公开(公告)号：CN102956268A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210309222.2

申请日：2012-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金燦景 ,  黄泓善 ,  朴哲佑 ,  姜尚范 ,  吴洞録

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C13/0033 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C7/08 ,  G11C7/14 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054

Abstract: 一种非易失性存储器件包括单元阵列和感测放大电路，单元阵列包括多个存储单元。感测放大电路被配置成在存储单元的数据读取操作期间接收存储单元的数据电压、以及第一基准电压和第二基准电压，基于数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差产生差分输出信号，并输出差分输出信号作为从存储单元读取的数据。