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公开(公告)号：CN119964614A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410740065.3
申请日：2024-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4076 , G11C11/4093 , G11C11/408 , G11C11/4096
Abstract: 提供了一种存储器件及其刷新方法。所述存储器件可以包括：攻击行选择器，所述攻击行选择器被配置为在第一时间点接收激活信号，并且基于累计值来生成更新信号；攻击行寄存器，所述攻击行寄存器被配置为接收与所述激活信号对应的激活行地址，并且基于所述更新信号和所述激活行地址来确定攻击行地址；以及受害行确定器，所述受害行确定器被配置为基于所述攻击行地址来确定受害行地址。所述存储器件可以被配置为响应于来自外部装置的刷新命令，对与所述受害行地址对应的受害行执行刷新操作。所述累计值可以是从接收到所述刷新命令的时间点到所述第一时间点接收到的激活信号的数目。
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公开(公告)号：CN116343860A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211519323.2
申请日：2022-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 柳廷旻
IPC: G11C11/4078 , G11C11/408 , G11C11/406 , G11C29/02
Abstract: 提供了一种用于检测操作模式的弱点的存储器装置及其操作方法。该方法包括：在包括N个条目的寄存器中存储关于多条字线中的N条字线的地址信息和激活计数信息；基于与N条字线不同的第一字线的激活，在N个条目中的从其驱逐了信息的条目中存储关于第一字线的地址信息和激活计数信息；以及基于在第一周期中对寄存器执行驱逐的次数生成第一弱点信息。
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公开(公告)号：CN116206645A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211517669.9
申请日：2022-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 本公开提供了降低刷新操作中电源噪声的存储器件、其操作方法及包括其的存储器系统。在一些实施例中，一种操作方法包括：响应于接收到第一刷新命令，在第一刷新定时执行多条字线中的第一N条字线同时被刷新的第一正常刷新，并且在第二刷新定时，对该多条字线中与最频繁被激活的最多激活字线相邻的至少一条第一牺牲字线执行第一目标刷新；以及响应于接收到第二刷新命令，在第三刷新定时执行第二N条字线同时被刷新的第二正常刷新，并且在第四刷新定时，对与该最多激活字线相邻的至少一条第二牺牲字线执行第二目标刷新。
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公开(公告)号：CN115881185A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211087673.6
申请日：2022-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4076 , G11C11/409
Abstract: 提供了存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，具有连接到字线和位线的多个存储器单元；目标行刷新逻辑，被配置为响应于刷新管理模式命令而对存储器单元阵列的目标行中的至少一个执行刷新操作；弱模式检测器，根据包括在刷新管理模式命令中的寄存器更新位值被激活，并且输出目标行中的每个的风险等级；和模式寄存器电路，根据所述风险等级来更新至少一个模式寄存器值。
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公开(公告)号：CN118366502A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410046557.2
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 一种存储控制器管理刷新。该存储控制器被配置为与包括存储单元阵列的存储器件通信，该存储单元阵列包括多条字线，该存储控制器可以包括：调度器，被配置为控制向多条字线提供的命令；纠错码引擎，具有包括N个条目的寄存器，并且被配置为基于对多条字线的活动次数进行计数，将第一参数存储在寄存器中，第一参数包括多条字线中的N条字线的地址信息和活动次数信息；比较器，被配置为将第一参数与阈值参数进行比较；以及刷新管理(RFM)决策电路，被配置为基于从比较器输出的结果确定多条字线的刷新频率，并生成RFM命令。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116030858A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210924312.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 柳廷旻
IPC: G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 提供了一种控制行锤击的方法及存储设备。该存储设备包括：具有存储单元行的存储单元阵列；控制逻辑电路，被配置为将存储单元阵列的访问地址分类为真实条目和虚假条目，并从访问地址中识别行锤击地址；以及刷新控制电路，被配置为在行锤击监测时间范围内刷新与由行锤击地址指示的存储单元行物理上相邻的存储单元行。控制逻辑电路还被配置为基于虚假条目的访问次数等于或大于第一阈值将虚假条目升级为真实条目。
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公开(公告)号：CN116417030A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211584403.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括：存储器核，包括多个存储器单元；以及控制逻辑，从外部装置接收第一激活命令和第一行地址并且响应于第一激活命令，激活来自所述多个存储器单元之中的与第一行地址对应的存储器单元。控制逻辑包括寄存器和计数器。控制逻辑将第一行地址记录在寄存器中的一个中，通过使用计数器中的第一计数器对第一行地址的激活计数进行计数，并且通过使用计数器中的第二计数器对第一行地址的寿命计数进行计数。
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公开(公告)号：CN116137166A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211363924.9
申请日：2022-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 提供存储器件、具有其的存储器系统及其操作方法。该存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；目标行刷新逻辑电路，所述目标行刷新逻辑电路被配置为：基于多个目标行地址的受害点值从所述多个目标行地址中选择目标行地址作为刷新行地址，以及对所述多个存储单元中的第一存储单元执行刷新操作，所述第一存储单元与所述多条字线中的由刷新行地址指示的字线连接；受害点表，所述受害点表被配置为存储所述多个目标行地址的所述受害点值；以及受害点累加器，所述受害点累加器被配置为：从外部设备接收第一行地址，以及每单位时间段累加与所述第一行地址相对应的至少一个目标行地址的第一受害点值。
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公开(公告)号：CN116110451A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211313503.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 提供了一种存储器件以及包括该存储器件的存储系统。该存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及控制逻辑，所述控制逻辑包括模式寄存器，响应于刷新命令执行刷新操作，在第一模式下响应于所述刷新命令生成内部模式寄存器写入命令，在第二模式下响应于所述刷新命令不生成所述内部模式寄存器写入命令。
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