公开(公告)号：CN1925166A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610092400.5

申请日：2006-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张柱韩 ,  姜东勋 ,  车映官 ,  朴玩濬

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/82 ,  G11C13/02

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/16 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。

公开(公告)号：CN112771481A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980063149.5

申请日：2019-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田镐振 ,  姜东勋 ,  权莳昷 ,  金贞勋 ,  辛相旻 ,  林然旭

IPC: G06F3/0354 ,  G06F3/038 ,  G06F3/14 ,  G06F1/16 ,  H04W4/80

Abstract: 提供了一种电子装置，该电子装置包括：壳体，包括内部空间和与内部空间连接的孔；第一导电线圈；第一无线通信电路；第一电磁谐振(EMR)通信控制电路；处理器，可操作地与第一EMR通信控制电路和第一无线通信电路连接；存储器，与至少一个处理器可操作地连接；以及手写笔，其可通过孔插入该内部空间中。存储器包括指令，所述指令在被执行时使得处理器利用第一EMR通信控制电路来发送或接收信号。

公开(公告)号：CN110858586A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910241680.9

申请日：2019-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨民 ,  姜东勋 ,  宋明俊

IPC: H01L25/18 ,  G01R31/26

Abstract: 半导体器件包括：至少两个管芯，堆叠在底层的缓冲管芯上并且电耦合到底层的缓冲管芯，缓冲管芯包括位于其中的延迟控制电路。延迟控制电路被配置为：在测试模式操作期间，(i)接收并选择性地延迟用于测试至少两个管芯的测试输入，并且(ii)将测试输入和测试输入的延迟版本分别传送到至少两个管芯中的第一管芯和至少两个管芯中的第二管芯。至少两个管芯可以包括缓冲管芯上的N(N＞2)个管芯的竖直堆叠，并且延迟控制电路可以包括位于其中的定时控制电路，定时控制电路被配置为以分级方式向N个管芯中的每个管芯提供测试输入，使得使用测试输入的在N个管芯中的每个管芯内的相应测试模式的开始时间相对于彼此不同步。

公开(公告)号：CN101335301B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200810088615.9

申请日：2008-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  姜东勋 ,  金昌桢 ,  朴宰撤

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。

公开(公告)号：CN101473444B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200780022377.5

申请日：2007-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  宋利宪 ,  姜东勋 ,  朴永洙

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 半导体器件可以包括由以下化学式(1)表示的作为有源层的复合物，化学式1为x(Ga2O3)·y(In2O3)·z(ZnO)，其中约0.75≤x/z≤约3.15且约0.55≤y/z≤约1.70。通过调整与氧化锌(Zn)混合的氧化镓(Ga)和氧化铟(In)的含量并改善光学灵敏度，可以提高显示器的开关性能和驱动晶体管的驱动性能。

公开(公告)号：CN100573897C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610092400.5

申请日：2006-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张柱韩 ,  姜东勋 ,  车映官 ,  朴玩濬

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/82 ,  G11C13/02

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/16 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。

公开(公告)号：CN101226963A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710300799.6

申请日：2007-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋利宪 ,  朴永洙 ,  姜东勋 ,  金昌桢 ,  林赫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/22 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/105 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种用于交叉点存储器的用作选择晶体管的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅极绝缘层、沟道、源极和漏极。可在部分衬底上形成该栅极。可在该衬底和该栅极上形成栅极绝缘层。该沟道包括ZnO，并且可形成在该栅极之上的该栅极绝缘层上。该源极和漏极接触该沟道的侧面。

公开(公告)号：CN1770467A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106780.9

申请日：2005-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  朴鲁政 ,  朴玩浚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明涉及采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管，所述晶体管通过为纳米管提供诸如氧气分子的载流子俘获材料，例如通过纳米管吸收或在邻近纳米管的位置处提供含有载流子俘获材料的材料层的方法，将双极纳米管场效应晶体管转化为单极纳米管场效应晶体管。