公开(公告)号：CN114582912A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210098679.7

申请日：2022-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 严嘉彬 ,  石帆 ,  杨凌云 ,  吴洁 ,  戴叶玲

IPC: H01L27/15 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种单片集成式光电耦合器及其制作方法，包括设在同一块GaN基外延晶圆上的可见光LED和一个光敏VMOSFET；所述可见光LED作为光发射器，用于将电信号转换为光信号，所述可见光LED与所述光敏VMOSFET位于同一块衬底上，并通过隔离深槽实现物理和电学上的分隔；本发明的光电耦合器各个部件制作在同一块芯片上，即实现了单片集成，可带来体积小、功耗低、速度快、可靠性高、制造批量化等显著优势。

公开(公告)号：CN114582911A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210098675.9

申请日：2022-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 严嘉彬 ,  石帆 ,  杨凌云 ,  吴洁 ,  戴叶玲

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种光电集成器件及其制作方法，包括：多个有序排列的基本单元，所述基本单元包括多量子阱MicroLED和垂直结构GaN MOSFET；所述蓝宝石衬底的顶层设有键合介质层，所述蓝宝石衬底的底层为器件的出光面；所述多量子阱Micro LED设于键合介质层的顶层；所述垂直结构GaN MOSFET设于多量子阱Micro LED的上方，所述垂直结构GaN MOSFET的漏区与所述多量子阱Micro LED的N区通过共享二极管N‑GaN结构层串联；本发明的发光器件与驱动电子器件制作在同一块芯片上，不仅可利用现有的GaN工艺平台实现批量化制造，降低生产成本，还具备体积小、速度快、可靠性高的显著优势；GaN MOSFET采用新颖的垂直结构设计，可极大地缩短驱动晶体管的沟道长度，对提升集成器件的性能和集成度具有重要意义。