公开(公告)号：CN109830548A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201810538676.4

申请日：2018-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  G01S17/08

Abstract: 具有小形状尺寸并相对于可见光和红外线两者具有高探测效率的一种光电探测器可以包括第一电极、在第一电极上的收集层、在收集层上的隧道势垒层、在隧道势垒层上的石墨烯层、在石墨烯层上的发射层以及在发射层上的第二电极。该光电探测器可以被包括在图像传感器中。一种图像传感器可以包括基板、在基板上的绝缘层和在绝缘层上的多个光电探测器。光电探测器可以在平行于或垂直于绝缘层的顶表面延伸的方向上彼此对准。光电探测器可以被包括在LiDAR系统中。

公开(公告)号：CN115528172A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210384361.5

申请日：2022-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  金圣铉

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/13 ,  H01L27/06

Abstract: 提供了一种集成电路(IC)装置及其制造方法。所述IC装置包括：下电极，其包括第一金属；电介质膜，其位于下电极上；以及导电界面层，其位于下电极与电介质膜之间。导电界面层包括包含至少一种金属元素的金属氧化物膜。包括第二金属的上电极与下电极相对，且导电界面层和电介质膜位于上电极与下电极之间。为了制造IC装置，在衬底上，包括金属的电极与绝缘图案相邻形成。在电极的表面上选择性地形成包括包含至少一个金属元素的金属氧化物膜的导电界面层。电介质膜被形成为与导电界面层和绝缘图案接触。

公开(公告)号：CN113764417A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110262666.4

申请日：2021-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  金海龙 ,  金润洙 ,  文瑄敏 ,  宋政奎 ,  郑圭镐

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：导电柱，在半导体衬底上；第一支撑图案，所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接，所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的侧表面的第二部分的第一支撑孔；封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案，所述导电柱的侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。

公开(公告)号：CN105742358B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201510765524.4

申请日：2015-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  金海龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了电子器件及其制造方法。该电子器件包括2D材料层以及彼此间隔开的第一电极和第二电极。2D材料层连接第一电极和第二电极。2D材料层包括多个2D纳米材料。2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。

公开(公告)号：CN109037222A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810558824.9

申请日：2018-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  金海龙 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H01L27/11551

CPC classification number: H01L29/7887 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/54 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C13/025 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5612 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。

公开(公告)号：CN106065466A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610258537.7

申请日：2016-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: C23C16/30

Abstract: 提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种，和由式2表示的硫属前体。其中，在式1中，M、R1、R2、a、b、和c与具体实施方式中定义的相同，其中，在式1d中，M、R1和d与具体实施方式中定义的相同，和其中，在式2中，M'和X与具体实施方式中定义的相同，[式1]Ma(R1)6-b-c(H)b(R2)c[式2]M'kX2[式1d]M(R1)d。