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公开(公告)号：CN114354557B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210004721.4
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光成像装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光成像装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底朝向所述样品台一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底背离所述样品台一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；相机，位于所述透镜上方。本发明简化了荧光成像过程中的光路结构，缩小荧光成像装置的体积，简化荧光成像装置的制作流程。
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公开(公告)号：CN114371155B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202210004730.3
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光光谱测试装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光光谱测试装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底另一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；光纤，位于所述透镜上方；光谱仪，用于接收并分析所述光纤传输的所述激发荧光信号。本发明缩小了荧光光谱测试装置的体积，简化荧光光谱测试装置的光路结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114371155A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210004730.3
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光光谱测试装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光光谱测试装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底另一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；光纤，位于所述透镜上方；光谱仪，用于接收并分析所述光纤传输的所述激发荧光信号。本发明缩小了荧光光谱测试装置的体积，简化荧光光谱测试装置的光路结构。
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公开(公告)号：CN114582912A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210098679.7
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成式光电耦合器及其制作方法，包括设在同一块GaN基外延晶圆上的可见光LED和一个光敏VMOSFET；所述可见光LED作为光发射器，用于将电信号转换为光信号，所述可见光LED与所述光敏VMOSFET位于同一块衬底上，并通过隔离深槽实现物理和电学上的分隔；本发明的光电耦合器各个部件制作在同一块芯片上，即实现了单片集成，可带来体积小、功耗低、速度快、可靠性高、制造批量化等显著优势。
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公开(公告)号：CN114354557A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210004721.4
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光成像装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光成像装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底朝向所述样品台一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底背离所述样品台一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；相机，位于所述透镜上方。本发明简化了荧光成像过程中的光路结构，缩小荧光成像装置的体积，简化荧光成像装置的制作流程。
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公开(公告)号：CN118538750A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410573854.2
申请日：2024-05-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/15 , H01L33/00 , H01L21/336 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及的集成光电子技术领域，公开了一种有源寻址全彩显示阵列及其制作方法，包括由位于地址线、数据线、地线和高电位线上的多个基本显示像素点组成，所述基本显示像素点包括依次排列开的红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元，上述发光单元由开关晶体管、驱动晶体管、存储电容和微型LED构成。该有源寻址全彩显示阵列及其制作方法，驱动电路和全彩微型LED阵列均基于单色LED晶圆的III‑V族外延层设计并制备，开辟一种显著区别于传统异质集成的全新同质集成显示路线，该有源驱动全彩显示芯片未引入量子点或其他薄膜晶体管材料，简化了材料体系、加工过程以及互连复杂度，具有可靠性和成本优势。
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公开(公告)号：CN114582911A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210098675.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/15 , H01L33/00 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种光电集成器件及其制作方法，包括：多个有序排列的基本单元，所述基本单元包括多量子阱MicroLED和垂直结构GaN MOSFET；所述蓝宝石衬底的顶层设有键合介质层，所述蓝宝石衬底的底层为器件的出光面；所述多量子阱Micro LED设于键合介质层的顶层；所述垂直结构GaN MOSFET设于多量子阱Micro LED的上方，所述垂直结构GaN MOSFET的漏区与所述多量子阱Micro LED的N区通过共享二极管N‑GaN结构层串联；本发明的发光器件与驱动电子器件制作在同一块芯片上，不仅可利用现有的GaN工艺平台实现批量化制造，降低生产成本，还具备体积小、速度快、可靠性高的显著优势；GaN MOSFET采用新颖的垂直结构设计，可极大地缩短驱动晶体管的沟道长度，对提升集成器件的性能和集成度具有重要意义。
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