公开(公告)号：CN111952276A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010086446.6

申请日：2020-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  林圣根 ,  姜泌圭 ,  金元洪 ,  吴承河 ,  河龙湖 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的半导体层；在第一表面上的有源图案，所述有源图案包括源极/漏极区域；电连接到所述源极/漏极区域的电力轨；以及在所述第二表面上的电力输送网络，所述电力输送网络电连接到所述电力轨。所述半导体层包括蚀刻停止掺杂剂，并且所述蚀刻停止掺杂剂在所述第二表面处具有最大浓度。

公开(公告)号：CN104934377A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510122545.4

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/845 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66795

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。