公开(公告)号：CN103295648A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310064093.X

申请日：2013-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙敎民 ,  宋镐永 ,  黄祥俊 ,  金澈 ,  孙东贤

IPC: G11C29/42 ,  G11C29/44

Abstract: 提供用于修复存储器系统中的存储器单元的方法和装置。测试设备根据测试命令通过测试存储器设备而检测故障地址，并且在故障地址存储器（FAM）中临时存储故障地址。根据故障地址传送模式，故障地址被传送到存储器设备，并且被临时存储在存储器设备的临时故障地址存储器中，然后被存储在作为非易失性存储设备的反熔丝阵列中。为了确保数据的可靠性，存储的数据被读取以便验证数据并且验证结果经由数据管脚被串行或并行地传送到测试设备。

公开(公告)号：CN118366502A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410046557.2

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳廷旻 ,  李恩爱 ,  赵诚慧 ,  李起准 ,  李明奎 ,  孙敎民

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/408

Abstract: 一种存储控制器管理刷新。该存储控制器被配置为与包括存储单元阵列的存储器件通信，该存储单元阵列包括多条字线，该存储控制器可以包括：调度器，被配置为控制向多条字线提供的命令；纠错码引擎，具有包括N个条目的寄存器，并且被配置为基于对多条字线的活动次数进行计数，将第一参数存储在寄存器中，第一参数包括多条字线中的N条字线的地址信息和活动次数信息；比较器，被配置为将第一参数与阈值参数进行比较；以及刷新管理(RFM)决策电路，被配置为基于从比较器输出的结果确定多条字线的刷新频率，并生成RFM命令。

公开(公告)号：CN116504289A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310086667.7

申请日：2023-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李硕汉 ,  姜信行 ,  孙敎民

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/408 ,  G11C11/406

Abstract: 本公开提供了一种存储器件。该存储器件包括：存储单元阵列，被配置为存储数据；命令解码器，被配置为从外部接收命令以生成第一存储单元控制信号；PIM(存储器中处理器)块，被配置为基于内部存储的指令生成第二存储单元控制信号，并基于第二存储单元控制信号执行内部处理操作，该第二存储单元控制信号包括用于执行内部处理操作的命令；以及操作模式多路复用器，被配置为输出第一存储单元控制信号和第二存储单元控制信号中的任何一个，并将其提供给存储单元阵列。