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公开(公告)号：CN118155700A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310884079.8
申请日：2023-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42 , G11C11/406
Abstract: 提供了一种存储器件、存储系统以及存储器件的操作方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个行；ECC引擎，所述ECC引擎被配置为基于从所述多个行中的每一行读取的数据的纠错次数来确定所述多个行中的每一行的健康水平；控制逻辑，所述控制逻辑被配置为基于所述健康水平和对所述多个行中的每一行的访问次数来确定受害行地址；以及刷新控制电路，所述刷新控制电路被配置为对与所确定的受害行地址相对应的行执行刷新。
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公开(公告)号：CN116137169A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211436176.2
申请日：2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其具有连接至字线和位线的存储器单元；以及时钟缓冲器，其接收用于对存储器单元中的至少一个执行读操作或写操作的时钟信号。时钟缓冲器包括多个串联的时钟中继器，所述多个时钟中继器包括具有不同的不平衡的驱动能力的至少一对时钟中继器。
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公开(公告)号：CN116417030A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211584403.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括：存储器核，包括多个存储器单元；以及控制逻辑，从外部装置接收第一激活命令和第一行地址并且响应于第一激活命令，激活来自所述多个存储器单元之中的与第一行地址对应的存储器单元。控制逻辑包括寄存器和计数器。控制逻辑将第一行地址记录在寄存器中的一个中，通过使用计数器中的第一计数器对第一行地址的激活计数进行计数，并且通过使用计数器中的第二计数器对第一行地址的寿命计数进行计数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116137166A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211363924.9
申请日：2022-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 提供存储器件、具有其的存储器系统及其操作方法。该存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；目标行刷新逻辑电路，所述目标行刷新逻辑电路被配置为：基于多个目标行地址的受害点值从所述多个目标行地址中选择目标行地址作为刷新行地址，以及对所述多个存储单元中的第一存储单元执行刷新操作，所述第一存储单元与所述多条字线中的由刷新行地址指示的字线连接；受害点表，所述受害点表被配置为存储所述多个目标行地址的所述受害点值；以及受害点累加器，所述受害点累加器被配置为：从外部设备接收第一行地址，以及每单位时间段累加与所述第一行地址相对应的至少一个目标行地址的第一受害点值。
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公开(公告)号：CN115705862A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210774386.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件和存储器系统。所述存储器件包括：存储单元，所述存储单元连接到第一字线，其中，所述存储单元包括存储数据的数据区域以及备份所述第一字线被激活的次数的计数值备份区域；计数表，所述计数表用于存储对应于所述第一字线的第一行地址以及存储第一计数值，所述第一计数值作为所述第一字线被激活的次数的计数结果；比较器，所述比较器被配置为：将所述第一计数值与存储在所述计数值备份区域中的第一备份计数值进行比较；以及当所述第一计数值大于所述第一备份计数值时，将所述第一计数值备份在所述计数值备份区域中；或者当所述第一备份计数值大于所述第一计数值时，将所述第一备份计数值覆写到所述计数表中。
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公开(公告)号：CN117995236A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311286941.1
申请日：2023-10-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4097
Abstract: 一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括耦接到字线和位线的多个存储单元；目标行刷新逻辑，被配置为基于加权访问计数对存储单元阵列执行刷新操作；寄存器，被配置为存储针对多个行地址中的每个行地址的加权访问计数；累加器，被配置为将对应于访问间隔的当前加权访问计数累加到存储在寄存器中的加权访问计数；以及计算器，被配置为计算访问间隔。
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公开(公告)号：CN116471835A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310023515.2
申请日：2023-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底；有源区，在半导体衬底上，并且包括第一半导体材料；隔离层，在半导体衬底和有源区的侧表面上；第一栅极结构，在与有源区交叉的第一栅极沟槽中；第二栅极结构，在隔离层中的第二栅极沟槽中，第二栅极结构平行于第一栅极结构，并与有源区相邻；半导体层，覆盖有源区的侧表面的至少一部分，半导体层包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，并且半导体层的至少一部分在有源区和第二栅极结构之间；以及源/漏区，在有源区中，位于第一栅极沟槽的相对侧。
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公开(公告)号：CN116110455A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211396461.6
申请日：2022-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4097
Abstract: 易失性存储器装置可以包括：第一读出放大器；第二读出放大器，其在第一方向上与第一读出放大器间隔开；第一垫，其设置在第一读出放大器与第二读出放大器之间，并且包括连接到第一读出放大器的第一位线和连接到第二读出放大器的第二位线；第三读出放大器，其在第二方向上与第二读出放大器间隔开；第四读出放大器，其在第一方向上与第三读出放大器间隔开；以及第二垫，其设置在第三读出放大器与第四读出放大器之间，并且包括连接到第一读出放大器的第一互补位线。
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