公开(公告)号：CN101226960B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200810003550.3

申请日：2008-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹在万 ,  吴容哲 ,  金熙中 ,  郑铉雨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78642

Abstract: 公开了一种存取器件、半导体器件和制备存取器件和相关半导体器件的方法。该存取器件包括隔开下部源/漏区和上部源/漏区的垂直定向沟道、设置在该沟道上的栅极电介质、和跨该栅极电介质耦合到沟道的统一的栅电极/连接线，其中该统一的栅电极/连接线包括邻近该栅极电介质设置并覆盖该下部源/漏区至少一部分的递减缘部分。

公开(公告)号：CN102446920A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110295534.8

申请日：2011-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益 ,  吴容哲 ,  黄有商 ,  曹永丞 ,  郑铉雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供了具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中第一场效应晶体管的沟道区域用作第二场效应晶体管的源极/漏极电极，第二场效应晶体管的沟道区域用作第一场效应晶体管的源极/漏极电极。

公开(公告)号：CN101937915A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010229306.6

申请日：2010-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  吴容哲 ,  尹在万 ,  郑铉雨 ,  金铉琦 ,  金冈昱

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/92 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括第一晶体管、第二晶体管、绝缘中间层图案以及电容器。第一晶体管形成在基板的第一区。第一晶体管具有从基板向上突出的柱并且在柱的上部提供有杂质区。第二晶体管形成在基板的第二区。绝缘中间层图案形成在第一区和第二区上以覆盖第二晶体管并且暴露出柱的上表面。绝缘中间层图案的上表面实质上比第一区中的柱的上表面高。电容器形成在柱的上部中的杂质区上并且电连接到该杂质区。

公开(公告)号：CN100530690C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510081046.1

申请日：2005-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  张世明 ,  朴东健 ,  吴容哲 ,  尹恩贞 ,  金根楠

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684

Abstract: 在半导体器件及其制造方法中，半导体器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底，单元区和外围电路区中的部分半导体包括限定有源区的隔离区，部分有源区在隔离区的上表面上突出，以限定至少两个有源沟道，形成在包括至少两个突出的有源沟道的半导体衬底的有源区上的栅介质层，形成在栅介质层和半导体衬底的隔离区上的栅电极，以及形成在栅电极的任一侧边上的半导体衬底的有源区中的源区/漏区。

公开(公告)号：CN101226960A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810003550.3

申请日：2008-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹在万 ,  吴容哲 ,  金熙中 ,  郑铉雨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78642

Abstract: 公开了一种存取器件、半导体器件和制备存取器件和相关半导体器件的方法。该存取器件包括隔开下部源/漏区和上部源/漏区的垂直定向沟道、设置在该沟道上的栅极电介质、和跨该栅极电介质耦合到沟道的统一的栅电极/连接线，其中该统一的栅电极/连接线包括邻近该栅极电介质设置并覆盖该下部源/漏区至少一部分的递减缘部分。

公开(公告)号：CN1482669A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03136040.8

申请日：2003-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张世明 ,  秦教英 ,  吴容哲 ,  金炫昌

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41783 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 具有侧壁的栅形成在集成电路衬底上。在栅的侧壁上形成阻挡层间隔。阻挡层间隔的一部分从栅的侧壁突出，露出面向集成电路衬底的阻挡层间隔的下表面。在从栅的侧壁突出的阻挡层间隔的所述部分上形成硅化物层。也提供了相关的装置。