公开(公告)号：CN103544984A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310290656.7

申请日：2013-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金燦景 ,  车秀镐 ,  姜东锡 ,  朴哲佑 ,  孙东贤 ,  李润相 ,  金惠珍

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/165 ,  G11C5/025 ,  G11C5/04 ,  G11C7/1009 ,  G11C7/1054 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/1081 ,  G11C7/222 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/5607 ,  G11C13/047 ,  G11C29/022 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50008

Abstract: 公开了一种诸如磁性随机存取存储器（MRAM）的磁性存储设备，及在其上安装了磁性存储设备的存储模块和存储系统。MRAM包括：磁性存储单元，每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化；及提供各种接口功能的接口单元。存储模块包括模块板和安装在模块板上的至少一个MRAM芯片，并且进一步包括管理至少一个MRAM芯片的操作的缓冲器芯片。存储系统包括MRAM和与MRAM通信的存储控制器，并且通过使用连接在MRAM和存储控制器之间的光链路，可以通信电向光转换信号或光向电转换信号。

公开(公告)号：CN103456356A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310215130.2

申请日：2013-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润相 ,  姜东锡 ,  姜尚范 ,  金燦景 ,  朴哲佑 ,  孙东贤 ,  吴泂录

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C11/1653 ,  G11C7/12 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/1697

Abstract: 本发明公开了半导体存储器装置和相关的操作方法。一种半导体存储器装置包括单元阵列，该单元阵列包括一个或多个存储体组，其中，该一个或多个存储体组的每一个包括多个存储体，并且该多个存储体的每一个包括多个自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)单元。该半导体存储器装置进一步包括：源极电压生成部件，用于向连接到该多个STT-MRAM单元的该每一个的源极线施加电压；以及命令解码器，用于解码来自外部来源的命令，以便对于该多个STT-MRAM单元执行读取和写入操作。该命令包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)、芯片选择信号(CS)、写入启用信号(WE)和时钟启用信号(CKE)中的至少一个信号的组合。

公开(公告)号：CN102956268A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210309222.2

申请日：2012-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金燦景 ,  黄泓善 ,  朴哲佑 ,  姜尚范 ,  吴洞録

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C13/0033 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C7/08 ,  G11C7/14 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054

Abstract: 一种非易失性存储器件包括单元阵列和感测放大电路，单元阵列包括多个存储单元。感测放大电路被配置成在存储单元的数据读取操作期间接收存储单元的数据电压、以及第一基准电压和第二基准电压，基于数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差产生差分输出信号，并输出差分输出信号作为从存储单元读取的数据。