公开(公告)号：CN1988177B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200610101153.0

申请日：2006-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  玄在雄 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  朴东健 ,  李忠浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一种具有GAA结构的Fin-FET，其能够利用鳍周围的整个区域作为沟道区。该具有GAA结构的Fin-FET包括具有体、一对支承柱和鳍的半导体衬底。该支承柱对从所述体向上突出，鳍与所述体间隔开并且具有连接到所述支承柱对并被其支承的两端。栅极电极完全围绕所述半导体衬底的所述鳍的至少一部分并与所述半导体衬底绝缘。栅极绝缘层置于所述栅极电极和所述半导体衬底的所述鳍之间。

公开(公告)号：CN100565808C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200310104557.1

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成澔 ,  朴东健 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  金成玟 ,  李信爱

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种自对准接触结构及其形成方法，包括限定的邻近栅电极，相邻的侧壁构形得相互角形相对。使用衬里层保护栅电极的角形表面，衬里层延伸接触窗口的长度，定义了接触窗口的侧壁。

公开(公告)号：CN100550418C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200410001940.9

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  吴昌佑 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  赵慧珍 ,  尹恩贞 ,  李信爱 ,  崔晶东

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。

公开(公告)号：CN100477262C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410055895.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  尹恩贞 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供金属氧化物半导体(MOS)晶体管的基本单元，该基本单元包括集成电路衬底和集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区和栅极区，栅极区在源区和漏区之间。在源区和漏区之间提供第一和第二沟道区。通过由沟槽区分开的集成电路衬底中的第一和第二间隔突起限定沟道区。第一和第二突起远离集成电路衬底延伸，第一和第二突起的上表面基本上与源区和漏区的上表面齐平。在第一和第二间隔突起的侧壁上和在第一和第二间隔突起的至少部分表面上延伸的沟槽区中提供栅电极。

公开(公告)号：CN1949523A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610136129.0

申请日：2006-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳镕 ,  李忠浩 ,  朴东健

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括：在半导体衬底的预设或给定区域上顺序层叠的单元隔离图形和半导体图形；单元栅极线，在半导体图形上，并在单元隔离图形的一侧上的半导体衬底的顶表面上；多层阱绝缘层，在单元栅极线和半导体衬底以及单元栅极线和半导体图形之间；第一杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体衬底中；以及第二杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体图形中。

公开(公告)号：CN1925119A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126323.0

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  朴东健 ,  赵恩锡 ,  成锡江 ,  崔炳镕 ,  金泰瑢 ,  李忠浩

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了制造半导体器件的方法，所述半导体器件所包括的鳍型FET结构提供主体偏压控制，表现出与SOI结构相关的某些特征优点，提供增大的工作电流和/或降低的接触电阻。所述的制造半导体器件的方法包括：在第一绝缘膜的突出部分的侧壁上形成绝缘分隔体；通过以绝缘分隔体作为蚀刻掩模去除半导体衬底的暴露区域而形成第二沟槽，并由此形成与第一绝缘膜接触并由其支撑的鳍。在形成鳍之后，形成填充第二沟槽并支撑所述鳍的第三绝缘膜。之后，去除第一绝缘膜的一部分，以开放鳍之间的空间，在所述空间内可以形成包括栅极电介质、栅电极和额外接触、绝缘和存储节点结构的额外结构。

公开(公告)号：CN1655365A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510008233.7

申请日：2005-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠浩 ,  朴东健 ,  尹在万 ,  李哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

Abstract: 提供了一种鳍型场效应晶体管(fin FET)，其应用了负字线方案。鳍型FET的栅电极应用了掺有n+杂质的电极，并且不执行用于控制阈值电压的沟道掺杂，或者以低浓度执行沟道掺杂，由此显著改善了鳍型FET的特性。半导体衬底以第一导电类型形成，第一导电类型的鳍型有源区从所述半导体衬底的上表面突出并连接到所述半导体衬底。绝缘层形成在所述半导体衬底上，并且栅极绝缘层形成在所述鳍型有源区的上部和侧壁。栅电极形成在所述绝缘层和所述栅极绝缘层上。源极和漏极形成在所述栅电极两侧的鳍型有源区中。

公开(公告)号：CN1499578A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104557.1

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成澔 ,  朴东健 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  金成玟 ,  李信爱

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种自对准接触结构及其形成方法，包括限定的邻近栅电极，相邻的侧壁构形得相互角形相对。使用衬里层保护栅电极的角形表面，衬里层延伸接触窗口的长度，定义了接触窗口的侧壁。