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公开(公告)号：CN104425665A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410431583.3
申请日：2014-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: 根据示例实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第一半导体层上的凹坑扩大层、凹坑扩大层上的有源层、空穴注入层以及空穴注入层上的第二半导体层。第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物。凹坑扩大层的上表面和有源层的侧表面在位错上限定了具有斜表面的凹坑。凹坑为倒棱锥形空间。空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的斜表面上。第二半导体层掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。
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公开(公告)号：CN118299481A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311854676.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物基半导体发光器件和包括其的显示装置，该氮化物基半导体发光器件包括：第一半导体层，其中第一半导体层是氮化物基的并且具有第一导电类型；提供在第一半导体层上的发光层，其中发光层可以包括包含铟(In)的氮化物基半导体；提供在发光层上的第二半导体层，其中第二半导体层是氮化物基的并且具有第二导电类型；以及应变弛豫层，提供在第一半导体层和发光层之间，并且包括具有突起的AlGaN层，该突起的水平截面面积随着突起在从第二半导体层到第一半导体层的垂直方向上延伸而减小。
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公开(公告)号：CN117790653A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311222202.6
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了发光器件、显示装置以及制造该发光器件的方法。一种发光器件包括：发光棒，其中多孔第一型半导体层、有源层和第二型半导体层依次布置；以及波长转变簇，嵌入在多孔第一型半导体层中并配置为将有源层中产生的第一光转变成具有不同波长的第二光。
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公开(公告)号：CN117637945A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311105538.4
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了多波长发光器件以及制造该多波长发光器件的方法。一种配置为发射第一波长的光、第二波长的光和第三波长的光的多波长发光器件包括：基板；提供在基板上的第一类型半导体层；提供在第一类型半导体层上的有源层；提供在有源层上的第二类型半导体层；以及提供在第二类型半导体层上的电极。有源层包括配置为发射第一波长的光的第一有源区、配置为发射第二波长的光的第二有源区以及配置为发射第三波长的光的第三有源区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110010740A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811486130.5
申请日：2018-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种紫外发光装置，包括：第一导电类型AlGaN半导体层；有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上，并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；第二导电类型氮化物图案，其设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层的第一区域上，并且所述第二导电类型氮化物图案的能带隙小于所述第二导电类型AlGaN半导体层的能带隙；透明电极层，其覆盖所述第二导电类型氮化物图案和所述第二导电类型AlGaN半导体层的第二区域；透光介电层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案之间的透明电极层上；以及金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的透明电极层上以及所述透光介电层上。
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公开(公告)号：CN104425665B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410431583.3
申请日：2014-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: 根据示例实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第一半导体层上的凹坑扩大层、凹坑扩大层上的有源层、空穴注入层以及空穴注入层上的第二半导体层。第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物。凹坑扩大层的上表面和有源层的侧表面在位错上限定了具有斜表面的凹坑。凹坑为倒棱锥形空间。空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的斜表面上。第二半导体层掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。
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公开(公告)号：CN103578926B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201310347252.7
申请日：2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L33/0066 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：制备硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；以及在缓冲层上形成氮化物半导体层。缓冲层包括第一层、第二层和第三层。第一层包括AlxInyGa1‑x‑yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），并且其晶格常数（LP1）小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第二层被形成在第一层上，其包括AlxInyGa1‑x‑yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP2）大于第一层的晶格常数（LP1）并小于硅衬底的晶格常数（LP0）。第三层被形成在第二层上，其包括AlxInyGa1‑x‑yN（0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x+y＜1），并且其晶格常数（LP3）小于第二层的晶格常数（LP2）。
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公开(公告)号：CN106206863A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610364734.7
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , C30B29/403 , C30B33/06 , F21K9/237 , F21K9/275 , F21S41/141 , F21S43/14 , F21V23/005 , F21Y2113/10 , F21Y2115/10 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02658 , H01L33/12 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。
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公开(公告)号：CN103531612A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310273079.0
申请日：2013-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/151 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/02587 , H01L29/2003 , H01L21/02439 , H01L29/267
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：硅衬底；缓冲结构，设置在硅衬底上；以及至少一个镓氮化物基半导体层，形成在缓冲结构上。缓冲结构包括多个氮化物半导体层以及与多个氮化物半导体层交替地设置并包括IV-IV族半导体材料的多个应力控制层。
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