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公开(公告)号：CN114336278B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111443872.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法，所述激光发射器以硅基SOI晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、二氧化硅层、二氧化硅支柱层、二氧化硅圆盘层、氧化锌圆盘层；所述激光发射器形成有多个从上至下刻穿氧化锌圆盘层、二氧化硅圆盘层、二氧化硅支柱层直至二氧化硅层的孔洞。本发明激光发射器具有极高的光学增益和极低的损耗，利于光电子器件集成，具有高品质低阈值低损耗的优势，其制备方法具有工艺性好、加工精度高的优势。
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公开(公告)号：CN115189226A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210782463.2
申请日：2022-07-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种Si‑GaN悬空波导单模激光器及制备方法、电调控系统及方法，激光器以硅基氮化物晶片为载体，从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、N型氮化镓层，量子井层，P型氮化镓层和设置在氮化镓层上表面的电极。悬臂梁和两侧电极支架构成器件主体，电极结构则采用悬臂梁配合电极正下方支撑体的结构。本发明在硅衬底上的氮化物材料上，利用光刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺，实现两侧引脚支持结构的上下分层，以达到控制电流导通的目的，并用蒸镀方法制备Au电极结构。本发明在光激发条件下通过光谱仪对出射激光进行光谱分析协同电源对电流的调节引入焦耳热构成负反馈机制，实现对出射激光的模式的调控。
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公开(公告)号：CN114354557A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210004721.4
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光成像装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光成像装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底朝向所述样品台一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底背离所述样品台一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；相机，位于所述透镜上方。本发明简化了荧光成像过程中的光路结构，缩小荧光成像装置的体积，简化荧光成像装置的制作流程。
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公开(公告)号：CN114047143A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111145169.2
申请日：2021-09-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种基于氮化镓发光二极管的手持式液体浓度传感器，包括握持件和设置于握持件端部的U形槽，所述握持件和U形槽一体化成型；所述握持件内集成有电源和数据采集模块，所述U形槽的相对的两个内侧分别设有发光二极管和光电探测器；所述电源分别与数据采集模块、发光二极管和光电探测器相连，所述数据采集模块与光电探测器相连；所述发光二极管和光电探测器的外表面分别形成有防水层，所述防水层与U形槽一体化成型。本发明结构简单、造价低且适合大范围应用。
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公开(公告)号：CN113624992A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110847839.9
申请日：2021-07-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01P15/093 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种电泵加速度传感器及其制备方法，所述加速度传感器包括质量块和悬空波导结构，质量块设置在悬空波导结构的中间位置；悬空波导结构包括从下到上依次设置的硅衬底层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、p型电极和n型电极，其中，量子阱层设置在n型氮化镓层上表面的一侧，硅衬底层支撑u型氮化镓层下方的两端。所述制备方法在硅衬底氮化物外延片上，利用光刻、ICP干法刻蚀、硅湿法刻蚀工艺制备悬空波导结构的氮化物微腔。本发明将光源与传感器件聚焦在一个氮化镓的悬空波导光学谐振腔上，制备的加速度传感器可以进行高密度的光电集成，具有更高的分辨率和灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119716141A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411914380.X
申请日：2024-12-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01P15/093 , G01P15/097
Abstract: 本发明公开了一种谐振式InGaN量子阱集成微光机电加速度计装置以及其制备方法，将硅基氮化物晶片作为载体，从下至上的结构依次为硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、InGaN量子阱层、p型氮化镓层，并在p型氮化镓层的上方设置p型电极，在n型氮化镓层边缘的上方设置n型电极。在本发明中，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺在硅衬底上的氮化物材料制备出两个拥有不同形状的谐振梁探测器和月牙形LED，通过具有月牙形LED的发光汇聚到高灵敏度谐振梁，在加速度负载下，谐振梁接收到的光电流周期性变化，通过周期性的共振频率可反推出对应的加速度大小，使具有高灵敏度长直谐振梁的探测装置产生震荡，使之产生周期性变化的电流，感知加速度大小。
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公开(公告)号：CN118825582A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410956326.5
申请日：2024-07-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铪/氧化锌射频开关的移相器及其制备方法，移相器以硅基晶片为载体，以金属铂和金属银作为射频开关器件的电极层，用以氧化铪作为射频开关的阻变材料，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、镍层、铂层、氧化铪层、银层、氮化钛层、镍层、铜层，串联多个相同长度传输线的射频开关，并对串联后的结构设计一个控制电路，用于生成并发送控制信号，实现移相器进行多相位移动的功能。本发明在硅衬底上利用光刻工艺和PVD磁控溅射镀膜工艺制备移相器，制备方法工艺简单，成本低。制备的移相器具有优异的性能和良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117148479A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311111721.5
申请日：2023-08-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了微纳米光学领域的一种宽波段复合超透镜及其制备方法，旨在解决宽波段成像的技术问题。其包括：二氧化硅衬底层，还包括：二氧化钛纳米圆柱，以所述二氧化硅衬底层为基底，以及位于所述基底表面的若干二氧化钛纳米圆柱，通过改变所述二氧化钛纳米圆柱的半径，用于实现在所述二氧化钛纳米圆柱半径范围内满足2π的相位分布；在所述二氧化钛纳米圆柱表面旋涂上转纳米颗粒，用于改变穿过所述超透镜的频谱光束的波长。本发明应用于微光夜视仪前端光学系统，能够在平面上实现对光波相位、振幅、偏振等参数的灵活调控，并且将近入射光转化为可见的出射光，进而实现宽波段成像的效果。
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公开(公告)号：CN116613254A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310465255.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/00 , H10N30/87 , H10N30/30 , H10N30/01 , H10N30/071
Abstract: 本发明公开了一种基于量子限制斯塔克效应的白光LED及其制备方法，LED以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在p型氮化镓层上的p型电极、设置在n型氮化镓层边缘的n型电极。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺制备具有三条不同宽度纳米梁的LED，利用三根梁在静重力的作用下发生形变造成的压电极化场会诱导铟镓氮量子阱的材料的量子限制斯塔克效应，由于每根梁的形变不同，导致量子限制斯塔克效应对其的减弱程度也不同的，宽度最大的梁，发红光，宽度居中的梁，发绿光，宽度最小的梁光谱蓝移，发蓝光；经三者复合，整体显现白光。
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公开(公告)号：CN114256735A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111355966.3
申请日：2021-11-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种电泵氮化物悬空圆环光频梳激光器及其制备方法，激光器以硅基氮化物外延片为载体，包括自下而上依次设置的硅衬底层、设置在硅衬底底层上表面的n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在p型氮化镓层上的二硫化钼层、p型电极、设置在n型氮化镓层上表面中心的n型电极；激光器具有圆环微腔结构，圆环微腔结构的下方由硅衬底层支撑。制备方法在硅衬底氮化物外延片上，利用光刻、ICP氮化物干法刻蚀、硅湿法刻蚀、电子束蒸镀工艺制备悬空圆环结构的氮化物微腔，将二维材料沉积在p型氮化镓表面，作为频梳的发光区，在圆环发光区和环形微腔增益区重合的表面蒸镀Ni/Au，在圆环中心的n型氮化镓表面蒸镀Ni/Au，最终制备电泵浦光频梳激光器。
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