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公开(公告)号：CN115794481A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210976449.6
申请日：2022-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10 , G11C29/42 , G06N3/04 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本申请提供了存储器控制器和包括其的存储器系统。该存储器控制器包括故障预测器、纠错码(ECC)管理器和多个ECC引擎，所述故障预测器预测引起发生在存储器件中的错误的故障，所述纠错码(ECC)管理器基于预测出的故障对所述故障的类型进行分类，所述多个ECC引擎根据所分类的故障的类型并行地执行ECC。所述故障预测器包括存储器错误分析器和存储器故障预测网络，所述存储器错误分析器接收与所述错误有关的原始数据并且将所述原始数据处理为错误概况，所述错误概况是可用于机器学习的数据，所述存储器故障预测网络接收所述错误概况作为输入，使用所述错误概况执行所述机器学习，以及预测引起所述错误的所述故障。
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公开(公告)号：CN117992271A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311437406.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金浩渊
IPC: G06F11/10
Abstract: 存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为接收数据突发并生成第一ECC数据或第二ECC数据；以及处理器，被配置为控制ECC电路的操作。ECC电路包括：ECC选择电路，被配置为基于从存储器控制器的外部接收的ECC选择信号来选择并输出第一ECC转换数据和第二ECC转换数据中的一个；以及ECC转换电路，被配置为：通过基于第一ECC转换数据对数据突发进行编码来生成第一ECC数据，或者通过基于第二ECC转换数据对数据突发进行编码来生成第二ECC数据。第二ECC转换数据被设置为能够校正在数据突发包括的多条部分数据的每条包括的比特中的一个或多个预设受保护比特中发生的错误。
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公开(公告)号：CN116917837A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280019376.X
申请日：2022-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16
Abstract: 根据实施例的显示器结构可以包括形成显示器结构的外表面的盖玻璃、设置在盖玻璃下方的显示面板、具有至少部分地形成在显示面板的周边的外侧上的第一周边并且设置在显示面板下方的第一介电层、设置在第一介电层的与显示面板相邻的第一面上的第二介电层以及设置在与第一介电层的第一面相对应的第二面上的第三介电层。(与第一介电层的第一周边相对应的)第二介电层的第二周边和第三介电层的第三周边可以形成在第一周边的内侧上。第一介电层可以具有第一介电常数。第二介电层和第三介电层可以具有大于第一介电常数的介电常数。
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公开(公告)号：CN116917836A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280019365.1
申请日：2022-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16
Abstract: 根据本公开的各种实施例的电子装置可以包括：设置在折叠轴线上的铰链模块；连接到铰链模块的第一壳体；以相对于第一壳体可折叠的方式连接到铰链模块的第二壳体；和显示器，其设置为从第一壳体的至少一部分通过铰链模块到第二壳体的至少一部分被支撑。显示器可以包括：显示面板；设置在显示面板的后表面上的至少一个聚合物构件；和设置在聚合物构件的后表面上的柔性板。柔性板可以包括：面对第一壳体的第一平面部分；面对第二壳体的第二平面部分；以及可弯曲地设置并且连接第一平面部分和第二平面部分的柔性部分。柔性部分包括：通过多个狭缝彼此间隔开的多个支撑件；和长度从多个支撑件延长的多个搭扣图案，其中，相邻支撑件的搭扣图案可以设置为以网格形式彼此接合。
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公开(公告)号：CN115732016A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210916375.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金浩渊
IPC: G11C29/42
Abstract: 公开了一种存储器装置、一种纠正数据错误的方法和一种存储器控制器。该存储器装置包括：存储器模块，其包括存储器阵列和存储器控制器。存储器控制器包括故障检测器。故障检测器包括：第一反转器，其通过读取并反转读取数据来生成反转读取数据；第一缓冲器，其存储读取数据并提供缓冲数据；XOR运算器，其接收缓冲数据，接收读出反转读取数据，并对缓冲数据和读出反转读取数据执行XOR运算以生成计算数据；故障地址检测单元，其响应于计算数据来识别故障地址并生成故障地址信息；第二反转器，其通过接收并反转读出反转读取数据来生成反转读出反转读取数据；以及错误模式改变单元，其将不可纠错(UE)原因数据转换成可纠错(CE)原因数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113656213A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110504822.3
申请日：2021-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 控制存储器模块的存储器控制器包括纠错码(ECC)引擎、控制ECC引擎的中央处理单元、和错误管理电路。ECC引擎对从存储器模块读取的码字集执行ECC解码，以在读取操作中生成第一校正子和第二校正子，基于第一校正子和第二校正子纠正用户数据集中的可纠正错误，并向错误管理电路提供与可纠正错误相关联的第二校正子。错误管理电路对与通过读取操作检测到的可纠正错误相关联的错误地址进行计数，通过累积与可纠正错误相关联的第二校正子来存储第二校正子，基于计数和所累积的第二校正子来确定可纠正错误的属性，以及确定与可纠正错误相关联的存储器区域上的错误管理策略。
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公开(公告)号：CN116137166A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211363924.9
申请日：2022-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 提供存储器件、具有其的存储器系统及其操作方法。该存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；目标行刷新逻辑电路，所述目标行刷新逻辑电路被配置为：基于多个目标行地址的受害点值从所述多个目标行地址中选择目标行地址作为刷新行地址，以及对所述多个存储单元中的第一存储单元执行刷新操作，所述第一存储单元与所述多条字线中的由刷新行地址指示的字线连接；受害点表，所述受害点表被配置为存储所述多个目标行地址的所述受害点值；以及受害点累加器，所述受害点累加器被配置为：从外部设备接收第一行地址，以及每单位时间段累加与所述第一行地址相对应的至少一个目标行地址的第一受害点值。
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公开(公告)号：CN116107798A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211393645.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器控制器包括纠错码(ECC)引擎和错误管理电路。ECC引擎被配置为：在读取操作期间，对所读取的码字集执行ECC解码，以生成与在所读取的码字集中所包括的用户数据集中的可纠正错误相关联的第一校验子和第二校验子；基于第一校验子和第二校验子来纠正可纠正错误；以及将第二校验子提供给错误管理电路。错误管理电路被配置为：累积与多个可纠正错误相关联的并且通过多个读取操作获得的第二校验子作为多个第二校验子，存储多个第二校验子，将多个第二校验子与错误模式集进行比较，以及基于比较来预测不可纠正错误的发生。
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公开(公告)号：CN116089943A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211378100.9
申请日：2022-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金浩渊
IPC: G06F21/56 , G06F21/79 , G06N3/0464 , G06N20/00
Abstract: 公开了一种控制半导体存储器装置的存储器控制器、一种半导体存储器装置和一种存储器系统。该存储器控制器包括访问模式分析器、行锤击预测神经网络和存储器接口。访问模式分析器基于行访问模式来生成访问模式分析，该行访问模式与在刷新间隔之后的参考时间间隔期间对半导体存储器装置的多个存储器单元行的一部分的访问相关联，在该刷新间隔期间存储器单元行被刷新。行锤击预测神经网络基于访问模式分析预测发生行锤击的概率。响应于概率等于或大于参考值，行锤击预测神经网络生成锤击地址、指示行锤击发生的警报信号、以及弃置行列表。存储器接口将锤击地址、弃置行列表和警报信号发送到半导体存储器装置。
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公开(公告)号：CN115910146A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210876120.2
申请日：2022-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4076 , G11C11/4091
Abstract: 提供存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括存储器单元行；以及控制逻辑电路，用于响应于激活命令、写入命令、读取命令或预充电命令而对存储器单元行执行行操作、写入操作、读取操作或预充电操作，其中，控制逻辑电路还被配置为：在行锤击监视时间帧期间，针对第一存储器单元行，通过对激活命令进行计数来计算第一计数值并且通过对写入命令或读取命令进行计数来计算第二计数值；基于第一计数值与第二计数值的比率，确定第一存储器单元行的行锤击的类型；以及根据确定的行锤击的类型，通过改变预充电操作时间点来调整激活操作与预充电操作之间的预充电准备时间。
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