公开(公告)号：CN117594564A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311002838.X

申请日：2023-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  李东翼

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：具有鳍型有源图案的衬底；在鳍型有源图案上的源极/漏极区；在隔离绝缘层上和在源极/漏极区上的层间绝缘层；电连接到源极/漏极区的接触结构；电连接到接触结构并掩埋在层间绝缘层中的掩埋导电结构；以及穿透衬底并与掩埋导电结构的底表面接触的电力传送结构。掩埋导电结构包括第一接触插塞以及在第一接触插塞的侧表面上并与第一接触插塞的底表面间隔开的第一导电阻挡物。电力传送结构包括与第一接触插塞的底表面直接接触的第二接触插塞。

公开(公告)号：CN117542858A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310665067.6

申请日：2023-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄东勋 ,  宋昇珉 ,  郭玟灿

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 在一些实施例中，一种半导体器件包括：第一有源图案，在衬底上沿第一水平方向延伸；第二有源图案，在衬底上沿第一水平方向延伸；第一底部栅电极，在第一有源图案上沿第二水平方向延伸；第一上栅电极，在第一底部栅电极上沿第二水平方向延伸；第二底部栅电极，在第二有源图案上沿第二水平方向延伸；第二上栅电极，在第二底部栅电极上沿第二水平方向延伸；以及第一栅极切割，包括第一部分和第二部分，第一部分将第一底部栅电极与第二底部栅电极隔离，第二部分将第一上栅电极与第二上栅电极隔离。第二部分的宽度超过第一部分的宽度。

公开(公告)号：CN112420697A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010715381.7

申请日：2020-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  郭玟灿 ,  朴贤镐 ,  郑圣宪 ,  郑涌植 ,  池祥源 ,  黄寅灿

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/45

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区；第一源极/漏极图案，在第一有源区上；第二源极/漏极图案，在第二有源区上；分隔电介质图案，在第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间的衬底上；以及第一接触图案，在第一源极/漏极图案上，其中第一接触图案包括：第一金属图案；第一阻挡图案，在第一金属图案与第一源极/漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在第一阻挡图案与第一源极/漏极图案之间，其中第一阻挡图案接触分隔电介质图案并且沿着第一金属图案的与分隔电介质图案相邻的侧壁延伸。

公开(公告)号：CN108091653A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711171980.1

申请日：2017-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承秀 ,  李正允 ,  成金重 ,  郑铉澔 ,  郭玟灿 ,  闵庚石 ,  吴怜默 ,  禹宰勋 ,  林青美

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/1108 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/785 ,  H01L27/092 ,  H01L21/823878

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。