公开(公告)号：CN101226901A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710300775.0

申请日：2007-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李殷国 ,  金度贤 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  林淳权

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板上形成包括栅极线、栅电极和下部栅极垫片电极的第一导电图形组，在其上形成有该第一导电图形组的基板上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层上形成与该栅电极重叠的氧化物半导体图形，以及在其上形成有该氧化物半导体图形的基板上形成第一导电层和第二导电层，并且图形化该第一导电层和第二导电层以形成第二导电图形组，其包括数据线、源电极、漏电极和数据垫片。

公开(公告)号：CN1964067A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610138550.5

申请日：2006-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金时烈 ,  金度贤 ,  金炳范 ,  郑敞午 ,  李埈泳 ,  裵良浩 ,  康盛旭

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L29/458 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12903

Abstract: 本发明公开了一种含有能够被蚀刻的铜以具有可靠轮廓的导电结构，其中，铜层不被腐蚀或氧化，该导电结构包括形成于绝缘或半导体基板上的屏障层以及随后的铜层、阻挡层和覆盖层。铜层包含铜或铜合金。屏障层包含钼(Mo)、氮化钼(MoN)、或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb或MoZr中的至少一种)。阻挡层包含氮化铜、氧化铜或氮氧化铜。覆盖层包含钼、氮化钼(MoN)或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb和MoZr中的至少一种)。

公开(公告)号：CN1913146A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610112109.X

申请日：2006-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  裵良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种具有改进粘附力和优良导电性的薄膜导体，一种制造薄膜导体的方法，一种包括薄膜导体的薄膜晶体管(TFT)面板，以及一种制造TFT面板的方法。该薄膜导体包括：粘附层，含有氧化反应金属或硅化反应金属和银；银导电层，形成于粘附层上，以及保护层，形成于所述银导电层上，并含有氧化反应金属和银。

公开(公告)号：CN101750822A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910258383.1

申请日：2009-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  郑钟铉 ,  崔永柱 ,  朴弘植 ,  印泰炯 ,  李东勋 ,  尹弼相 ,  朴帝亨 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  徐南锡

IPC: G02F1/1362 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种显示基板及其制造方法，该显示基板包括：底基板；设置在底基板下表面上的形变防止层，其中形变防止层向底基板施加防止底基板弯曲的力；设置在底基板上表面上的栅极线；设置在底基板上的数据线；以及设置在底基板上的像素电极。

公开(公告)号：CN100561741C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610056776.0

申请日：2006-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵良浩 ,  郑敞午 ,  吴旼锡 ,  李制勋 ,  赵范锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种TFT基板，其包括底部基板、形成在底部基板之上的栅极布线、栅极绝缘层、活性层、氧化抑制层、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线包括栅极线和栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层之上。氧化抑制层形成在活性层之上。数据布线包括数据线、源电极和漏电极。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上，由于氧化抑制层的存在，降低了用于开启TFT的开电流(“Ion”)并增大了用于关闭TFT的闭电流(“Ioff”)。

公开(公告)号：CN100416754C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200510055765.6

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  李永旭 ,  崔熙焕

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。

公开(公告)号：CN101051644A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710096764.5

申请日：2007-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宁洪龙 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  金度贤 ,  赵成宪 ,  宋基镕 ,  卢昌镐

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明公开了一种TFT基板及其制造方法。该方法包括在绝缘基板上形成栅极线和数据线。数据线与栅极线相交且与栅极线绝缘。栅极线、数据线、或栅极线和数据线二者的形成包括利用无电镀方法在基体图案上形成低电阻导电图案。

公开(公告)号：CN1761049A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510098150.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN1664686A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510067727.2

申请日：2005-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  李在敬 ,  郑敞午 ,  赵范锡

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786 ,  G09F9/35

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L27/12 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 用于大的平板显示器的多层连线通过在存在前体气体的情况下在基板上淀积钼以形成钼层而形成，所述前体气体包含氧、氮和碳中的至少一种。在所述钼层上淀积铝层。可在所述铝层上形成另一金属层。所述钼层具有面心立方(FCC)晶格结构并具有(111)择优取向。

公开(公告)号：CN1610859A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN02826607.2

申请日：2002-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  郑敞午

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/13629

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片、形成于该绝缘基片上的栅极布线。栅极绝缘层覆盖该栅极布线。在该栅极绝缘层上形成半导体图案。在该栅极绝缘层和半导体图案上形成具有源极、漏极、和数据线的数据布线。在该数据布线上形成钝化层。在该钝化层上形成通过接触孔与漏极连接的像素电极。栅极布线和数据布线包括三层，即粘合层、含银层、以及钝化层。粘合层由Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、Ta合金中的一种组成，含Ag层由Ag或Ag合金组成，而钝化层由IZO、Mo、Mo合金、Cr、及Cr合金中的一种组成。