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公开(公告)号：CN1125439C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN95109191.3
申请日：1995-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/255 , G11B5/1871 , G11B5/455 , G11B5/53 , G11B33/10 , Y10T29/49048 , Y10T29/49055 , Y10T29/49057
Abstract: 一种用于制造磁头的方法，该磁头用于在或从磁记录介质，例如录象带上记录或重放信息，该方法包括，制备具有同磁带相接触的一接触面的一片磁芯，该磁芯有一用于形成泄漏磁场的间隙，利用离子蚀刻方法对该片磁芯的接触面进行抛光，该离子蚀刻即是用离子碰撞该接触面。在接触面上形成保护层，该保护层是由具有高度表面润滑特性和良好的抗磨损特性的材料制成。用上述方法，磁头污染降低，磁头寿命延长和磁记录和重放特能得到改进。
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公开(公告)号：CN107134469B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201710126385.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。
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公开(公告)号：CN106816505A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611090753.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种发光装置，包括：衬底，其包括顶表面和第一侧表面，其中，顶表面的面积大于第一侧表面的面积；以及衬底的第一侧表面上的发光结构，该发光结构具有第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层，其中，发光结构发射具有第一峰值波长的第一光，并且其中，发射通过衬底的顶表面的第一光的发射面积大于发射通过衬底的第一侧表面的第一光的发射面积。
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公开(公告)号：CN104576861A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410562329.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体缓冲结构包括硅衬底、形成在硅衬底上的成核层以及形成在成核层上的缓冲层。缓冲层包括由具有均匀的组分比的氮化物半导体材料形成的第一层、在第一层上的由与成核层相同的材料形成的第二层以及在第二层上的由与第一层相同的材料以相同的组分比形成的第三层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104347520A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410366642.3
申请日：2014-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/788 , G06N3/049 , G06N3/063 , G11C11/54 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C14/0063 , G11C16/0433 , G11C2213/15 , G11C2213/53 , H01L27/11521 , H01L28/00 , H01L29/408 , H01L29/42324 , H01L29/51 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/685 , H01L29/78 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/147 , H01L21/8239 , H01L27/115 , H01L29/66007
Abstract: 本发明提供了非易失性存储器晶体管和包括非易失性存储器晶体管的设备。非易失性存储器晶体管可以包括沟道元件，与沟道元件相对应的栅极电极，在沟道元件和栅极电极之间的栅极绝缘层，在栅极绝缘层和栅极电极之间的离子物质移动层，以及相对于沟道元件彼此分离的源极和漏极。根据施加到栅极电极的电压，在离子物质移动层发生离子物质的移动。阈值电压根据离子物质的移动而变化。非易失性存储器晶体管具有多电平特性。
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公开(公告)号：CN101335301B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200810088615.9
申请日：2008-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。
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公开(公告)号：CN101473444B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200780022377.5
申请日：2007-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 半导体器件可以包括由以下化学式(1)表示的作为有源层的复合物，化学式1为x(Ga2O3)·y(In2O3)·z(ZnO)，其中约0.75≤x/z≤约3.15且约0.55≤y/z≤约1.70。通过调整与氧化锌(Zn)混合的氧化镓(Ga)和氧化铟(In)的含量并改善光学灵敏度，可以提高显示器的开关性能和驱动晶体管的驱动性能。
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公开(公告)号：CN101494220B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200910003249.7
申请日：2009-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/24 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。
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公开(公告)号：CN1638125B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200410082270.8
申请日：2004-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C13/0004 , H01L27/10852 , H01L27/112 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L28/40 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的电容器、包括该电容器的半导体存储器件和该半导体存储器件的工作方法。该电容器包括：下电极；层叠在该下电极上并包括相变层的介电层，该相变层在其绝缘性质被改变后显示出两种显著不同的电阻特性；以及层叠在该介电层上的上电极。包括该电容器的半导体存储器件在工作中与动态随机存取存储器一样快且具有与快闪存储器件相同的非易失性。
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