公开(公告)号：CN116613254A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310465255.4

申请日：2023-04-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  樊学峰 ,  孙志伟 ,  秦飞飞 ,  孙雷孟 ,  杨俊波

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H10N30/87 ,  H10N30/30 ,  H10N30/01 ,  H10N30/071

Abstract: 本发明公开了一种基于量子限制斯塔克效应的白光LED及其制备方法，LED以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在p型氮化镓层上的p型电极、设置在n型氮化镓层边缘的n型电极。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺制备具有三条不同宽度纳米梁的LED，利用三根梁在静重力的作用下发生形变造成的压电极化场会诱导铟镓氮量子阱的材料的量子限制斯塔克效应，由于每根梁的形变不同，导致量子限制斯塔克效应对其的减弱程度也不同的，宽度最大的梁，发红光，宽度居中的梁，发绿光，宽度最小的梁光谱蓝移，发蓝光；经三者复合，整体显现白光。

公开(公告)号：CN116387424A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310465203.7

申请日：2023-04-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  樊学峰 ,  孙志伟 ,  秦飞飞 ,  孙雷孟 ,  杨俊波

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H10N30/30 ,  H10N30/87 ,  H10N30/01 ,  H10N30/071

Abstract: 本发明公开了一种基于压电效应的自供给LED发光芯片及其制备方法，以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在p型氮化镓层上的p型电极、设置在n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层之上全部刻蚀掉，仅保留电极图形及梁下面部分，n型氮化镓层边缘处上方的量子阱层和p型氮化镓层刻蚀掉，n型电极设置在裸露出的n型氮化镓层上侧面上。上面较宽较短的梁用于发光，下面较细较长的梁用于发生强烈的机械振动，从而由于压电效应产生极化电荷，为上面的梁供电。本发明的优势在于无需供电，在静重力的作用下，LED即可发光，便于用在一些不方便连接电子线路的场合。