公开(公告)号：CN116499460A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310470161.6

申请日：2023-04-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  孙志伟 ,  樊学峰 ,  秦飞飞 ,  孙雷孟 ,  梁金星

IPC: G01C21/16 ,  G01C25/00 ,  G03F7/00 ,  C23C14/30 ,  C23C14/18 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓的八梁结构惯导系统及其制备方法，该惯导系统以硅基氮化物为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层进行悬空，形成一个位于氮化铝层下方的上窄下宽的梯形底座。整个惯导系统由4个p型和4个n型电极首尾相连，构成一个正八边形，分别测量东西南北以及东北、东南、西北、西南八个方向的角速度和线速度。

公开(公告)号：CN116477562A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310472870.8

申请日：2023-04-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  孙志伟 ,  樊学峰 ,  秦飞飞 ,  孙雷孟 ,  梁金星

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/201 ,  H01L29/20 ,  G01P15/18

Abstract: 本发明公开了一种基于电泵浦片上InGaN量子肼梁三轴加速度计的设计及其制备方法，该三轴加速度计以硅基氮化物为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层进行悬空，形成一个位于氮化铝层下方的上窄下宽的梯形底座。整个三轴加速度计由2个p型和2个n型电极首尾相连，构成一个正四边形，可以测量水平方向x轴和y轴以及垂直方向z轴的加速度。

公开(公告)号：CN117148479A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311111721.5

申请日：2023-08-31

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  孙雷孟 ,  孙志伟 ,  秦飞飞 ,  樊学峰

IPC: G02B1/00 ,  G02B3/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了微纳米光学领域的一种宽波段复合超透镜及其制备方法，旨在解决宽波段成像的技术问题。其包括：二氧化硅衬底层，还包括：二氧化钛纳米圆柱，以所述二氧化硅衬底层为基底，以及位于所述基底表面的若干二氧化钛纳米圆柱，通过改变所述二氧化钛纳米圆柱的半径，用于实现在所述二氧化钛纳米圆柱半径范围内满足2π的相位分布；在所述二氧化钛纳米圆柱表面旋涂上转纳米颗粒，用于改变穿过所述超透镜的频谱光束的波长。本发明应用于微光夜视仪前端光学系统，能够在平面上实现对光波相位、振幅、偏振等参数的灵活调控，并且将近入射光转化为可见的出射光，进而实现宽波段成像的效果。

公开(公告)号：CN116613254A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310465255.4

申请日：2023-04-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  樊学峰 ,  孙志伟 ,  秦飞飞 ,  孙雷孟 ,  杨俊波

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H10N30/87 ,  H10N30/30 ,  H10N30/01 ,  H10N30/071

Abstract: 本发明公开了一种基于量子限制斯塔克效应的白光LED及其制备方法，LED以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在p型氮化镓层上的p型电极、设置在n型氮化镓层边缘的n型电极。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺制备具有三条不同宽度纳米梁的LED，利用三根梁在静重力的作用下发生形变造成的压电极化场会诱导铟镓氮量子阱的材料的量子限制斯塔克效应，由于每根梁的形变不同，导致量子限制斯塔克效应对其的减弱程度也不同的，宽度最大的梁，发红光，宽度居中的梁，发绿光，宽度最小的梁光谱蓝移，发蓝光；经三者复合，整体显现白光。

公开(公告)号：CN116387424A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310465203.7

申请日：2023-04-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  樊学峰 ,  孙志伟 ,  秦飞飞 ,  孙雷孟 ,  杨俊波

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H10N30/30 ,  H10N30/87 ,  H10N30/01 ,  H10N30/071

Abstract: 本发明公开了一种基于压电效应的自供给LED发光芯片及其制备方法，以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在p型氮化镓层上的p型电极、设置在n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层之上全部刻蚀掉，仅保留电极图形及梁下面部分，n型氮化镓层边缘处上方的量子阱层和p型氮化镓层刻蚀掉，n型电极设置在裸露出的n型氮化镓层上侧面上。上面较宽较短的梁用于发光，下面较细较长的梁用于发生强烈的机械振动，从而由于压电效应产生极化电荷，为上面的梁供电。本发明的优势在于无需供电，在静重力的作用下，LED即可发光，便于用在一些不方便连接电子线路的场合。