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公开(公告)号：CN103898474B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210579396.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：1）在基底上引入SbCl3脉冲，清洗未被吸收的SbCl3，然后引入(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）引入H2与Si2H6混合脉冲，清洗残余的H2与Si2H6，然后引入WF6脉冲，清洗残余WF6和反应副产物；3）引入SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物；4）重复上述步骤1）~2），或步骤1）~3），形成循环周期。基于本方法可制备出相应的相变存储单元。采用本发明方法制备的钨-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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公开(公告)号：CN102339951B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110160543.6
申请日：2011-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器，其存储单元尺寸在10F2以下，所使用的相变材料为：二元材料SbxM100-x，40≦x≦98，或三元材料MySbxTe100-x，40≦x≦98，1≦y≦40。本发明所提供的该相变存储器单元，具有超快的相变速度，超低的功耗，超强的疲劳使用寿命，以及适中的高低电阻比例和适中的数据保持能力。克服了传统DRAM器件在亚28纳米工艺节点之后所遇到的技术瓶颈，可实现对DRAM的替代。
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公开(公告)号：CN103483884B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310442795.7
申请日：2013-09-25
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及化学工程领域，特别是涉及一种高性能水性无机涂料及其制备方法。本发明提供一种高性能水性无机涂料，所述高性能水性无机涂料的原料按重量份计，包括如下组分：硅溶胶20~35份；聚合物溶液5~15份；颜料5~15份；填充剂15~30份；消泡剂0.5~1.5份；成膜助剂1~2份；增稠剂0.05~0.5份；水20~35份。本发明所提供的水性无机涂料，在引入有机高分子溶液的同时，优化了颜料、填料、消泡剂及成膜助剂的比例，得到了对环境无害、显著的强粘附性、优异的流平性及光泽性等特点的高性能水性无机涂料。此制备方法简单可靠、成本低廉，非常适用于工业生产和应用。
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公开(公告)号：CN103497340B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310442823.5
申请日：2013-09-25
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒的制备方法，为：（1）制备经表面活性剂表面改性的聚苯乙烯颗粒的水溶液；（2）制备用连接剂和硅酸的水溶液，用pH调节剂调节其pH值为碱性，制得经连接剂处理的硅酸的碱性水溶液；（3）调节步骤（1）制得的经表面活性剂表面改性的聚苯乙烯颗粒的水溶液为碱性，机械搅拌加热条件下，逐滴滴加步骤（2）制得的经连接剂处理的硅酸的碱性水溶液，进行聚合反应；（4）反应结束后，停止加热，继续搅拌冷却至室温制得所述的聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒；该制备方法具有成本低廉、易于生产的特点。
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公开(公告)号：CN103560205B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310539734.2
申请日：2013-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在图形表面形成一层电介质并采用光刻与刻蚀技术定义出电介质图形，使电介质在上电极表面悬出；在上述结构表面包覆一层电介质，同时形成中空结构；再次沉积一层电介质封盖上述的中空结构从而形成空气间隔；本发明的空气间隔，一方面增大相变单元间的热阻，减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102866896B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110186989.6
申请日：2011-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F9/445
Abstract: 本发明提供一种基于单存储器的嵌入式设备的启动系统，其至少包括：中央处理器，系统总线，外围总线设备，以及一单类型存储器，其中，所述单类型存储器通过所述系统总线与所述中央处理器连接，所述单类型存储器划分有启动程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及系统RAM区，以使所述嵌入式设备在常规和XIP的两种启动模式下执行启动作业，进而可实现存储空间的共享，根据需求可以调整各个存储区的大小，便于实现软件升级及嵌入式设备的高效运行；同时可简化CPU接口，节约I/O引脚数量，在一些应用中甚至可以使用不带DRAM控制器的CPU以达到节约成本的目的。
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公开(公告)号：CN103325940B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310213980.9
申请日：2013-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制造方法，本发明在不增加工艺复杂度的情况下，巧妙简单地在第一下电极与相变材料层之间形成具有真空孔洞的第二下电极，提高器件的加热效率促使恰好能够实现RESET操作的有效操作区域减小，不仅降低功耗，减低操作电流，尤其是减小多晶向非晶转化时的操作电流，还可以提高器件的热稳定性，其中，一方面减小器件操作对周围存储单元的串扰，提高器件密度，另一方面减小多晶向非晶转化造成成分偏析的程度，有效地提升器件良率和读写次数。从而，应用本发明相变存储单元的相变存储器具有低功耗、高密度和高热稳定性等特点，是一种可实现对信息的写入、擦除和读出功能的非易失性半导体存储器。
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公开(公告)号：CN102820056B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110151742.0
申请日：2011-06-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C2013/0054
Abstract: 一种相变存储器的数据读出电路，涉及一个或多个相变存储单元，每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路连接；所述数据读出电路包括：钳位电压产生电路，用于产生钳位电压；预充电电路，在钳位电压的控制下对位线进行快速充电；钳位电流产生电路，在钳位电压的控制下产生使位线维持在钳位平衡态时的钳位电流；钳位电流运算电路，将钳位电流进行求差和倍乘运算，增大高阻态时钳位电流和低阻态时钳位电流的差值；比较放大电路，将经过运算处理后的钳位电流与参考电流比较，输出读出结果。相比于现有技术，本发明的相变存储器的数据读出电路能有效地提高数据的读出速度、减小高低阻间的误读窗口、减小数据读出时的串扰、提高读出数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN104592896A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410852464.5
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及重量百分含量：氧化物抛光颗粒5~50wt%，氧化剂0.1~2wt%，螯合剂0.01~2wt%，络合剂0.01~2wt%，表面活性剂0.01~2wt%，余量为pH调节剂和水。采用本发明中公开的化学机械抛光液能够达到高的金属移除效率；高的金属表面质量，无明显橘皮、腐蚀坑和划伤等缺陷。
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公开(公告)号：CN104559927A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410838043.7
申请日：2014-12-25
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多孔二氧化硅颗粒以及含有所述多孔二氧化硅颗粒的化学机械抛光液，所述多孔二氧化硅颗粒通过如下方法制备获得：采用聚乙烯吡咯烷酮作为保护剂吸附于二氧化硅实心球颗粒表面，再利用氢氧化钠刻蚀形成表面具有多孔结构的多孔二氧化硅颗粒。本发明采用表面保护和刻蚀的方法制备获得的多孔二氧化硅可用于抛光液的磨料，所采用的表面保护剂为抛光液中所需要的成分或不影响抛光性能的成分，该方法不需要经过高温过程，保持了二氧化硅溶胶良好的分散性和稳定性，抛光液中的化学成分可有效地吸附在二氧化硅表面，增强磨料的化学活性，提高抛光效率。
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