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公开(公告)号：CN119483556A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411355613.7
申请日：2024-09-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K17/081 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种射频开关，本发明在传统电路中加入并联电感进行匹配，可采用低Ron结构，实现了射频开关的低插入损耗和高隔离度，并且电感的增设相较于传统的增加开关管数量，减小了开关面积。
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公开(公告)号：CN118783069B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411263402.0
申请日：2024-09-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明设计了一种基于T型等效电路的集总功分器及其设计方法，集总功分器包括输入端口、两个输出端口以及两条支路；所述两条支路对称相同；所述两条支路的输入端与所述输入端口连接，所述两条支路的输出端与至少两个输出端口一一对应连接；一条所述支路至少包括第一阶电磁混合耦合的T型等效电路、第二阶T型等效电路和第三阶T型等效电路。通过上述设计保证功分器实现在各波段超宽带频段内的良好工作性能，电磁混合耦合的T型等效电路有效的拓展了带宽，采用电阻与电容进行隔离在工作频段内具有高隔离度、低插损、良好输入输出阻抗匹配性能，满足了现阶段市场需求。
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公开(公告)号：CN118764023B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411248884.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种TTL电平转换电路，属于半导体集成电路技术领域，电平转换模块采用若干串联的D管将输入电平位移为第一目标电平，所述D管为砷化镓耗尽型场效应管；反相器模块包括依次电性连接的第一级反相器和第二级反相器；第一级反相器和第二反相器均包括反相逻辑功能单元、供电支路和负载单元，其中，反相逻辑功能单元分别与供电支路和负载单元供电支路电性连接，且反相逻辑功能单元、供电支路和负载单元中的场效应管均为D管。优点：全部基于耗尽型场效应管和电阻，在不使用增强型场效应管的前提下，设计出符合要求的电平转换电路，促进了单片微波集成电路的简化、小型化，大大提高了工艺上的可适用性。
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公开(公告)号：CN118740090B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411234828.3
申请日：2024-09-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种集成负载阻抗匹配的正交全通滤波器及芯片电路，正交全通滤波器包括差分正交网络结构；所述正交全通滤波器设置有正交差分信号的正输入端口Vin+、负输入端口Vin‑、正输出端口VI+、VQ+和负输出端口VI‑、VQ‑；所述电感器L3与正输出端口VI+端口之间添增有第五电感器L5；所述电容器C3与负输出端口VQ‑端口之间添增有第六电感器L6；所述电容器C4与正输出端口VQ+端口之间添增有第七电感器L7；所述电感器L4与负输出端口VI‑端口之间添增有第八电感器L8。本发明通过在四个输出端串联电感来抵消负载端的容性阻抗，从而达到纯电阻阻抗匹配的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118764023A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411248884.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种TTL电平转换电路，属于半导体集成电路技术领域，电平转换模块采用若干串联的D管将输入电平位移为第一目标电平，所述D管为砷化镓耗尽型场效应管；反相器模块包括依次电性连接的第一级反相器和第二级反相器；第一级反相器和第二反相器均包括反相逻辑功能单元、供电支路和负载单元，其中，反相逻辑功能单元分别与供电支路和负载单元供电支路电性连接，且反相逻辑功能单元、供电支路和负载单元中的场效应管均为D管。优点：全部基于耗尽型场效应管和电阻，在不使用增强型场效应管的前提下，设计出符合要求的电平转换电路，促进了单片微波集成电路的简化、小型化，大大提高了工艺上的可适用性。
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公开(公告)号：CN118764021A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411241507.6
申请日：2024-09-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K19/00 , H03K19/173
Abstract: 本发明公开了一种反相电路以及TTL电路，包括晶体管一、晶体管二、晶体管三和电阻一，晶体管一、晶体管二、晶体管三均采用增强型伪高电子迁移率晶体管；晶体管一的栅极接晶体管三的栅极，并作为反相电路的输入端，晶体管一的源极接电源电压VEE，晶体管一的漏极分别接电阻一的一端、晶体管二的栅极，电阻一的另一端和晶体管二的漏极接地，晶体管二的源极和晶体管三的漏极相接，并作为反相电路的输出端，晶体管三的源极接电源电压。优点：大大提高电路的可靠性，整形波形，使输出电压更加接近0V和‑5V，提高驱动负载能力；减少成本，降低系统复杂度，同时该驱动电路功耗较低，提供良好的驱动能力。
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公开(公告)号：CN118764016B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411246949.X
申请日：2024-09-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K17/693 , H03K17/06
Abstract: 本发明公开了一种射频开关控制电路、射频开关及控制方法，属于半导体电路技术领域。电平转换模块接收TTL逻辑输入电平，将TTL逻辑输入电平转变为若干路目标输出电平；互补反向输出模块接收若干路目标输出电平，根据每一路的目标输出电平通过一级反相器和二级反相器输出互补的两路电平，通过所述两路电平共同控制射频开关的串并联互补开关的开闭；同或逻辑输出模块接收互补反向输出模块输出的所有互补的两路电平，对所有互补的两路电平进行与门和或门逻辑处理，输出控制射频开关的单个MOS开关的一路电平。本发明实现了用很少路的数字输入，产生更多路数字降压输出的目的，减小芯片引脚数目，实现芯片小型化设计，满足现阶段的市场要求。
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公开(公告)号：CN118783952B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411245028.1
申请日：2024-09-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K19/0175 , H01F19/00
Abstract: 本发明公开了一种基于变压器的新型差分正交耦合器及芯片电路，包括两组变压器、两个输入耦合电容、两个输出耦合电容和隔离电阻；所述两组变压器镜像对称设置；一组所述变压器包括相耦合的直通电感和耦合电感；所述直通电感的输入端连接一个所述信号输入端，输出端连接一个所述直通输出端口；所述耦合电感的端口一通过输入耦合电容连接所述直通电感的输入端，所述耦合电感的端口二通过输出耦合电容连接所述直通电感的输出端；所述耦合电感的端口二作为ISO隔离端口，两个所述耦合电感的端口二通过隔离电阻连接。本发明的耦合器与传统耦合器相比，在保障宽带和低插损的同时，性能更优，尺寸更小，设计难度大大降低，具有更加广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118783069A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411263402.0
申请日：2024-09-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明设计了一种基于T型等效电路的集总功分器及其设计方法，集总功分器包括输入端口、两个输出端口以及两条支路；所述两条支路对称相同；所述两条支路的输入端与所述输入端口连接，所述两条支路的输出端与至少两个输出端口一一对应连接；一条所述支路至少包括第一阶电磁混合耦合的T型等效电路、第二阶T型等效电路和第三阶T型等效电路。通过上述设计保证功分器实现在各波段超宽带频段内的良好工作性能，电磁混合耦合的T型等效电路有效的拓展了带宽，采用电阻与电容进行隔离在工作频段内具有高隔离度、低插损、良好输入输出阻抗匹配性能，满足了现阶段市场需求。
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