-
公开(公告)号：CN119894006A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411449038.7
申请日：2024-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种能够实现多级存储器的基于硫属化物的存储器装置和包括该基于硫属化物的存储器装置的电子设备。所述存储器装置包括：第一电极和第二电极，其被布置成彼此间隔开；以及存储器层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括具有彼此不同的阈值电压的多个存储器材料层。多个存储器材料层中的每一个包括基于硫属化物的材料，具有双向阈值切换(OTS)特性，并且被配置为具有根据所施加的电压的极性和强度而变化的阈值电压。
-
公开(公告)号：CN118695600A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410330568.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有极性相关阈值电压偏移特性的自选择存储器件和/或包括该自选择存储器件的存储装置。该存储器件包括第一电极、远离并面对第一电极的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的存储层。存储层具有双向阈值开关特性，并且被配置为使得存储层的阈值电压随着存储层中的活性陷阱的密度改变而改变，阈值电压根据施加到存储层的偏压的极性和强度而改变。此外，元素成分分布被配置为响应于存储层的阈值电压改变而在存储层中保持恒定。
-
公开(公告)号：CN110349992B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811086256.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。
-
公开(公告)号：CN114566591A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110935795.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括多个半导体单元器件的半导体装置。每个半导体单元器件可以布置于在垂直于衬底的方向上彼此分开的第一绝缘层和第二绝缘层之间。每个半导体单元器件可以包括在平行于衬底的方向上并排延伸的选择器件层和相变材料层。相变材料层可以具有类超晶格结构。相变材料层可以沿着由第一绝缘层、第二绝缘层和选择器件层形成的凹陷部分布置。
-
公开(公告)号：CN114464731A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110775864.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103915496B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201310534898.6
申请日：2013-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/788 , H01L29/778 , H01L21/683 , H01L29/16 , H01L29/861 , H01L27/1159 , H01L27/11521 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L21/28 , B82Y10/00
Abstract: 本公开提供一种石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件包括在石墨烯层上的第一栅极结构和第二栅极结构，因此可以在一个器件中形成具有石墨烯晶体管和石墨烯二极管的特性的开关器件或存储器器件。
-
公开(公告)号：CN103227103B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201210497438.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/6835 , H01L29/1606 , H01L29/41775 , H01L2221/68327 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , Y10S977/734
Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法。制造石墨烯器件的方法可以包括：在第一基板上形成包括石墨烯层的器件部分；将第二基板附接在第一基板的器件部分上；以及移除第一基板。移除第一基板可以包括蚀刻第一基板与石墨烯层之间的牺牲层。在移除第一基板之后，第三基板可以附接在器件部分上。在附接第三基板之后，可以移除第二基板。
-
公开(公告)号：CN103915496A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310534898.6
申请日：2013-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/861 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L21/8247 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66477 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28291 , H01L21/6835 , H01L27/11521 , H01L27/1159 , H01L29/1606 , H01L29/41775 , H01L29/42328 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78391 , H01L29/7881 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381
Abstract: 本公开提供一种石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件包括在石墨烯层上的第一栅极结构和第二栅极结构，因此可以在一个器件中形成具有石墨烯晶体管和石墨烯二极管的特性的开关器件或存储器器件。
-
-
公开(公告)号：CN101007462A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610151301.X
申请日：2006-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , Y10T29/42 , Y10T29/49401
Abstract: 本发明公开了一种压电喷墨打印头及其制造方法。压电喷墨打印头构造成具有两个堆叠并连结的衬底。上衬底由单晶硅衬底或SOI衬底形成并包括穿过该上衬底的墨入口。下衬底由SOI衬底形成，SOI衬底具有第一硅层、中间氧化层和第二硅层顺序堆叠的结构。歧管、压力室和阻尼器通过湿法或干法蚀刻而形成在第二硅层中，喷嘴通过干法蚀刻而穿过中间氧化层和第一硅层形成。压电致动器形成在上衬底上，用于向各压力室施加驱动力，以喷射墨。该压电喷墨打印头构造成具有少量的衬底，从而减小了制造过程和成本，中间氧化层用作蚀刻停止层，以均匀地形成喷嘴，从而提高墨喷射性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.029 seconds)
