系统级封装信号完整性改进的电容装载结构

    公开(公告)号:CN102065639B

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201010568837.8

    申请日:2010-12-02

    Inventor: 来强涛 毛军发

    Abstract: 一种电子技术领域的系统级封装信号完整性改进的电容装载结构。将装载电容正下方参考平面掏空一部分,包括对隔直MLCC正下方的参考平面的掏空,消除焊盘和MLCC底部电极与最近参考平面之间的并联寄生电容,实现消除MLCC装载结构的阻抗突变的目标。焊盘和MLCC底部电极与最近参考平面之间的并联寄生电容为:当参考平面为多层板的n层时,当2-n层参考平面的掏空宽度是第一层参考平面掏空宽度的两倍时,焊盘处的特性阻抗由参考平面与焊盘之间的耦合电容来决定。本发明结构简单,易于实现,能够快速精确的确定MLCC电容装载结构设计参数,可以应用于高速系统级封装中的隔直电容设计。

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