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公开(公告)号：CN1747066A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510091014.X
申请日：2005-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/419 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/06 , G11C11/4091 , G11C2207/005 , G11C2207/065
Abstract: 一种半导体存储器件包括多个存储单元阵列块、位线读出放大器、能够被控制接通或断开的局部读出放大器、数据读出放大器、以及控制器。控制器响应于第一和第二信号而将局部读出控制信号激活预定的持续时间。第一信号为激活位线读出放大器的位线读出使能信号，并且，在激活位线读出使能信号之后，将局部读出放大器激活预定的持续时间。第二信号可被激活或去激活，以与连接一对位线和一对局部输入/输出线的列选择线信号同相。因而，有可能根据操作条件而接通或断开局部读出放大器，由此增大tRCD参数并减小电流消耗。可通过将局部读出放大器与在读取操作期间不需要预充电和均衡的电流型数据读出放大器相组合，而提高半导体存储器件的操作速度。
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公开(公告)号：CN1862703A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610077358.X
申请日：2006-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/40
CPC classification number: G11C7/1051 , G11C7/1066 , G11C7/1072
Abstract: 公开了一种延时信号生成方法和相应的半导体存储器件。该方法包括：接收用于半导体存储器件的时钟信号；接收模式特性信号；提供DQS；并根据模式特性信号调节DQS的前同步状态的持续时间，以增进DQS的选通状态与时钟信号的一致性。
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公开(公告)号：CN103513937B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310263259.0
申请日：2013-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0616 , G06F3/0638 , G06F3/0679
Abstract: 提供了一种能够增加其生命周期的存储设备及其操作方法。存储设备包括：存储数据的非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的控制器。控制器可以根据预定条件、诸如来自主机的请求或者超过预定义生命周期，来修改非易失性存储器件的写超时值。
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公开(公告)号：CN102385911A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110261053.5
申请日：2011-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4093 , G11C11/4096 , H01L23/50
CPC classification number: H01L25/18 , G11C5/02 , G11C7/10 , H01L2224/48091 , H01L2225/06544 , H01L2924/00014
Abstract: 公开了一种半导体封装。所述半导体封装包括封装接口，一叠半导体芯片，多叠贯通衬底通路和接口电路。封装接口包括至少第一对端子。每叠贯通衬底通路包括多个贯通衬底通路，所述多个贯通衬底通路包括各个半导体芯片的贯通衬底通路，每个贯通衬底通路电连接到紧邻的半导体芯片的贯通衬底通路。接口电路包括输入端，该输入端连接到所述第一对端子以接收提供第一信息的差分信号，并且该接口电路还包括输出端，该输出端以单端信号格式将包括所述第一信息的输出信号提供给所述多叠贯通衬底通路中的至少一个。
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公开(公告)号：CN103513937A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310263259.0
申请日：2013-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0616 , G06F3/0638 , G06F3/0679
Abstract: 提供了一种能够增加其生命周期的存储设备及其操作方法。存储设备包括：存储数据的非易失性存储器件和控制非易失性存储器件的控制器。控制器可以根据预定条件、诸如来自主机的请求或者超过预定义生命周期，来修改非易失性存储器件的写超时值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102456394A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110320569.2
申请日：2011-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/401
CPC classification number: G11C29/808 , G06F2213/0038 , G11C11/40618 , G11C11/40622 , G11C11/40626 , G11C2211/4062
Abstract: 提供执行DRAM刷新操作的存储电路、系统和模块及其操作方法。其中存储器模块可以包括多个动态存储器件，每个动态存储器件可以包括动态存储单元阵列，其中具有各个区域，其中该多个动态存储器件可以被配置为响应于命令操作各个区域。DRAM管理单元可以在该模块上并且耦接到该多个动态存储器件，并且可以包括存储器件操作参数存储电路，该存储器件操作参数存储电路被配置为存储各个区域的存储器件操作参数以影响各个区域响应于命令的操作。
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公开(公告)号：CN100583291C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200510091014.X
申请日：2005-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/419 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/06 , G11C11/4091 , G11C2207/005 , G11C2207/065
Abstract: 一种半导体存储器件包括多个存储单元阵列块、位线读出放大器、能够被控制接通或断开的局部读出放大器、数据读出放大器、以及控制器。控制器响应于第一和第二信号而将局部读出控制信号激活预定的持续时间。第一信号为激活位线读出放大器的位线读出使能信号，并且，在激活位线读出使能信号之后，将局部读出放大器激活预定的持续时间。第二信号可被激活或去激活，以与连接一对位线和一对局部输入/输出线的列选择线信号同相。因而，有可能根据操作条件而接通或断开局部读出放大器，由此增大tRCD参数并减小电流消耗。可通过将局部读出放大器与在读取操作期间不需要预充电和均衡的电流型数据读出放大器相组合，而提高半导体存储器件的操作速度。
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公开(公告)号：CN102385911B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110261053.5
申请日：2011-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4093 , G11C11/4096 , H01L23/50
Abstract: 公开了一种半导体封装。所述半导体封装包括封装接口，一叠半导体芯片，多叠贯通衬底通路和接口电路。封装接口包括至少第一对端子。每叠贯通衬底通路包括多个贯通衬底通路，所述多个贯通衬底通路包括各个半导体芯片的贯通衬底通路，每个贯通衬底通路电连接到紧邻的半导体芯片的贯通衬底通路。接口电路包括输入端，该输入端连接到所述第一对端子以接收提供第一信息的差分信号，并且该接口电路还包括输出端，该输出端以单端信号格式将包括所述第一信息的输出信号提供给所述多叠贯通衬底通路中的至少一个。
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公开(公告)号：CN100592422C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200610077358.X
申请日：2006-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/40
CPC classification number: G11C7/1051 , G11C7/1066 , G11C7/1072
Abstract: 公开了一种延时信号生成方法和相应的半导体存储器件。该方法包括：接收用于半导体存储器件的时钟信号；接收模式特性信号；提供DQS；并根据模式特性信号调节DQS的前同步状态的持续时间，以增进DQS的选通状态与时钟信号的一致性。
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公开(公告)号：CN100416704C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN03105447.1
申请日：2003-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4096 , G11C7/22
CPC classification number: G11C7/1057 , G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C7/1066 , G11C7/1078 , G11C7/1087 , G11C7/222
Abstract: 同步输入数据组到存储单元阵列中和输出来自器件的数据组的器件、电路和方法。利用从单延迟反馈回路获得的内部时钟信号来执行该同步。
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