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公开(公告)号：CN102569362A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110447978.9
申请日：2011-12-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/10 , H01L27/115 , G11C11/4063
CPC classification number: H01L27/1156 , G11C11/404 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及存储设备、存储模块及电子设备。第一晶体管包括作为源极和漏极的第一和第二电极，以及与第一沟道形成区重叠的第一栅电极，在第一沟道形成区和第一栅电极之间设置绝缘膜。第二晶体管包括作为源极和漏极的第三和第四电极，以及第二沟道形成区，该第二沟道形成区设置在第二栅电极和第三栅电极之间，且在该第二沟道形成区和该第二栅电极之间以及在该第二沟道形成区和该第三栅电极之间设置有绝缘膜。所述第一和第二沟道形成区包含氧化物半导体，且所述第二电极连接于所述第二栅电极。
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公开(公告)号：CN101604696B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810127926.1
申请日：2001-12-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供了一种半导体设备及其制造方法。按照本发明的一个方面，半导体设备包括：在一个衬底上的象素部分，包括至少一个第一n沟道型薄膜晶体管和至少一个电镀的源布线，该n沟道型薄膜晶体管包括在一个绝缘表面上的一个半导体层，在该半导体层上的一个绝缘薄膜和在该绝缘薄膜上的一个栅极；一个在该衬底上的驱动电路，包括至少第二和第三n沟道薄膜晶体管；一个在该衬底上的电镀的端子部分。
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公开(公告)号：CN102404591A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110274438.5
申请日：2011-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
CPC classification number: H04N13/341 , G02B27/22 , G02B27/2264 , G09G3/003 , G09G3/32 , G09G3/3208 , G09G3/3233 , G09G2300/0452 , G09G2300/0814 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2320/0209 , H01L27/12 , H01L27/1225
Abstract: 本发明公开了一种EL显示装置、EL显示装置的驱动方法以及电子装置。本发明涉及感知立体图像的EL显示装置和具有切换装置的眼镜，利用该切换装置选择性地感知针对左眼的图像或针对右眼的图像。通过在第一时段中将来自信号线的图像信号保持在第一电容器中，在第二时段中将保持在第一电容器中的图像信号保持在第二电容器中以控制流过发射控制晶体管的电流，以及在第三时段中接通驱动晶体管以控制发光元件的光发射并将来自信号线的图像信号保持在第一电容器中，来在EL显示装置的显示部分中显示针对左眼的图像和针对右眼的图像。
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公开(公告)号：CN1982965B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200710008327.3
申请日：2001-08-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/2018 , G09G3/3659 , G09G3/3688 , G09G2300/0809 , G09G2300/0852 , G09G2300/0857 , G09G2310/027
Abstract: 本发明的目的之一是提供带有具有新电路结构的驱动电路和像素、能够有低功耗的液晶显示装置。在使用n位数字图像信号(n为整数)显示图像的液晶显示装置中，通过在每个像素中装入n×m个存储电路(m为整数)，它包括在像素中存储m帧数字图像信号的功能(在实例的所示附图中，n＝3，m＝2，3位×2帧被存储在存储电路A1至A3和B1至B3内)。因此，在显示静止图像时，通过重复读取暂时存储在存储电路中的数字图像信号并且在每帧中显示，可以停止源信号线驱动电路在这段时间内的驱动，以减小液晶显示装置的功耗。
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公开(公告)号：CN102317996A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007997.3
申请日：2010-04-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06F1/1652 , G02F1/133305 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , G06F1/1616 , G06F1/1635 , G06F1/1643 , G06F1/1647 , G06F3/1423 , G06F3/147 , G09G3/20 , G09G3/2096 , G09G3/3225 , G09G3/344 , G09G3/3648 , G09G5/003 , G09G2300/08 , G09G2310/0218 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0281 , G09G2330/02 , G09G2330/021 , G09G2360/144 , G09G2380/02 , G09G2380/14
Abstract: 本发明涉及在操纵柔性面板时破坏驱动电路的风险小的并且具有简化的结构的电子器件(例如电子书阅读器)。该电子器件包括：多个柔性显示面板(4311、4322)，每个显示面板均包括显示部分(4301、4307)和扫描线驱动电路(4321a、4321b、4322a、4322b)；信号线驱动电路(4323)；以及被配置为固定该多个柔性显示面板的结合部分(4308)，其中信号线驱动电路被设置于结合部分之内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214604A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110144158.2
申请日：2009-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 半导体器件及其制造方法。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。
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公开(公告)号：CN102213882A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110096348.1
申请日：2011-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , G09G3/342 , G09G3/3659 , G09G3/3677 , G09G2300/0443 , G09G2300/0814 , G09G2310/0205 , G09G2310/0235 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/78696
Abstract: 本发明液晶显示器和用于驱动该液晶显示器的方法。在液晶显示器中，图像信号同时供应给提供在像素部分中采用矩阵设置的像素之中的多行中的像素，其中图像信号的输入由在沟道形成区中包括非晶半导体或微晶半导体的晶体管控制。从而，图像信号到每个像素的输入的频率可以增加而不改变包括在该液晶显示器中的晶体管或其类似物的响应速度。
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公开(公告)号：CN102194893A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110144092.7
申请日：2009-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 半导体器件及其制造方法。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。
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公开(公告)号：CN102148538A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110034698.5
申请日：2011-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B60L11/182 , B60L5/005 , B60L11/1829 , B60L11/1833 , B60L2200/26 , B60L2200/32 , B60L2200/34 , H01F38/14 , H02J5/005 , H02J7/025 , H02J17/00 , H02J50/12 , H02J50/20 , H02J50/90 , Y02T10/7005 , Y02T10/7011 , Y02T10/7016 , Y02T10/7072 , Y02T10/92 , Y02T90/12 , Y02T90/121 , Y02T90/122 , Y02T90/125 , Y02T90/14
Abstract: 本发明的目的之一是提供可以减少以无线的方式从供电装置向移动体供应电力时的电力浪费的移动体的结构。此外，本发明的目的之一是提供能够将释放到周围的电波的强度抑制得低的移动体的结构。在对移动体供应电力之前，从供电装置输出用来进行天线的对准的电波。换言之，从供电装置通过两个阶段输出电波。第一阶段的电波的输出是为了对供电装置及移动体分别具有的天线的对准而进行的。第二阶段的电波的输出是为了从供电装置向移动体供应电力而进行的。
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公开(公告)号：CN101561996B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910140880.1
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/32
Abstract: 一种显示装置和电子装置，其中由于环境温度的改变和随时间改变导致的光发射元件的电流变化的影响可抑制。本发明的显示装置具有光发射元件，串联至光发射元件的驱动晶体管，监视光发射元件，串联至监视光发射元件的限制晶体管，用于供应恒流至监视光发射元件的恒流源，和用于输出等于输入电势的电势的电路。光发射元件的第一电极经驱动晶体管连接至电路的输出端，经限制晶体管连接至电路输入端的监视光发射元件的第一电极。驱动晶体管的沟道长度L1和沟道宽度W1，和限制晶体管的沟道长度L2和沟道宽度W2满足L1/W1∶L2/W2＝1∶2到1∶10。
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