智能化光纤涂覆层层剥除与光纤切割一体化的切割装置

    公开(公告)号:CN109239846B

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN201811104744.2

    申请日:2018-09-21

    Abstract: 本发明公开了一种智能化光纤涂覆层层剥除与光纤切割一体化的切割装置,包括一控制器和一切割机,控制器与切割机之间设置有导线链接,切割机包括底板、安装在所述底板两自由端的两块立板、滑轨、电机、夹具底座、夹具腔、安装座、手拉件、安装块、切割刀、加热腔、微分头、电磁阀、软管以及真空阀,夹具腔用于夹紧光纤,加热腔用于产生涂覆层剥离所需的温度,并通过剥离件剥;控制器包括用于控制加热腔温度值大小的温度控制单元,用于控制光纤切割或剥离长度大小的位移控制单元和中央处理单元,温度控制单元与位移控制单元均与中央处理单元连接;本发明将光纤涂覆层的剥离功能和光纤的切割功能集成在一起,有效提升了光纤的加工处理效率。

    一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法

    公开(公告)号:CN110648715A

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201910953586.6

    申请日:2019-10-09

    Abstract: 一种低电压SRAM写半选择故障的测试方法,设计出写半选择故障测试元素:{⇕W0⇕W1column0⇕R1column0⇕R0column0'⇕W0⇕W1column1⇕R1column1⇕R0column0'},其中{W1column0}和{W1column1}利用自定义行读写方式,即一种对指定范围的行地址进行有序的读写操作方式,将数据背景写入列地址相同、行地址顺序增加的存储单元,激活敏化出故障,随后进行读操作,将读出数据与期望数据比较,不一致则判断检测出故障。该方法能够弥补传统算法无法覆盖写半选择故障的问题,实现指定故障模型的覆盖,且有效地降低了测试成本。

    一种低电压跨导恒定轨到轨差分放大器

    公开(公告)号:CN107508567B

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201710757542.7

    申请日:2017-08-29

    Inventor: 陈超 蔡志匡

    Abstract: 本发明公开了一种低电压跨导恒定轨到轨差分放大器,该放大器的互补输入级通过主从电路对尾电流进行实时补偿,以确保其电流恒定,主从电路在较宽电压范围内可保证输入差分对跨导恒定,共模检测电路根据输入共模电压选通互补差分对中的一组工作,从而在轨到轨输入下实现跨导恒定,基于以上结构特点,本发明的轨到轨差分放大器可工作在0.65V电压下,在整个轨到轨输入范围内实现了跨导恒定。

    一种基于量子限制斯塔克效应光机电微腔加速度计及其制备方法

    公开(公告)号:CN119780471A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411938716.6

    申请日:2024-12-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于量子限制斯塔克效应的铟镓氮量子阱光机电微腔加速度计,梁激光二极管以硅基氮化物外延片为载体,包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、SiO2层,设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极。本发明在硅衬底上的氮化物材料,利用光刻和ICP刻蚀工艺制备微梁应力敏感区LD发光,通电后,在梁的应力敏感区域得到激光LD。通电情况下,加速度负载前后,由于量子限制斯塔克效应,激光的频率波长会发生变化,通过差频会感知加速度的大小。

    一种TTL电平转换电路
    257.
    发明授权

    公开(公告)号:CN118764023B

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411248884.2

    申请日:2024-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种TTL电平转换电路,属于半导体集成电路技术领域,电平转换模块采用若干串联的D管将输入电平位移为第一目标电平,所述D管为砷化镓耗尽型场效应管;反相器模块包括依次电性连接的第一级反相器和第二级反相器;第一级反相器和第二反相器均包括反相逻辑功能单元、供电支路和负载单元,其中,反相逻辑功能单元分别与供电支路和负载单元供电支路电性连接,且反相逻辑功能单元、供电支路和负载单元中的场效应管均为D管。优点:全部基于耗尽型场效应管和电阻,在不使用增强型场效应管的前提下,设计出符合要求的电平转换电路,促进了单片微波集成电路的简化、小型化,大大提高了工艺上的可适用性。

    一种基于三元反应机制的离子敏感场效应晶体管

    公开(公告)号:CN118671165A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410731637.1

    申请日:2024-06-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于三元反应机制的离子敏感场效应晶体管,属于集成电路技术领域,所述离子敏感场效应晶体管,包括体硅衬底、氧化埋层、沟道、源极、漏极、栅氧化介质层、栅极和绝缘层;所述氧化埋层设于体硅衬底上,所述沟道设于氧化埋层的中部;所述源极和漏极分别设于沟道的左右两侧;所述沟道的上表面低于所述源极和漏极的上表面;所述栅氧化介质层覆盖在两金属电极和沟道上;所述栅极位于所述沟道正上方的栅氧化介质层上,栅极包括在栅氧化介质层上生长的金纳米颗粒和待检测溶液;所述绝缘层覆盖在所述源极和漏极对应的栅氧化介质层上。本发明的离子敏感场效应晶体管通过栅极表面多重的反应和离子捕获形式扩充了可检测离子范围和灵敏度。

    一种基于动态比较器和动态误差补偿的电流频率转换电路

    公开(公告)号:CN114884486B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202210387304.2

    申请日:2022-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于动态比较器和动态误差补偿的电流频率转换电路,包括积分电路、动态比较器、SR锁存器、采样保持电路和时钟源,根据动态误差补偿原理消除误差,把上一转换周期的转换误差,通过延时之后放在当前转换周期中减掉,同时当前周期转换又产生新的误差传入下一个转换周期,前后两次转换时间相加的时候,时间转换误差就能互相抵消,消除动态比较器的时钟沿与过零点不对齐的测量误差问题,本发明选用四输入动态比较器和采样保持电路精简电路,结构简单,有效的解决了动态比较器时钟沿和过零点不对齐的测量误差问题。

    基于桶排序的FSM状态转移覆盖率计算方法及系统

    公开(公告)号:CN118228648A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410351293.1

    申请日:2024-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于桶排序的FSM状态转移覆盖率计算方法及系统,首先根据FSM模型,创建用于存储FSM状态转移信息的数组,以确保状态转移信息的唯一性;再通过解析VCD文件,追踪状态变量的变化,判断是否发生状态转移,当发生状态转移时,利用该状态转移信息将对应的数组元素值从0置为1,将所有提取到的状态转移信息存储到同一个数组中;遍历数组的所有元素并累加数组元素的值,得到产生的状态转移总数或多文件合并状态转移总数,将其除以状态转移总数,计算得到FSM状态转移覆盖率或多文件合并覆盖率。本发明方法实现超大规模FSM状态转移覆盖率高效统计,能有效提高验证效率。

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