公开(公告)号：CN108231774A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711274103.7

申请日：2017-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔智旻 ,  李东烈 ,  李镐旭 ,  金志永 ,  赵昶贤

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L23/147 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/76227 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/108

Abstract: 本公开提供了具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的基板。沟槽形成在半导体层内。填充绝缘膜设置在沟槽内。插入衬层设置在填充绝缘膜内。插入衬层与半导体层间隔开并沿着沟槽的底表面延伸。

公开(公告)号：CN117637681A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311023009.X

申请日：2023-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋旻俊 ,  李钟旻 ,  慎重垣 ,  李纳拉 ,  崔智旻

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H10B12/00 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体装置可包括衬底上的下金属布线、下金属布线上的第一上层间绝缘层、第一上层间绝缘层中的包括第一上穿通件的第一上布线和第一上层间绝缘层上的第一上金属图案。该半导体装置还可包括第一上层间绝缘层上的第二上层间绝缘层、第二上层间绝缘层中的包括最上面的穿通件的最上面的布线、第二上层间绝缘层上的最上面的金属图案、以及第二上层间绝缘层上的用于供应氢的氧化物层。下金属布线可按照多层堆叠。用于供应氢的氧化物层可覆盖最上面的布线。最上面的穿通件的厚度可小于最上面的金属图案的厚度的40％。

公开(公告)号：CN116075149A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211356181.2

申请日：2022-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔慜贞 ,  李钟旼 ,  李瑌真 ,  李全一 ,  崔智旻

IPC: H10B10/00 ,  H10B12/00 ,  H10B80/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B51/00 ,  H10B53/00 ,  H10B69/00

Abstract: 提供了半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体基底；第一层间绝缘层，布置在半导体基底上；低介电层，布置在第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，顺序地布置在低介电层上；以及贯穿硅过孔，穿透半导体基底和第一层间绝缘层，其中，半导体基底、第一层间绝缘层和低介电层构成倒角结构，倒角结构包括第一倒角表面和第二倒角表面，第一倒角表面平行于半导体基底的顶表面，第二倒角表面相对于半导体基底的顶表面倾斜并连接到第一倒角表面。

公开(公告)号：CN115810579A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210920766.6

申请日：2022-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔智旻 ,  李钟旼 ,  李瑌真 ,  李全一 ,  李周益 ,  崔慜贞

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 公开半导体装置。所述半导体装置包括：基底；蚀刻停止层，在基底上；贯穿孔电极，与基底的上表面基本垂直的垂直方向上延伸穿过基底和蚀刻停止层；以及导电垫。蚀刻停止层包括与基底邻近的第一表面和与第一表面背对的第二表面。贯穿孔电极包括从蚀刻停止层的第二表面突起的突起部分。导电垫覆盖贯穿孔电极的突起部分。贯穿孔电极的突起部分是不平坦的。

公开(公告)号：CN115775744A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211083789.2

申请日：2022-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  李钟旼 ,  崔慜贞 ,  崔智旻

IPC: H01L21/66

Abstract: 可以提供半导体芯片、半导体封装和半导体芯片制造方法。该半导体芯片包括：包括器件区域和边缘区域的基板；顺序堆叠在基板上的器件层和布线层；在器件区域上的子焊盘和在边缘区域上的残留测试图案，其中残留测试图案的侧壁与基板的侧壁对准；以及覆盖子焊盘和残留测试图案的上电介质堆叠。上电介质堆叠可以暴露残留测试图案的顶表面的一部分。上电介质堆叠的侧壁可以具有台阶区域。

公开(公告)号：CN115692347A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210836054.6

申请日：2022-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周益 ,  李钟旼 ,  崔智旻 ,  李瑌真 ,  李全一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括彼此背对的第一侧和第二侧；第一穿透结构，穿透基底；以及第二穿透结构，穿透基底，第二穿透结构与第一穿透结构间隔开，并且当从基底的第一侧观察时，第一穿透结构的面积大于第二穿透结构的面积的两倍。

公开(公告)号：CN113451281A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110145563.X

申请日：2021-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔智旻 ,  韩正勋 ,  李瑌真 ,  李钟旼 ,  张志熏

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H05K1/18

Abstract: 半导体封装件可以包括：半导体芯片，位于基板上；和底部填充层，位于半导体芯片与基板之间。所述半导体芯片可以包括：半导体基板，包括第一区域和第二区域；以及层间介电层，可以覆盖半导体基板并且可以在其中包括连接线。第一导电焊盘可以位于第一区域上，并且可以电连接到所述连接线中的一些连接线。第二导电焊盘可以位于第二区域上，并且可以与所有连接线电隔离。所述半导体芯片还可以包括钝化层，钝化层可以覆盖层间介电层并且可以包括可以分别暴露第一导电焊盘和第二导电焊盘的第一孔。在第二区域上，底部填充层可以包括可以位于第一孔中的一个第一孔中并且与第二导电焊盘中的一个第二导电焊盘接触的部分。