公开(公告)号：CN110473577B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201910184820.3

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛薰 ,  金度延 ,  宋镐永

IPC: G11C11/406

Abstract: 提供存储器装置、存储器系统和刷新存储器装置的方法。一种示例存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；行锤击处理器，被配置为确定是否执行用于刷新所述多个存储器单元行中的与被密集访问的第一行邻近的邻近存储器单元行的行锤击处理操作，产生确定结果；刷新管理器，被配置为基于行锤击处理器的确定结果执行用于顺序地刷新存储器单元行的正常刷新操作或行锤击处理操作。

公开(公告)号：CN110491430B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN201910140654.7

申请日：2019-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛薰 ,  金度延 ,  宋镐永 ,  李东洙

IPC: G11C11/406

Abstract: 公开一种存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：多个存储体、锤地址管理器和刷新控制器。锤地址管理器管理关于所述多个存储体的访问地址，并提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问更多的访问地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号对应于与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得与对应于锤地址的行物理上邻近的行通过锤刷新操作被刷新。

公开(公告)号：CN106971758B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201610991835.7

申请日：2016-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑会柱 ,  车相彦 ,  宋镐永 ,  金炫中

IPC: G11C29/42

Abstract: 公开了半导体存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法。半导体存储装置包括存储单元阵列、误差校正电路、误差日志寄存器和控制逻辑电路。存储单元阵列包括多个存储体阵列，其中每个存储体阵列包括多个页。控制逻辑电路被配置为控制误差校正电路以响应于从存储控制器接收的第一命令对由至少一个访问地址指示的多个页中的一些页顺序执行ECC解码，从而检测至少一个位误差。控制逻辑电路执行误差记录操作以将页误差信息写入误差日志寄存器，页误差信息包括从所述检测确定的一些页中每一页上的误差事件的数量。

公开(公告)号：CN107017015B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201610915844.8

申请日：2016-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫中 ,  宋镐永 ,  郑会柱 ,  郑柱衍 ,  车相彦

IPC: G11C11/406

Abstract: 提供了执行基于请求的刷新的存储装置和存储系统，以及该存储装置的操作方法。操作方法包括：通过对至少一行的激活数的计数确定弱行；基于所确定的结果，请求对弱行的刷新；根据请求在接收刷新命令时对弱行执行目标刷新。

公开(公告)号：CN107527637B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201710397863.0

申请日：2017-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车秀镐 ,  金灿景 ,  朴晟喆 ,  宋镐永 ,  崔光哲

IPC: G11C5/14 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 提供了一种用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置。该存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元、位线感测放大器和开关电路。第一存储器单元连接到第一字线和第一位线。第二存储器单元连接到第一字线和第二位线。第三存储器单元连接到第一字线和第三位线。位线感测放大器连接到第三位线。开关电路连接到第一位线、第二位线和位线感测放大器。开关电路执行第一存储器单元与第一位线之间的电荷共享以产生第一参考电压，并且执行第二存储器单元与第二位线之间的电荷共享以产生第二参考电压。

公开(公告)号：CN106971758A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610991835.7

申请日：2016-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑会柱 ,  车相彦 ,  宋镐永 ,  金炫中

IPC: G11C29/42

CPC classification number: G06F11/1068 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0679 ,  G11C29/52 ,  G11C29/70 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411 ,  G11C29/42

Abstract: 公开了半导体存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法。半导体存储装置包括存储单元阵列、误差校正电路、误差日志寄存器和控制逻辑电路。存储单元阵列包括多个存储体阵列，其中每个存储体阵列包括多个页。控制逻辑电路被配置为控制误差校正电路以响应于从存储控制器接收的第一命令对由至少一个访问地址指示的多个页中的一些页顺序执行ECC解码，从而检测至少一个位误差。控制逻辑电路执行误差记录操作以将页误差信息写入误差日志寄存器，页误差信息包括从所述检测确定的一些页中每一页上的误差事件的数量。

公开(公告)号：CN103295648A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310064093.X

申请日：2013-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙敎民 ,  宋镐永 ,  黄祥俊 ,  金澈 ,  孙东贤

IPC: G11C29/42 ,  G11C29/44

Abstract: 提供用于修复存储器系统中的存储器单元的方法和装置。测试设备根据测试命令通过测试存储器设备而检测故障地址，并且在故障地址存储器（FAM）中临时存储故障地址。根据故障地址传送模式，故障地址被传送到存储器设备，并且被临时存储在存储器设备的临时故障地址存储器中，然后被存储在作为非易失性存储设备的反熔丝阵列中。为了确保数据的可靠性，存储的数据被读取以便验证数据并且验证结果经由数据管脚被串行或并行地传送到测试设备。

公开(公告)号：CN100592422C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200610077358.X

申请日：2006-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴光一 ,  全永铉 ,  张星珍 ,  宋镐永

IPC: G11C11/4063 ,  G11C11/40

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1072

Abstract: 公开了一种延时信号生成方法和相应的半导体存储器件。该方法包括：接收用于半导体存储器件的时钟信号；接收模式特性信号；提供DQS；并根据模式特性信号调节DQS的前同步状态的持续时间，以增进DQS的选通状态与时钟信号的一致性。

公开(公告)号：CN100416704C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN03105447.1

申请日：2003-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全永铉 ,  金哲洙 ,  宋镐永

IPC: G11C11/4096 ,  G11C7/22

CPC classification number: G11C7/1057 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/106 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1087 ,  G11C7/222

Abstract: 同步输入数据组到存储单元阵列中和输出来自器件的数据组的器件、电路和方法。利用从单延迟反馈回路获得的内部时钟信号来执行该同步。

公开(公告)号：CN1783028A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510113828.9

申请日：2005-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴光一 ,  张星珍 ,  宋镐永

IPC: G06F12/00 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/1051 ,  G11C7/1066 ,  G11C2207/2254

Abstract: 一种输出数据选通信号生成方法和存储器系统，其包括多个半导体存储器设备；和用于控制半导体存储器设备的存储器控制器，其中，存储器控制器向半导体存储器设备提供命令信号和片选信号。一个或多个半导体存储器设备可以响应命令信号和片选信号而检测读命令和伪读命令，并且根据所计算的前同步周期数来生成一个或多个前同步信号。