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公开(公告)号：CN107667324A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680030792.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16 , G06F3/01 , G06F3/041 , G06F3/0484 , G09G3/34
CPC classification number: G06F3/041 , G06F1/1626 , G06F1/163 , G06F1/1637 , G06F1/1643 , G06F1/1647 , G06F3/013 , G06F3/0484 , G06F3/0488 , G09G3/3406 , G09G2300/023 , G09G2320/0626 , G09G2330/023 , G09G2354/00 , G09G2360/144
Abstract: 一种电子装置，包括发射显示器，其被配置成提供具有第一图像质量的第一图像；透明显示器，其被布置在发射显示器上并且被配置为提供具有第二图像质量的第二图像；以及控制器，其被配置为根据第一模式控制发射显示器提供第一图像，并且根据第二模式控制透明显示器提供第二图像。
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公开(公告)号：CN103594107A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310357364.0
申请日：2013-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1653 , G11C7/1054 , G11C7/1081 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 提供了一种包括列译码器、多个子单元块以及位线选择电路的半导体存储设备。列译码器被配置为对列地址进行译码，并且驱动列选择信号。每一个子单元块包括多个位线、多个字线、以及被连接到多个位线和多个字线的多个存储单元。位线选择器电路包括多个位线连接控制器，并且被配置为响应于列选择信号来选择一个或者多个位线。分别响应于列选择信号的第一和第二列选择信号，每一个位线连接控制器将相应的第一位线电耦接到对应的第一和第二局部输入/输出（I/O）线。
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公开(公告)号：CN111406141B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201880076411.5
申请日：2018-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种家用电器。该家用电器包括：具有开口的主体；设置在主体的一侧的门，该门被配置为打开或关闭开口；以及阻尼组件，该阻尼组件被配置为通过门操作。阻尼组件包括：安装在主体中的第一杆，第一杆被配置为在门被按压时可移动；连接到第一杆的第二杆；以及连接到第二杆的缸，该缸被配置为在平行于第一杆的移动路径的方向上可移动。
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公开(公告)号：CN107949805A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680040756.6
申请日：2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/137 , G02F1/13318 , G02F1/133377 , G02F1/134309 , G02F1/1347 , G02F1/13718 , G02F2001/13312 , G02F2001/13478 , G02F2203/01 , G02F2203/02
Abstract: 本公开的实施例提供一种能够执行信息显示功能和镜像功能的显示装置。提供了一种显示处于关闭状态的预定对象的显示装置。提供了一种显示装置，其包括设置在胆甾型液晶显示设备的电极之间的空间中的分隔壁。还提供一种通过使用胆甾型液晶而改善可视性的透明显示装置。根据公开的实施例的显示装置显示面板和辅助面板，所述辅助面板设置在显示面板的前表面上，用于在显示面板的端部驱动时显示预定物体。
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公开(公告)号：CN107646095A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201580080243.3
申请日：2015-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 配置成改善电子设备的发送和接收性能的显示组件包括：第一面板；设置成与所述第一面板相对的第二面板；以及天线层，其设置在所述第一面板和所述第二面板之间并且包括通过压印方法形成的树脂层，其中所述树脂层包括：形成于一个表面中的压花图案；和用填充在所述压花图案中的导电材料形成的墨层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105519071A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480041345.X
申请日：2014-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵基秀 , 阿维德·耶尔 , 马哈什·安加纳帕 , 兰吉特·库马尔·巴特罗 , 普拉萨德·迪鲁玛·斯瑞·哈里·瓦拉·瓦德拉普迪 , 徐锡昊 , 崔仁赫 , 洪一性 , 阿布西吉·C·帕塔科 , 阿密特·普拉布德萨 , 阿苏克·苏巴什 , 拉维德拉·宝金沙·席特 , 孙东贤 , 沈炳昊 , 郑志亮 , 郝康立 , 马德哈万·瓦苏德万 , 马哈什·马拉古·帕提尔 , M.s.s.k.纱玛 , 兰吉特辛·尤达辛·瓦贝 , 谢克哈尔·安娜塔·安贝卡尔 , 苏巴·雷帝·温卡塔·科塔 , 拉格哈维德拉·瓦德拉哈里·拉美格瓦达 , 瓦鲁吉·瑟拉·卡诺斯 , 维什瓦纳·宝库迪戈·高帕科里什纳 , 金南君 , 金英珠 , 金贞美 , 金昌植 , 金炯根 , 沙珊卡·达萨里 , 沈奎锡 , 沈原根 , 阿尼尔·安格瓦 , 李进赫 , 韩相铉 , 黄寅浃 , 黄芝英
CPC classification number: H04L67/141 , G06F9/541 , H04L65/1066 , H04L65/1069 , H04L65/80 , H04L69/14 , H04L69/18 , H04L69/321 , H04W4/12 , H04W4/80 , H04W76/14 , H04W88/06
Abstract: 提供了一种用于针对一个或更多个电子装置提供一个或更多个协议的设备和方法。所述方法包括：由被配置为通过执行存储在存储器中的指令提供框架接口的电子装置使用一个或更多个通信模块与外部电子装置建立一个或更多个物理信道，由电子装置执行用于与框架接口进行接口连接的两个或更多个应用程序，使用用于所述两个或更多个应用程序中的各个应用程序的至少一个逻辑信道或会话，经由框架接口通过所述一个或更多个物理信道将来自所述两个或更多个应用程序的数据传送至外部电子装置。
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公开(公告)号：CN103544984A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310290656.7
申请日：2013-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G11C5/025 , G11C5/04 , G11C7/1009 , G11C7/1054 , G11C7/1057 , G11C7/1081 , G11C7/222 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C13/047 , G11C29/022 , G11C29/028 , G11C29/50008
Abstract: 公开了一种诸如磁性随机存取存储器（MRAM）的磁性存储设备，及在其上安装了磁性存储设备的存储模块和存储系统。MRAM包括：磁性存储单元，每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化；及提供各种接口功能的接口单元。存储模块包括模块板和安装在模块板上的至少一个MRAM芯片，并且进一步包括管理至少一个MRAM芯片的操作的缓冲器芯片。存储系统包括MRAM和与MRAM通信的存储控制器，并且通过使用连接在MRAM和存储控制器之间的光链路，可以通信电向光转换信号或光向电转换信号。
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公开(公告)号：CN103456356A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310215130.2
申请日：2013-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1653 , G11C7/12 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/1697
Abstract: 本发明公开了半导体存储器装置和相关的操作方法。一种半导体存储器装置包括单元阵列，该单元阵列包括一个或多个存储体组，其中，该一个或多个存储体组的每一个包括多个存储体，并且该多个存储体的每一个包括多个自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)单元。该半导体存储器装置进一步包括：源极电压生成部件，用于向连接到该多个STT-MRAM单元的该每一个的源极线施加电压；以及命令解码器，用于解码来自外部来源的命令，以便对于该多个STT-MRAM单元执行读取和写入操作。该命令包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)、芯片选择信号(CS)、写入启用信号(WE)和时钟启用信号(CKE)中的至少一个信号的组合。
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公开(公告)号：CN103426461A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310185288.X
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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公开(公告)号：CN103295648A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310064093.X
申请日：2013-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于修复存储器系统中的存储器单元的方法和装置。测试设备根据测试命令通过测试存储器设备而检测故障地址，并且在故障地址存储器（FAM）中临时存储故障地址。根据故障地址传送模式，故障地址被传送到存储器设备，并且被临时存储在存储器设备的临时故障地址存储器中，然后被存储在作为非易失性存储设备的反熔丝阵列中。为了确保数据的可靠性，存储的数据被读取以便验证数据并且验证结果经由数据管脚被串行或并行地传送到测试设备。
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