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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039083B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201611076928.3
申请日：2016-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
Abstract: 一种存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括连接到字线和位线的存储器单元、以及连接到冗余字线和位线的冗余存储器单元；以及控制逻辑，其被配置成控制由存储器设备进行的封装后修复操作的执行。控制逻辑包括PPR控制电路，所述PPR控制电路响应于正常PPR命令而在正常PPR操作期间将坏行地址编程到非易失性存储器，并且响应于快速PPR命令而在快速PPR操作期间将坏行地址编程到易失性存储器，并且用与冗余字线相关联的冗余行替换在存储器单元阵列中的坏行。
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公开(公告)号：CN107039083A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611076928.3
申请日：2016-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G06F11/2094 , G06F2201/805 , G06F2201/82 , G11C5/025 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C29/785 , G11C29/84 , G11C29/70
Abstract: 一种存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括连接到字线和位线的存储器单元、以及连接到冗余字线和位线的冗余存储器单元；以及控制逻辑，其被配置成控制由存储器设备进行的封装后修复操作的执行。控制逻辑包括PPR控制电路，所述PPR控制电路响应于正常PPR命令而在正常PPR操作期间将坏行地址编程到非易失性存储器，并且响应于快速PPR命令而在快速PPR操作期间将坏行地址编程到易失性存储器，并且用与冗余字线相关联的冗余行替换在存储器单元阵列中的坏行。
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公开(公告)号：CN117075795A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310429947.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种存储器系统以及包括其的计算系统。存储器系统包括存储器资源和智能控制器。存储器资源包括半导体存储器件，针对多个通道中的每个通道，半导体存储器件被分为第一半导体存储器和第二半导体存储器，第一半导体存储器和第二半导体存储器属于不同区块。智能控制器通过通道连接到多个半导体存储器件，通过经计算快速链路(CXL)接口与多个主机通信来控制半导体存储器件，多个主机中的每个主机驱动至少一个虚拟机。智能控制器在没有多个主机干预的情况下，通过以区块级别管理多个半导体存储器件的多个存储器区域之中的空闲存储器区域来控制存储器资源的功率模式，多个存储器区域存储数据。
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公开(公告)号：CN107017015A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610915844.8
申请日：2016-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
CPC classification number: G11C11/4096 , G06F3/0619 , G06F3/0659 , G06F3/0673 , G11C7/1063 , G11C11/40611 , G11C11/40622 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C29/04 , G11C29/50016 , G11C29/52 , G11C2029/0403 , G11C2029/0409 , G11C2029/1202 , G11C2029/5002 , G11C2211/4068
Abstract: 提供了执行基于请求的刷新的存储装置和存储系统，以及该存储装置的操作方法。操作方法包括：通过对至少一行的激活数的计数确定弱行；基于所确定的结果，请求对弱行的刷新；根据请求在接收刷新命令时对弱行执行目标刷新。
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