至R14、Y11至Y13、和X11至X13如说明书中所描述的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113875245B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202080005988.4
申请日：2020-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李善英
IPC: H04N19/174 , H04N19/42 , G06T9/00
Abstract: 本发明提供一种影像译码装置执行的影像译码方法。一实施例的影像译码方法包括如下步骤：从位流获取显示当前NAL单元的类型的NAL单元类型信息；及对于所述NAL单元类型信息显示所述当前NAL单元的NAL单元类型为影像切片的编码数据的情况，基于当前图像是否适用混合NAL单元类型，而对所述影像切片进行译码。
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公开(公告)号：CN110386952B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910328418.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，R1‑R12和R19与在说明书中描述的相同。式1#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119922315A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510256885.X
申请日：2020-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李善英
IPC: H04N19/174 , H04N19/42
Abstract: 本发明提供一种影像译码装置执行的影像译码方法。一实施例的影像译码方法包括如下步骤：从位流获取显示当前NAL单元的类型的NAL单元类型信息；及对于所述NAL单元类型信息显示所述当前NAL单元的NAL单元类型为影像切片的编码数据的情况，基于当前图像是否适用混合NAL单元类型，而对所述影像切片进行译码。
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公开(公告)号：CN119584623A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410375132.6
申请日：2024-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括有源图案；沟道图案，包括第一半导体图案和第二半导体图案；源/漏图案，连接到第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，包括第一半导体图案与第二半导体图案之间的电极；以及绝缘层，在第一半导体图案和第二半导体图案与电极之间。绝缘层包括介电层和介电层上的间隔物，该介电层包围电极。间隔物包括：水平部分，在介电层与第二半导体图案之间；竖直部分，在介电层与源/漏图案之间；以及角部部分，将水平部分连接到竖直部分。水平部分的第一厚度小于竖直部分的第二厚度，并且第二厚度小于角部部分的第三厚度。
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