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公开(公告)号：CN110120370A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910057922.9
申请日：2019-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L25/07 , H01L21/56
Abstract: 提供了一种半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：再分布层，具有彼此相对的第一表面和第二表面，再分布层包括位于第一表面上的多个第一再分布垫；半导体芯片，位于再分布层的第二表面上，半导体芯片的有效表面面对再分布层；多个导电结构，位于再分布层的第二表面上，多个导电结构与半导体芯片分隔开；以及多个外部连接端子，位于导电结构上并结合到导电结构，多个第一再分布垫具有比多个外部连接端子的节距小的节距。
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公开(公告)号：CN111539180B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910988499.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/3947
Abstract: 提供了一种用于印刷电路板的模拟的计算机实现方法、处理器实现系统和非暂时性计算机可读记录介质。该用于印刷电路板的模拟的计算机实现方法包括：将印刷电路板的布局划分为具有相同尺寸的元件；从所述元件中检测具有至少两种材料的第一元件；计算第一元件的各向异性属性，并将各向异性属性指定给第一元件中的每一个；和基于第一元件的各向异性属性计算印刷电路板的翘曲。各向异性属性取决于根据第一元件在布局上的方向的物理特性。
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公开(公告)号：CN110364513B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910212737.2
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 半导体封装可以包括封装基板、位于封装基板上的第一半导体芯片以及位于第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：芯片基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；多个第一芯片焊盘，位于封装基板和芯片基板的第一表面之间，并且将第一半导体芯片电连接到封装基板；多个第二芯片焊盘，设置于芯片基板的第二表面上，并且位于第二半导体芯片与芯片基板的第二表面之间；多个再分布线，位于芯片基板的第二表面上，再分布线电连接至第二半导体芯片；多个接合线，将再分布线电连接至封装基板。
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公开(公告)号：CN115831885A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211104767.X
申请日：2022-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/538 , H01L25/065
Abstract: 半导体封装件包括：第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一贯通电极并且具有第一热区，第一贯通电极设置在第一热区中；热再分布芯片，热再分布芯片设置在第一半导体芯片上，具有在相对于第一半导体芯片的堆叠方向上与第一热区交叠的冷区，并且包括设置在冷区的外边界外部并且分别电连接到第一贯通电极的第一热再分布贯通电极；第二半导体芯片，第二半导体芯片设置在热再分布芯片上，具有在堆叠方向上与冷区交叠的第二热区，并且包括设置在第二热区中并且分别电连接到第一热再分布贯通电极的第二贯通电极；以及第一热阻挡层，第一热阻挡层设置在第一热区与冷区之间，其中，第一贯通电极通过经由第一热再分布贯通电极绕过冷区电连接到第二贯通电极。
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公开(公告)号：CN113782524A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110639435.0
申请日：2021-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一重新分布衬底；第一半导体芯片，其安装在第一重新分布衬底上；第二半导体芯片，其设置在第一半导体芯片的顶表面上；绝缘层，其围绕第一重新分布衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；第二重新分布衬底，其设置在第二半导体芯片上，并且第二半导体芯片安装在第二重新分布衬底上；以及连接端子，其设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片的一侧，并且连接至第一重新分布衬底和第二重新分布衬底。第二半导体芯片的无源表面与第一半导体芯片的无源表面接触。在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的界面处，第一半导体芯片的上部和第二半导体芯片的下部构成由相同的材料形成的一体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112447621A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010595487.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，在封装基底上；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的上表面上；绝缘层，在第一半导体芯片的表面和第二半导体芯片的表面上；散热构件，在绝缘层上，使得散热构件包括处于第一半导体芯片的上表面上的未设置第二半导体芯片的区域以及处于第二半导体芯片的上表面上的区域；模制构件，在封装基底上并且包封第一半导体芯片、第二半导体芯片和散热构件，使得模制构件暴露散热构件的上表面的至少一部分；以及加强构件，在散热构件和模制构件上。
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公开(公告)号：CN110875291A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910731355.0
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/498 , H01L21/98
Abstract: 提供了基板组件、半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括基板、位于所述基板上的第一半导体芯片、位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片和连接结构。所述第二半导体芯片包括向外突出超过所述第一半导体芯片的一侧的第一节段和位于所述第二半导体芯片的所述第一节段的底表面上的第二连接焊盘。所述连接结构包括位于所述基板与所述第二半导体芯片的所述第一节段之间的第一结构和穿过所述第一结构以与所述基板接触且设置在所述第二连接焊盘与所述基板之间的第一柱状导体，从而将所述第二半导体芯片电连接到所述基板。
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公开(公告)号：CN110364513A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910212737.2
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 半导体封装可以包括封装基板、位于封装基板上的第一半导体芯片以及位于第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：芯片基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；多个第一芯片焊盘，位于封装基板和芯片基板的第一表面之间，并且将第一半导体芯片电连接到封装基板；多个第二芯片焊盘，设置于芯片基板的第二表面上，并且位于第二半导体芯片与芯片基板的第二表面之间；多个再分布线，位于芯片基板的第二表面上，再分布线电连接至第二半导体芯片；多个接合线，将再分布线电连接至封装基板。
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公开(公告)号：CN110739281B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201910658593.3
申请日：2019-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L25/065 , H10B80/00
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：封装衬底；封装衬底上的第一半导体芯片，该第一半导体芯片包括第一区域和第二区域；第一区域上的第二半导体芯片；第二区域上的热辐射间隔物；第三半导体芯片，由第二半导体芯片和热辐射间隔物支撑；以及模塑层，覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。
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公开(公告)号：CN110875291B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910731355.0
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/498 , H01L21/98
Abstract: 提供了基板组件、半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括基板、位于所述基板上的第一半导体芯片、位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片和连接结构。所述第二半导体芯片包括向外突出超过所述第一半导体芯片的一侧的第一节段和位于所述第二半导体芯片的所述第一节段的底表面上的第二连接焊盘。所述连接结构包括位于所述基板与所述第二半导体芯片的所述第一节段之间的第一结构和穿过所述第一结构以与所述基板接触且设置在所述第二连接焊盘与所述基板之间的第一柱状导体，从而将所述第二半导体芯片电连接到所述基板。
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