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公开(公告)号:CN116499460A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202310470161.6
申请日:2023-04-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓的八梁结构惯导系统及其制备方法,该惯导系统以硅基氮化物为载体,包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极,硅衬底层进行悬空,形成一个位于氮化铝层下方的上窄下宽的梯形底座。整个惯导系统由4个p型和4个n型电极首尾相连,构成一个正八边形,分别测量东西南北以及东北、东南、西北、西南八个方向的角速度和线速度。
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公开(公告)号:CN116477562A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202310472870.8
申请日:2023-04-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电泵浦片上InGaN量子肼梁三轴加速度计的设计及其制备方法,该三轴加速度计以硅基氮化物为载体,包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极,硅衬底层进行悬空,形成一个位于氮化铝层下方的上窄下宽的梯形底座。整个三轴加速度计由2个p型和2个n型电极首尾相连,构成一个正四边形,可以测量水平方向x轴和y轴以及垂直方向z轴的加速度。
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公开(公告)号:CN116609549A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310563061.8
申请日:2023-05-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01P15/097
Abstract: 本发明公开了一种GaN光机械微盘加速度传感器及其制备方法,传感器包括硅衬底层,硅衬底层的底部支撑层上形成一体连接的第一支撑部、第二支撑部和第三支撑部,第一支撑部、第二支撑部和第三支撑部上端分别设置有第一氮化物圆盘、第二氮化物圆盘和第三氮化物圆盘,第一氮化物圆盘与第二氮化物圆盘之间设置有一体连接的悬空连接梁,第三氮化物圆盘位于第一氮化物圆盘与第二氮化物圆盘之间,悬空连接梁、第一氮化物圆盘、第二氮化物圆盘和第三氮化物圆盘均由上下设置的氮化铝层和氮化镓层构成。本发明提供的一种GaN光机械微盘加速度传感器及其制备方法,能够避免电学噪声的干扰,加速度传感器的灵敏度和分辨率更高,量程更大。
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