一种GaN光机械微盘加速度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116609549A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310563061.8

    申请日:2023-05-18

    Abstract: 本发明公开了一种GaN光机械微盘加速度传感器及其制备方法,传感器包括硅衬底层,硅衬底层的底部支撑层上形成一体连接的第一支撑部、第二支撑部和第三支撑部,第一支撑部、第二支撑部和第三支撑部上端分别设置有第一氮化物圆盘、第二氮化物圆盘和第三氮化物圆盘,第一氮化物圆盘与第二氮化物圆盘之间设置有一体连接的悬空连接梁,第三氮化物圆盘位于第一氮化物圆盘与第二氮化物圆盘之间,悬空连接梁、第一氮化物圆盘、第二氮化物圆盘和第三氮化物圆盘均由上下设置的氮化铝层和氮化镓层构成。本发明提供的一种GaN光机械微盘加速度传感器及其制备方法,能够避免电学噪声的干扰,加速度传感器的灵敏度和分辨率更高,量程更大。

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