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公开(公告)号：CN105206672B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201510351040.5
申请日：2015-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管器件包括：第一有源区；第一栅电极，被构造为沿Y方向延伸以跨过第一有源区，并限定第一源极区和第一漏极区；第一栅极接触件，设置在第一栅电极上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的栅极穿过线上；第一源极接触件，设置在第一源极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的源极穿过线上；以及第一漏极接触件，设置在第一漏极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的漏极穿过线上，其中，所述第一漏极接触件中的至少一个第一漏极接触件设置在被构造为在第一源极接触件之间穿过并且沿与Y方向垂直的X方向平行地延伸的第一虚拟的X直线中的任意一条第一虚拟的X直线上。
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公开(公告)号：CN109842480A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811423374.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供支持载波聚合的射频集成电路和包括其的无线通信装置。射频集成电路支持载波聚合并包括被配置为接收射频信号的多个第一接收电路和将第一频率的第一频率信号提供给所述多个第一接收电路的第一共享锁相环电路。所述多个第一接收电路中的至少一个第一接收电路包括模数转换器和数字转换电路。模数转换器通过使用第一频率信号将接收的射频信号转换成数字信号。数字转换电路通过对数字信号执行下变频来生成数字基带信号。
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公开(公告)号：CN108694966A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810070942.5
申请日：2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G06F3/061 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G11C7/106 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/32 , H01L21/265 , H01L27/0207 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , G11C7/1057 , G11C7/1084
Abstract: 非易失性存储器件包括：存储单元阵列区域，其中存储单元竖直地堆叠在衬底上；以及页缓冲器，其中布置了第一页缓冲器和第二页缓冲器。存储单元阵列区域和第一页缓冲器之间的第一距离小于存储单元阵列区域和第二页缓冲器之间的第二距离。第一页缓冲器包括响应于第一控制信号驱动的第一晶体管。第二页缓冲器包括响应于与第一控制信号相对应的第二控制信号驱动的第二晶体管。相对于第一晶体管和第二晶体管的设计约束和工艺约束中的至少一个是不同的。
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公开(公告)号：CN102789757A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210013322.0
申请日：2012-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0426 , G09G2310/0283 , G09G2310/0286
Abstract: 本发明公开一种显示设备，包括：显示面板，包括显示区域和围绕显示区域的外围区域，显示面板包括沿正向顺序地布置于显示区域中的第一至第N栅极线，其中，N是自然数；数据驱动电路，沿正向顺序地向显示面板提供数据信号；移位寄存器，设置于外围区域中，移位寄存器包括分别产生第一至第N栅极导通信号的第一至第N电路级、邻近于第一电路级的至少一个反向虚拟级和邻近于第N电路级的至少一个正向虚拟级；以及垂直起始线，电连接至第一电路级并且相对于第N电路级电浮接，其中，垂直起始线向第一电路级传输垂直起始信号。
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公开(公告)号：CN102081897A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010551285.X
申请日：2010-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2310/0267 , G09G2310/0286 , G09G2330/021 , G11C19/28
Abstract: 一种显示面板，包括非晶硅栅极驱动器，在该栅极驱动器中，比从栅极驱动器输出的栅极关断电压低的电压被施加至相邻级作为低电压传输信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119382631A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411002967.3
申请日：2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种放大器包括：第一级放大器电路，被配置为接收输入电压；以及第一多级放大器电路和第二多级放大器电路，从第一级放大器电路的输出端子进行分支并且各自包括第二级和第三级。第一多级放大器电路和第二多级放大器电路中的每个可被配置为：在第一阶段中对与第一偏置电流对应的电压和与第二偏置电流对应的电压进行采样，并且在第二阶段中用与第一偏置电流对应的电压使第二级偏置并用与第二偏置电流对应的电压使第三级偏置，第一偏置电流对应于第二级，第二偏置电流对应于第三级。
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公开(公告)号：CN116418303A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310018822.1
申请日：2023-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供放大器和包括放大器的电子系统。所述放大器包括：第一NMOS晶体管，被配置为接收第一输入；第二NMOS晶体管，被配置为接收第二输入，第二NMOS晶体管包括连接到第一NMOS晶体管的源极的源极；第一电阻器，包括第一端和第二端，第一端连接到第一NMOS晶体管的漏极，第二端连接到第一输出；以及第二电阻器，包括第一端和第二端，第一端连接到第二NMOS晶体管的漏极，第二端连接到第二输出；并且所述放大器被配置为基于第一输入、第二输入、第一电阻器的电阻值和第二电阻器的电阻值来生成第一输出和第二输出。
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公开(公告)号：CN107017251B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201610900212.4
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。
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公开(公告)号：CN108377150B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201711059988.9
申请日：2017-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M3/00
Abstract: 一种可变反馈增益的增量调制器，包括增量调制器的模数转换器及通信装置。所述增量调制器包括：电容器群组，共同连接到第一端子，且分别被分类成第一电容器群组及第二电容器群组；比较器，基于所述第一端子的电压依序产生n位数字输出信号；以及开关群组，包括分别连接到所述电容器的开关，其中所述开关分别被分类成分别连接到所述第一电容器群组及所述第二电容器群组的第一开关群组及第二开关群组，且所述第一开关群组及所述第二开关群组分别根据第一控制信号及第二控制信号来操作，所述第一控制信号及所述第二控制信号是基于所述n位数字输出信号及所述可变反馈增益确定的。根据本公开的增量调制器可被实施成具有较低的功耗及小的实作面积。
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公开(公告)号：CN108377150A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201711059988.9
申请日：2017-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M3/00
Abstract: 一种可变反馈增益的增量调制器、包括增量调制器的模数转换器及通信装置。所述增量调制器包括：电容器群组，共同连接到第一端子，且分别被分类成第一电容器群组及第二电容器群组；比较器，基于所述第一端子的电压依序产生n位数字输出信号；以及开关群组，包括分别连接到所述电容器的开关，其中所述开关分别被分类成分别连接到所述第一电容器群组及所述第二电容器群组的第一开关群组及第二开关群组，且所述第一开关群组及所述第二开关群组分别根据第一控制信号及第二控制信号来操作，所述第一控制信号及所述第二控制信号是基于所述n位数字输出信号及所述可变反馈增益确定的。根据本揭露的增量调制器可被实施成具有较低的功耗及小的实作面积。
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