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公开(公告)号:CN107039083B
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201611076928.3
申请日:2016-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
Abstract: 一种存储器设备包括:存储器单元阵列,其包括连接到字线和位线的存储器单元、以及连接到冗余字线和位线的冗余存储器单元;以及控制逻辑,其被配置成控制由存储器设备进行的封装后修复操作的执行。控制逻辑包括PPR控制电路,所述PPR控制电路响应于正常PPR命令而在正常PPR操作期间将坏行地址编程到非易失性存储器,并且响应于快速PPR命令而在快速PPR操作期间将坏行地址编程到易失性存储器,并且用与冗余字线相关联的冗余行替换在存储器单元阵列中的坏行。
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公开(公告)号:CN109427373B
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN201810427944.5
申请日:2018-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供存储系统及用于其的存储器模块和半导体存储器件。存储系统包括:控制器;均包括多个半导体存储器件的第一组和第二组;由控制器、第一组和第二组共享的命令/地址信号线和数据线。第一组和第二组的读取等待时间、写入等待时间和突发长度的值由控制器设定,并且当在第一组与第二组之间执行数据移动操作时,控制器通过命令/地址信号线来对第一组和第二组中的一个施加移位读取命令,并且在从读取等待时间减去写入等待时间所获得的时间之后,通过命令/地址信号线来对它们中的另一个施加正常写入命令或移位写入命令。从第一组和第二组中的一个读取到的数目与突发长度的值相对应的数据通过数据线被写入到它们中的另一个。
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公开(公告)号:CN118152309A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202311672551.8
申请日:2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器设备和系统,包括多个物理接口。存储器设备包括缓冲裸片和存储器裸片堆叠,缓冲裸片包括被配置为与外部设备通信的第一接口电路和第二接口电路,存储器裸片堆栈安装在缓冲裸片上并且包括多个堆叠的存储器裸片。多个存储器裸片电连接到第一接口电路和第二接口电路,第一接口电路被配置为响应于第一选择信号而激活,并且第二接口电路被配置为响应于第二选择信号而激活。从存储器设备外部的存储器控制器接收第一选择信号和第二选择信号。
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公开(公告)号:CN107039083A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201611076928.3
申请日:2016-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G06F11/2094 , G06F2201/805 , G06F2201/82 , G11C5/025 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C29/785 , G11C29/84 , G11C29/70
Abstract: 一种存储器设备包括:存储器单元阵列,其包括连接到字线和位线的存储器单元、以及连接到冗余字线和位线的冗余存储器单元;以及控制逻辑,其被配置成控制由存储器设备进行的封装后修复操作的执行。控制逻辑包括PPR控制电路,所述PPR控制电路响应于正常PPR命令而在正常PPR操作期间将坏行地址编程到非易失性存储器,并且响应于快速PPR命令而在快速PPR操作期间将坏行地址编程到易失性存储器,并且用与冗余字线相关联的冗余行替换在存储器单元阵列中的坏行。
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公开(公告)号:CN114550768A
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202111368418.4
申请日:2021-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 提供一种存储器系统、控制存储器装置的刷新的方法和存储器装置。存储器系统包括存储器控制器和存储器装置。存储器控制器以平均刷新间隔周期性地生成刷新命令。存储器装置在刷新周期时间期间执行正常刷新操作和锤刷新操作。存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括连接至所述多条字线的存储器单元;温度传感器,其被配置为通过测量所述存储器单元阵列的操作温度提供温度信息;以及刷新控制器,其被配置为控制所述正常刷新操作和所述锤刷新操作。刷新控制器改变所述刷新周期时间期间执行的锤刷新操作的单位锤执行数相对于所述刷新周期时间期间执行的正常刷新操作的单位正常执行数的锤率。
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公开(公告)号:CN109427373A
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201810427944.5
申请日:2018-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供存储系统及用于其的存储器模块和半导体存储器件。存储系统包括:控制器;均包括多个半导体存储器件的第一组和第二组;由控制器、第一组和第二组共享的命令/地址信号线和数据线。第一组和第二组的读取等待时间、写入等待时间和突发长度的值由控制器设定,并且当在第一组与第二组之间执行数据移动操作时,控制器通过命令/地址信号线来对第一组和第二组中的一个施加移位读取命令,并且在从读取等待时间减去写入等待时间所获得的时间之后,通过命令/地址信号线来对它们中的另一个施加正常写入命令或移位写入命令。从第一组和第二组中的一个读取到的数目与突发长度的值相对应的数据通过数据线被写入到它们中的另一个。
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