公开(公告)号：CN119780471A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411938716.6

申请日：2024-12-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  郭建勋 ,  陈奕彤 ,  颜新悦 ,  秦飞飞 ,  王子轩 ,  蔡志匡

IPC: G01P15/03

Abstract: 本发明公开了一种基于量子限制斯塔克效应的铟镓氮量子阱光机电微腔加速度计，梁激光二极管以硅基氮化物外延片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、SiO2层，设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻和ICP刻蚀工艺制备微梁应力敏感区LD发光，通电后，在梁的应力敏感区域得到激光LD。通电情况下，加速度负载前后，由于量子限制斯塔克效应，激光的频率波长会发生变化，通过差频会感知加速度的大小。

公开(公告)号：CN119780472A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411938717.0

申请日：2024-12-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  郭建勋 ,  陈奕彤 ,  颜新悦 ,  秦飞飞 ,  王子轩 ,  蔡志匡

IPC: G01P15/03

Abstract: 本发明公开了一种基于量子限制斯塔克效应外差式光机电微腔加速度计，加速度计以硅基氮化物外延片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、SiO2层，设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻和ICP刻蚀工艺在一根梁的两个区域制备两个LD。由于应力的不同，两个LD的峰值中心会有频差。通电情况下，加速度负载频差会发生变化，由于频差的变化，可以更加稳定，精确的感知加速度的大小。

公开(公告)号：CN119716141A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411914380.X

申请日：2024-12-24

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  颜新悦 ,  陈奕彤 ,  郭建勋 ,  秦飞飞 ,  王子轩 ,  蔡志匡

IPC: G01P15/093 ,  G01P15/097

Abstract: 本发明公开了一种谐振式InGaN量子阱集成微光机电加速度计装置以及其制备方法，将硅基氮化物晶片作为载体，从下至上的结构依次为硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、InGaN量子阱层、p型氮化镓层，并在p型氮化镓层的上方设置p型电极，在n型氮化镓层边缘的上方设置n型电极。在本发明中，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺在硅衬底上的氮化物材料制备出两个拥有不同形状的谐振梁探测器和月牙形LED，通过具有月牙形LED的发光汇聚到高灵敏度谐振梁，在加速度负载下，谐振梁接收到的光电流周期性变化，通过周期性的共振频率可反推出对应的加速度大小，使具有高灵敏度长直谐振梁的探测装置产生震荡，使之产生周期性变化的电流，感知加速度大小。